减少背崩的方案

减少背崩的设计方案影响背崩的因素设备本身精度（目前没问题）外围环境（主要是水）–水温要求23±1℃，并主轴水与切削水温度一致（设备）；–压力0.3±0.01MPa（设备最基本的要求）；–流量≥2L/min×14（工艺要求）。刀片的选择（27HABB，行业都在使用）TAPE的相关（SPV224，行业基本都用）切进蓝膜的深度（3~10um，经验值为5~20um。说明：3um用于切7mil，主要防止翻转裂膜）3个待验证的解决方案1、Wafer贴膜后烘烤（同时，可以验证wafer透切前是否可以略去清洗步骤）；2、Wafer平分几个区域后，再进行全部透切；3、待切割水稳定后，验证wafer透切是否有背崩规律，这样就可以预防背崩。背崩率的控制值主要是验证方案1、2的可行性，若可行，背崩率至少可以降低2个百分点，为14%以内；查询设备、切割水、蓝膜、衬底的使用情况，总结背崩率最低原因。切割水稳定，优化切割参数，背崩率能控制的更低。