您好,欢迎访问三七文档
当前位置:首页 > 商业/管理/HR > 项目/工程管理 > 北京交通大学cmos模拟集成电路设计实验报告
北京交通大学模拟集成电路设计实验报告学生姓名学号团队成员学院班级电信学院实验感想:经过为期三周的模电实验,让我对模拟电路有了进一步的认识,只有通过自己设计才能真正了解运放原理与应用。试验开始时什么也不懂,然后边学边做,不断地熟悉了软件的使用,同时团队分工也大大提高了效率。虽然还有一个版图没有完成,但整体上学到了很多,这次试验受益匪浅。实验步骤1、进入虚拟机下的Cadence(虚拟机下linux用户名:jchli密码:ltabbltabb)Cadence运行方法:在linux桌面右键选择新建终端——在终端输入cdtsmc0_18rfp4_v15回车——输入lmli回车——输入icfb&回车2、在CIW(commandInterpreterwindow)命令框中,点击Tools——LibraryManager,出现LM(LibraryManager)窗口建立一个新的Library:点击File——New——Library,出现NewLibrary窗口;填入Library的名称,点击OK出现LoadTechnology窗口,添加工艺文件:选择analogLib,依次选择和添加所需要的器件,并且按照下图连接起来,并根据要求修改它们的参数,再保存,一个完整的电路拓扑图就形成了。3、由Schematic产生symbol:打开Schematic,点击Design——Createcellview——Fromcellview,填写上相应的名称,点击OK,即可。还可以将生成的symbol进行图形上的修改:可用ADD——shape内的各种形状来修饰这个symbol的外观,最后保存。4、仿真环境AffirmaAnalogCircuitdesignEnvironment的调用。实验一对于下面的放大器,已知,18.0502,1LW,3.3VDDV,)2sin(5.0VftVinV5.1biasV。当DR从k1变化到k100时,,100kHzf请仿真扫描输出电压的变化并给出该放大器的增益随DR变化的曲线,画出kRD100时电路的版图并进行后仿真。变量如下:版图如下:Drc:Lvs:Rcx:后仿:实验二在下面的电路中,如果,18.0,25,100,14,3.3umumkΩμAVLWRIVDssDD请采用Cadence软件完成下述任务:(1)假设VV0,9.0idicVV,计算两MOS管的DSV值;.(2)假设VV0,9.0icidVV,试计算dmA;(3)假设VV0,9.0idicVV,试计算cmA;(4)假设VV0,9.0idicVV,试计算odR;(5)假设VV8.18.1idV时V9.0icV,试给出21ooodVVV随idV的变化曲线;(6)假设VV8.10icV时V0idV,试给出221ooocVVV随icV的变化曲线;(7)画出该电路的版图。1设置变量(1)(2)5578.145.045.03.3-898.1dmVVAinout(3)8867.29.0598.2cmA(4)10032.36od000007.04756.0598.2R(5)(6)实验三试设计一个二级运算放大器,假定该放大器单端输出接一个5pF的电容,并假定供电电压为V3.3DDV,技术指标要求如下:dBmWVVMHzV/usdiss701025.1150103vdBAPICMRfSR,,,,,dBPSRRdBCMRR60,60,输出摆幅V5.1。要求完成放大器电路参数的计算,并完成前后端仿真与优化。.确定尺寸如下:N18:NM0W=380uL=2um=1;N18:NM1W=380uL=2um=1;N18:NM2W=40uL=4um=1;N18:NM3W=69.2uL=2um=1;N18:NM4W=40uL=4um=1;P18:PM0W=20uL=2um=1;P18:PM0W=20uL=2um=1;P18:PM0W=36uL=4um=1;P18:PM0W=36uL=4um=1;搭建原理图:产生symbol:仿真:增益--频率关系如下图增益带宽20kHz150MHz,最大增益Av=8203300(52dBversus70dB),其他参数比如摆率SR,输入共模范围ICMR,输出摆幅以及功耗Pdiss。输入信号在1mv频率100K时的瞬态仿真(30us)可以模糊的分辨出幅度近似为0.1v,也就是100倍的增益。
本文标题:北京交通大学cmos模拟集成电路设计实验报告
链接地址:https://www.777doc.com/doc-2622051 .html