单晶炉常规事故处理

常见故障及处理A.停水a.发生停水时，立即检查（自动打开的）或打开停水炉子的事故水进水阀。1)关闭加热功率。2)复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态。3)降低埚位到熔料埚位。4)关闭埚转。b.停水后水压恢复。1)冷却水恢复供应时，立即检查（自动打开的）或关闭事故水阀门，监控水压，有异常立即报告管理人员。2)水压恢复时，炉内无严重氧化现象，熔体未结晶或已结晶但液面结晶小于10分钟且石英坩埚未破裂，按加热功率开，调节功率到熔料功率。3)启动埚转，设定为2转/分，打开埚转前，确保埚转电位器处于零位。4)熔化结晶面，在此期间应密切炉内有无严重氧化现象，注意硅料液面熔化情况，一旦发生严重氧化现象、硅液面下降，立即停炉并上报管理人员。5)晶体处理同晶变单晶一致，待结晶全熔后，手动调节功率为引晶功率，温度稳定后，开始引晶。c.停水后水压无法恢复，或恢复时熔体已结晶大于10分钟。1)快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。2)在熔体结晶15分钟时，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒100mm。3)停炉，充分冷却后拆炉B.停电a.若炉子工作时，加热部分停电。1)复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态。2)降低埚位到熔料埚位。3)关闭埚转。4)加热部分恢复时，若时间较短（液面未结晶或液面已结晶但小于10分钟且石英坩埚未破），按加热功率开，将功率升至熔料功率。5)启动埚转，设定为2转/分，打开埚转前，确保埚转电位器处于零位。6)熔化结晶面，在此期间应密切注意硅料液面熔化情况，一旦发生硅液面下降，立即停炉并上报管理人员。7)晶体处理同晶变单晶一致，待结晶全熔后，手动调节功率为引晶功率，温度稳定后，开始引晶。8)加热部分恢复时，若停电时间较长（液面结晶已经大于10分钟或石英坩埚破裂），快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。9)在熔体结晶15分钟时，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒100mm。10)停炉，充分冷却后拆炉。b.若炉子工作时，加热电源、控制电源同时断电。1)立即关闭抽空阀门。关闭所有升降转动开关。2)手动摇手柄降低埚位到熔料埚位。3)同时将氩气流量调为最大，充氩气至-0.05MPa左右，关闭氩气。4)电源恢复时，立即开真空泵，待半分钟后开抽空阀门，将氩气流量恢复正常。5)若时间较短（液面未结晶或液面已结晶但小于10分钟且石英坩埚未破），按加热功率开，将功率升至熔料功率。6)启动埚转，设定为2转/分，打开埚转前，确保埚转电位器处于零位。若晶体或籽晶与液面结晶在一起，则要等晶体或籽晶与液面结晶面熔化并脱离后方可启动。7)熔化结晶面，在此期间应密切注意硅料液面熔化情况，一旦发生硅液面下降，立即停炉并上报管理人员。8)晶体处理同晶变单晶一致，待结晶全熔后，手动调节功率为引晶功率，温度稳定后，开始引晶。9)若停电时间较长（液面结晶已经大于10分钟或石英坩埚破裂），快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。10)在熔体结晶15分钟时，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒100mm。11)停炉，充分冷却后拆炉。C.石英坩埚裂开或漏料a.立即关闭功率。b.复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态。c.关闭埚转。d.快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。e.在熔体结晶15分钟时，如有可能，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒100mm。f.停炉，充分冷却后拆炉。D.石墨坩埚裂开a.石墨坩埚裂开可观察电流表状态，是否有抖动现象。b.有电流表抖动现象说明与加热器相擦，应立即关闭功率。c.复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态。d.关闭埚转。e.快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。f.在熔体结晶15分钟时，如有可能，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒100mm。g.停炉，充分冷却后拆炉。E.炉内漏水或观察窗玻璃裂开a.当炉内出现大量漏水或观察窗玻璃裂开时，则立即关闭功率。b.关闭所漏部位的水源，关闭阀门及真空泵，对炉内进行充氩气至-0.05MPa左右，关闭氩气。若观察窗玻璃裂开时确认炉内未出现大量漏水可不关闭阀门及真空泵但要随时观察炉内情况，以采取应急措施。c.复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态。d.关闭埚转。e.快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。f.在熔体结晶15分钟时，如有可能，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒100mm。g.停炉，充分冷却后拆炉。