安大《模拟电子技术基础》课程各章复习题

第1页共29页模拟电子技术第1章习题1、本征半导体是一种_完全纯净的、结构完整的半导体晶体，在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_掺杂浓度_，而少数载流子的浓度则与_本征激发有很大关系。2、半导体的电荷载流子的浓度越高，其电导率就越高。本征半导体的导电率随温度的增加而增加。3、根据本征半导体中掺入杂质性质的不同可分为P（或空穴）型半导体和N（或电子）型半导体。4、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。5、在本征半导体中加入少量五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。6、在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。7、在N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。8、在半导体中由于电场作用而导致载流子的运动称为漂移9、半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电，其中空穴带正电，而自由电子带负电。10、PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄11、PN结加反向电压时，空间电荷区将变宽12、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。13、PN结的基本特点是单向导电性。14、当外加电压使PN结的P区电位高于N区电位时，称为PN结_正向_偏置。15、PN结正向偏置时产生的电流主要是扩散电流，PN结反向偏置时产生的电流主要是漂移电流。16、PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿。17、PN结的电容效应有扩散电容和势垒电容18、半导体二极管按其结构的不同大致分为面接触型和点接触型两类，点接触型二极管适用于高频、小电流的场合，面接触型二极管适用于低频、大电流的场合19、硅管二极管的正向导通压降约为0.7V，锗管二极管的正向导通压降约为0.2V20、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大。21、当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度增加，因而少子漂移而形成的反向电流增加，二极管反向伏安特性曲线下移。22、硅管的导通电压比锗管的高，反向饱和电流比锗管的小23、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是)1e(S－TUUI24、二极管具有单向导电性，稳压二极管正常工作时是利用二极管的反向偏置特性。第2页共29页25、硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，工作于反向击穿状态。26、二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中电击穿是可逆的，而热击穿会损坏二极管.27、在PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，当PN外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流28、光电二极管能将光信号转换为电信号，它工作时需加正向偏置电压1、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。图1解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。2、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。解：UO1＝6V，UO2＝5V。3、电路如图P1所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。图P1第3页共29页解图P1解：ui和uo的波形如解图P1所示。4、电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt(V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。图P1.4解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。5、电路如图P1.6所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流ID＝（V－UD）/R＝2.6mA其动态电阻rD≈UT/ID＝10Ω故动态电流有效值Id＝Ui/rD≈1mA图P1.66、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。7、已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？解：（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故V33.3ILLOURRRU当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最图P1.9第4页共29页小稳定电流IZmin，所以UO＝UZ＝6V同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。（2）RUUI)(ZIDZ29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。模拟电子技术第2-4章习题29、双极结型三极管可分为NPN型和PNP型，三个极分别叫基极b，发射极e，集电极c；30、双极结型三极管的结构特点是：基区很薄且掺杂浓度很低；发射区和集电区是同类型的杂质半导体，发射区掺杂浓度比集电区高很多，同时集电区的面积比发射区大。31、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者正偏、后者反偏；32、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为10033、双极结型三极管共射连接时输出特性区域可分为放大区、截止区、饱和区34、当晶体管工作在截止区时，发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者反偏35、当晶体管工作在饱和区时，发射结电压和集电结电压应为前者正偏、后者正偏放大区：UbeUon且UceUbe截止区：UbeUon且UceUbe饱和区：UbeUon且UceUbe36、当温度升高时，集电极和基极间反向饱和电流以及集电极和发射极间反向饱和电流都增加，也增加。37、双极型晶体管是一种电流控制器件38、静态工作点的设置引起的波形失真有截止失真和饱和失真两种；静态工作点过低，引起截止失真；静态工作点过高，引起饱和失真。39、根据输入和输出回路公共端的不同，放大电路可分为3种基本组态共射极放大电路、共集电极放大电路、共基极放大电路。40、共集电极放大电路只有电流放大作用，没有电压放大作用，输入电阻最高，输出电阻最小；共基极放大电路只有电压放大作用，没有电流放大作用；共射放大电路既有电压放大作用，也有电流放大作用。41、在图T2.3所示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的＝100，'bR＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数（1）当iU＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA，则'bR和RW之和Rb＝≈kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝≈k第5页共29页Ω。（2）若测得输入电压有效值iU=5mV时，输出电压有效值'oU＝0.6V，则电压放大倍数uA＝≈。若负载电阻RL值与RC相等，则带上负载图T2.3后输出电压有效值oU＝＝V。解：（1）3)(565)(BQCEQCCBQBEQCC，；，IUVIUV。（2）0.3120'oLCLioURRRUU＋；－。42、已知图T2.3所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈2V；（2）当iU＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的幅值将增大（3）在iU＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将___底部失真（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将Rc减小。43、共发射极接法，__发射极___极作为公共电极，用CE表示；共集电极接法，_集电极_极作为公共电极，用CC表示；共基极接法，_基_极作为公共电极，用CB表示。三种接法中既有电压放大能力，又有电流放大能力的接法是__共发射极接法___。44、双极型三极管输出特性曲线可以分为__放大区____，_截止区_，_饱和区_三个区域。45、两个三极管复合，其β值约为_两个管的β值乘积__，其管型决定于前一个的管型。46、复合管的组成原则是：同一类型的BJT三极管构成的复合管时，应将前一个管子的发射极接至后一只管子的基极；不同类型的BJT三极管构成的复合管时，应将前一个管子的集电极接至后一只管子的基极；同时必须保证两只BJT三极管均工作在放大状态。47、射极输出器具有__电压__增益恒小于1且接近于1、_输出电压___与___输入电压____同相、__输入阻抗__高和__输出阻抗__低的特点。48、将两个β值分别为β1和β2的三极管复合，所得复合管的β值约为__β1*β2___。49、在分析放大电路的频率响应时，可将信号频率划分为三个区域：低频区、中频区和高频区。50、频率响应包括幅频响应和相频响应。第6页共29页51、某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CEO=30V，若其工作电压UCE=10V，则工作电流不得超过_15__mA；若工作电压UCE=1V，则工作电流不得超过__100__mA；若工作电流IC=1mA，则工作电压UCE不得超过_30_V。52、放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是_NPN__类型管子，其中_U3__极为集电极。NPN：VbVe;VcVb即VcVbVePNP：VeVb;VbVc即VeVbVc硅|Vbe|=0.7V锗|Vbe|=0.2V硅|Vbe|=0.7V锗|Vbe|=0.2V53、放大电路中，测得三极管三个电极A,B,C电位为UA=-9V,UB=-6V,UC=-6.2V，则该管是_PNP__类型管子，其中_C__极为基极；_A__极为集电极；_B_极为发射极。54、场效应管按基本结构可分为MOSFET(MOS场效应管)和JFET(结型场效应管)；按导电载流子的带电极性可分为N沟道MOSFET和P沟道MOSFET；按导电沟道形成的机理不同可分为N沟道增强型MOSFET，P沟道增强型MOSFET，N沟道耗尽型MOSFET，P沟道耗尽型MOSFET。55、N沟道增强型MOSFET的三个电极是栅极、源极和漏极。其输出特性曲线可分为可变电阻区、饱和区、截止区。特点是只有在栅源间有一定的电压作用才能产生感生沟道。56、N沟道增强型MOSFET的VGSVT时，d、s之间没有形成导电沟道，此时iD=0，场效应管工作于输出特性曲线的截止区。57、N沟道增强型MOSFET，当VGSVT，并且VDSVGS-VT时，当d、s之间形成导电沟道，此时iD基本保持不变，场效应管工作于输出特性曲线的饱和区。58、N沟道增强型MOSFET是电压控制器件，是指iD的大小受栅源电压VGS控制的。59、当N沟道耗尽型MOSFET的VGS0时，沟道变宽，但不会产生栅极电流iG，在VDS作用下，iD会很大。60、N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压VP0，即当VGSVP时沟道完全夹断进入截止区。61、P沟道增强型MOSFET沟道产生的条件是VGS=VT，在可变电阻区还有VDS=VGS-VT；在饱和区有VDS=VGS-VT；62、MOS管的直流输入电阻RGS是在漏源之间短路的条件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻。63、MOS管的输出电阻rds=dVDS/diD是反映VDS对iD的影响。64、当VDS一定时，互导gm=diD/dVGS反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。65、根据输入和输出回路公共端的不同，场效应管放大电路可分为3种基本组态共源极放大电路、共漏极放大电路、共栅极放大电路。66、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其第7页共29页RGS大的特点；67、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变大。68、UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有结型管和耗尽型MOS管；69、当场效应管的漏极