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11-2什么是测量误差?测量误差有几种表达方式?它们通常应用在什么场合?测量误差是测得值减去被测值的真值。测量误差有五种表达方式分别是:(1)绝对误差:当被测量大小相同时,常用绝对误差来评定准确度。(2)实际相对误差:相对误差常用来表示和比较测量的准确度。(3)引用误差:引用误差是仪表中通用的一种误差表示方法。(4)基本误差(5)附加误差:基本误差和附加误差常用于仪表和传感器中。1-6什么是随机误差?系统误差可以分为哪几类?系统误差有哪些检验方法?如何减小和消除系统误差?在同一测量条件下,多次测量同一量值时,绝对值和符号保持不变,或在条件改变时,按一定规律变化的误差称为系统误差。系统误差可分为恒值(定值)系统误差和变值系统误差。误差的绝对值和符号已确定的系统误差称为恒值(定值)系统误差;绝对值和符号变化的系统误差称为变值系统误差,变值系统误差又可分为线性系统误差、周期性系统误差和复杂规律系统误差等。检验方法:实验对比法;残余误差观察法;准则检查法系统误差的消除:1.从产生误差根源上消除系统误差;2.用修正方法消除系统误差的影响;3.在测量系统中采用补偿措施;4.可用实时反馈修正的办法,来消除复杂的变化系统误差。1-8什么是粗大误差?如何判断监测数据中存在的粗大误差?超出在规定条件下的预期的误差成为粗大误差,粗大误差又称为疏忽误差。判断粗大误差的原则是看测量值是否满足正态分布,要对测量数据进行必要的检验。通常用来判断粗大误差的准则有:32-1什么叫传感器?它由哪几部分组成?他们的作用及相互关系如何?答:传感器是能感受(或响应)规定的被测量并按照一定的规律转换成可用输出信号的器件或装置。通常传感器有敏感元件和转换元件组成。其中,敏感元件是指传感器中能直接感受或响应被测量的部份;转换元件是指传感器中能将敏感元件感受或响应的被测量转换成适于传输或测2量的电信号部份。由于传感器输出信号一般都很微弱,需要有信号调理与转换电路,进行放大、运算调制等,此外信号调理转换电路以及传感器的工作必须要有辅助的电源,因此信号调理转换电路以及所需的电源都应作为传感器组成的一部份。2-2什么是传感器的静态特性?它有哪些性能指标?分别说明这些性能指标的含义。传感器的静态特性是指被测量的值处于稳定状态时的输出输入关系。传感器的静态特性可以用一组性能指标来描述,有灵敏度、迟滞、线性度、重复性和漂移。①灵敏度是指传感器输出量增量△y与引起输出量增量△y的相应输入量增量△x的之比。用S表示灵敏度,即S=△y/△x②传感器的线性度是指在全量程范围内实际特性曲线与拟合直线之间的最大偏差值maxL与满量程输出值FSY之比。线性度也称为非线性误差,用L表示,即%100maxFSLYL③迟滞是指传感器在相同的条件下,输入量由小到大(正行程)及输入量由大到小(反行程)变化期间其输入输出特性曲线不重合的现象。即传感器在全量程范围内最大的迟滞差值maxH与满量程输出值FSY之比称为迟滞误差,用H表示,即:%100maxFSHYH④重复性是指传感器在相同的工作条件下,输入量按同一方向作全量程连续多次变化时,所得特性曲线不一致的程度。重复性误差属于随机误差,常用标准差计算,也可用正反行程中最大重复差值maxR计算,即:%100%100)3~2(maxFSRFSRYRY⑤漂移是指输入量不变的情况下,传感器输出量会随着时间变化的现象。最常见的是温度漂移,即周围环境温度变化而引起的输出变化。3-1什么是应变效应?什么是压阻效应?利用应变效应和压阻效应解释金属电阻应变片和半导体应变片的工作原理。3答:在外力作用下,导体或半导体材料产生机械变形,从而引起材料电阻值发生相应变化的现象,称为应变效应。半导体的电阻率随作用应力的变化而发生变化的现象,称为压阻效应。工作原理:应变效应表达式为*dKRRε,式中K为材料的应变灵敏系数,当应变材料为金属或合金时,在弹性极限内K为常数。金属电阻应变片的电阻相对变化量RRd与金属材料的轴向应变ε成正比,因此,利用电阻应变片,可以将被测物体的应变ε转换成与之成正比关系的电阻相对变化量,这就是金属电阻应变片的工作原理。压阻效应表达式为RRdπEε,在外力作用下,被测对象产生应变时,应变片随之发生相同的变化,同时应变片电阻也发生相应的变化。当测得的应变片电阻值变化量为△R时,便可得到被测对象的应变值,根据应力与应变的关系,得到应力值正比于应变,而试件应变正比于电阻值的变化,所以应力正比于电阻值的变化,这就是利用应变片测量应变的基本原理4-1说明差动变隙电压传感器的主要组成,工作原理和基本特性答:主要组成:主要由铁芯,衔铁,线圈三部分组成。工作原理:传感器由两个完全相同的电压线圈合用一个衔铁和相应磁路。工作时,衔铁与被测件相连,当被测体上下移动时,带动衔铁也以相同的位移上下移动,使两个磁回路中磁阻发生大小相等方向相反的变化。导致一个线圈的电感量增加,另一个线圈的电感量减小,形成差动形式。输出特性:...1220200021LLLL若忽略上式中的高次项,可得0LL02为了使输出特性能得到有效改善,构成差动的两个变隙式电感传感器在结构尺寸、材料、电气参数等方面均应完全一致.4-3差动变压器式传感器有几种结构形式?各有什么特点?答:结构形式:差动变压器式传感器有变气隙式差动变压器式和螺线管式差动变压器式传感器二种结构形式。4特点:变隙式差动变压器传感器的输出特性为0i120-UWWU,输出电压与21WW比值成正比,然而21WW比值与变压器的体积与零点残余电压有关。应综合考虑;00与U成反比关系.因此要求0越小越好,但较小的0使测量范围受到约束,通常在0.5mm左右。螺线管式差动变压器式传感器的输出特性是激励电压U和激磁频率f的函数,理论上,灵敏度K与U、f成正比关系,而实际上由于传感器结构的不对称、铁损、磁漏等因素影响,K与f不成正比关系,一般在400Hz~10KHz范围内K有较大的稳定值,K与U不论在理论上和实际上都保持较好的线性关系。一般差动变压器的功率控制在1瓦左右围为线圈骨架长度的101到41因此可以测量大位移围。4-10何谓涡流效应?怎样利用涡流效应进行位移测量?答:块状金属导体置于变化着的磁物中,或在磁场中作切割磁力线运动时,导体内将产生呈旋涡状的感应电流,此电流叫电涡流,所产生电涡流的现象称为电涡流效应。电涡流式传感器的测试系统由电涡流式传感器和被测金属两部分组成。当线圈中通以交变电流1时,其周围产生交变磁物1H,置于此磁物中的导体将感应出交变电涡流2,2又产生新的交变磁物2H,2H的作用将反抗原磁物1H,导致线圈阻抗Z发生变化,Z的变化完全取决于导体中的电涡流效应,而电涡流效应既与导体的电阻率,磁导率,几何尺寸有关,又与线圈的几何参数、线圈中的激磁电流频率f有关,还与线圈和导体间的距离x有关,因此,可得等效阻抗Z的函数差系式为Z=F(、、r、f、x)式中r为线圈与被测体的尺寸因子。以上分析可知,若保持,,r,f参数不变,而只改变x参数。则Z就仅仅是关于x单值函数。测量出等效阻抗Z,就可实现对位移量x的测量。5-1根据工作原理可将电容式传感器分为那几种类型?每种类型各有什么特点?各适用于什么场合?答:类型:根据电容式传感器的工作原理,电容式传感器有三种基本类型,即变极距(d)型(又称变间隙型)、变面积(A)型和变介电常数(ε)型。5场合:变间隙型可测量位移,变面积型可测量直线位移、角位移、尺寸,变介电常数型可测量液体液位、材料厚度。特点:电容式传感器具有以下特点:功率小,阻抗高,由于电容式传感器中带电极板之间的静电引力很小,因此,在信号检测过程中,只需要施加较小的作用力,就可以获得较大的电容变化量及高阻抗的输出;动态特性良好,具有较高的固有频率和良好的动态响应特性;本身的发热对传感器的影响实际上可以不加考虑;可获取比较大的相对变化量;能在比较恶劣的环境条件下工作;可进行非接触测量;结构简单、易于制造;输出阻抗较高,负载能力较差;寄生电容影响较大;输出为非线性。6.1什么叫做正压电效应和逆压电效应?什么叫做纵向电压效应和横向电压效应?答:某些电介质在沿一定的方向上受到外力的作用而变形时,内部会产生极化现象,同时在其表面上产生电荷,当外力去掉后,又重新回到不带电的状态,这种现象称为压电效应。这种机械能转化成电能的现象,称为“顺压电效应”。反之,在电介质的极化方向上施加交变电场或电压,它会产生机械变形,当去掉外加电场时,电介质变形随之消失,这种现象称为“逆压电效应”。在石英晶体中,通常把沿电轴x方向的力作用下产生电荷的压电效应称为“纵向压电效应”,而把沿机械轴y方向的力作用下产生电荷的压电效应称为“横向压电效应”。6.6简述压电式加速度传感器的工作原理。答:其原理利用压电晶体的电荷输出与所受的力成正比,而所受的力在敏感质量一定的情况下与加速度值成正比。在一定条件下,压电晶体受力后产生的电荷量与所感受到的加速度值成正比。7.1简述变磁通式和恒磁通式传感器的工作原理。答1.变磁通式传感器工作原理:产生磁场的永久磁铁和线圈都固定不动,通过磁通Φ的变化产生感应电动势e。变磁通式又称磁阻式常用于角速度的测量。2.恒磁通式传感器工作原理:气隙磁通保持不变,感应线圈与磁铁作相对运动,线圈切割磁力线产生感应电势。7.4什么是霍尔效应?霍尔电势与哪些因素有关?答:1.通电的导体或半导体,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。2.霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔系数RH成正比6而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度,霍尔元件常制成薄片形状。8.1光电效应有哪几种?相对应的光继电器件各有哪些?答:1.光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。2.光电器件(1)基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管、光电摄像管等。(2)基于光电导效应的光电器件有光敏电阻。(3)基于光生伏特效应的光电器件有光电池、光敏二极管、三极管。8.2试述光敏电阻、光敏二极管、光敏晶体管和光电池的工作原理,在实际应用时各有什么特点?答:1.光敏电阻的工作原理其工作原理是基于光电导效应,其阻值随光照增强而减小。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。无光照时,光敏电阻值(暗电阻)很大,电路中电流(暗电流)很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻)急剧减小,电路中电流迅速增大。一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越好,此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级,亮电阻值在几千欧以下。2.光敏二极管的工作原理在无光照时,处于反偏的光敏二极管工作在截止状态,其反向电阻很大,反向电流很小,这种反向电流称为暗电流。当有光照射到光敏二极管的PN结时,PN结附近受光子轰击,吸收其能量而产生电子-空穴对,它们在反向电压和内电场的作用下,漂移越过PN结,形成比无光照时大得多的反向电流,该反向电流称为光电流,此时,光敏二极管的反向电阻下降。若入射光的强度增强,产生的电子-空穴对数量也随之增加,光电流也响应增大,即光电流与光照度成正比。如果外电路接上负载,便可获得随光照强弱变化的信号。光敏二极管的光电流I与照度之间呈线性关系。光敏二极管的光照特性是线性的,所以适合检测等方面的应用。光敏晶体管的工作原理大多数光敏晶体管的基极无引出线,当集电极加上相对于发射极为正的电压而7不接基极时,集电结就是反向偏压。当光照射在集电结时,就会在结附近产生电子—空穴对,光生电子被拉到集电极,基区留下空穴,使基极与发射极间的电压升高,这样便会有大量的电子流向集电极,形成输出电流,且集电极电流为光电流的β倍,所以光敏晶体管有放大作用。4.光电池的工作原理硅光电池是在一块N型硅片上用扩散的办法掺
本文标题:传感器简答题
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