《先进陶瓷材料及进展》第6章低介装置陶瓷.

§6-1低介装置瓷的基本知识§6-2典型低介装置瓷§6-6低温共烧陶瓷第六章低介装置陶瓷§6-1低介装置瓷的基本知识§6-1-1低介装置瓷的概念用于电子技术、微电子技术和光电子技术中起绝缘、支撑、保护作用的陶瓷装置零件、陶瓷基片以及多层陶瓷封装等的瓷料。例如：高频绝缘子骨架、电子管底座、电阻器基片、厚薄膜混合集成电路基片、微波集成电路基片等。第6章Internet应用基础陶瓷基片陶瓷封装电子用陶瓷零件§6-1低介装置瓷的基本知识第6章Internet应用基础§6-1-2低介装置瓷的性能1.电性能：a、介电系数低，≤10b、介电损耗小，tg为2×10-4～9×10-6c、抗电强度高，≥10kv/mmd、绝缘电阻高，＞1012Ω·㎝(20℃)2.机械性能：a、抗弯强度（45～600）MPab、抗拉强度（400～2000）MPa6.热性能：a、线热膨胀系数小b、热导率高c、耐热冲击、热稳定性好§6-1低介装置瓷的基本知识第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷§6-2-1滑石瓷§6-2-2氧化铝瓷§6-6-6高热导率陶瓷基片§6-2-4透明陶瓷第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷§6-2-1滑石瓷1、滑石的结构滑石瓷分子式：6MgO·4SiO2·H2O滑石矿为层状结构的镁硅酸盐，属单斜晶系，[SiO4]四面体联结成连续的六方平面网，活性氧离子朝向一边，每两个六方网状层的活性氧离子彼此相对，通过一层水镁氧层联结成复合层。复合层共价键\离子键分子键第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷2、滑石的相变120~200℃，脱去吸附水1000℃，脱去结构水，转变为偏硅酸镁OHSiOSiOMgOOHSiOMgO22222)(3431557℃，再次失去Si，生成镁橄榄石2222)(2SiOSiOMgOSiOMgO第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷232)(SiOMgSiOMgO2700212002SiOMgOSiOMgOSiOMgOCC呈单链状辉石结构，它有三种晶型：顽辉石原顽辉石斜顽辉石单斜斜方（正交））低温稳定相（斜顽灰石）高温稳定相（原顽辉石同质异构缓变（室温）偏硅酸镁原顽辉石是滑石瓷的主晶相，有少量斜顽辉石第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷3、滑石瓷存在的问题及解决方案(1)老化(2)开裂(3)烧结温区过窄第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷(1)老化（粉化）:老化原因：防老化措施：a.用粘度大的玻璃相包裹晶粒，防止相变b.抑制晶粒生长c.去除游离石英老化微裂纹、白斑内应力体积密度斜顽辉石原顽辉石第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷(2)开裂开裂原因：防开裂措施：a.1600~1650℃高温预烧b.热压铸成型成型过程中的定向排列外因各向异性层状结构内因)()(晶粒结构定向排列密度各向异性收缩各向异性第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷(3)烧结温区过窄MgO-Al2O6-SiO2系统的最低共熔点为1665℃，其组成为MgO(20%)、Al2O6(18.6%)、SiO2(61.4%)，与滑石瓷的组成非常接近，故滑石瓷在1650℃左右开始出现液相，并随温度的升高，液相数量急剧增加，使胚体软化、变形、甚至报废。由于粉料经高温预烧后活性下降，烧结温度过低会出现生烧。因此滑石瓷的烧结温区一般为10~20℃。第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷扩大烧结温区的措施：扩展下限：a)、提高粉料的活性：粉料细化，降低预烧温度或采用一次配料成瓷；b)、加入助熔剂BaCO6：在800℃~950℃出现Ba-Al-Si玻璃，包裹偏硅酸镁晶粒促进烧结；扩展上限：a)、提高玻璃相黏度：b)、加入阻制剂ZrO2、ZnO，使Mg-Al-Si液相黏度大，胚体不易变形。第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷4、滑石瓷的用途滑石瓷便宜，但热稳定性差，主要用于制造:绝缘子线圈骨架波段开关管座电阻基体第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷5、其他滑石类瓷简介(1)镁橄榄石瓷（MgO·SiO2）(2)堇青石瓷（2MgO·2Al2O6·5SiO2）第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷(1)镁橄榄石a、镁橄榄石瓷在高温、高频下介电性能优于滑石瓷；b、高温下，绝缘电阻高；c、热膨胀系数与Ti-Ag-Cu或Ti-Ni合金相匹配，有利于真空封接；d、可作金属膜电阻，碳膜电阻和绕线电阻的基体以及IC基片；e、线膨胀系数大，抗热冲击性能差；第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷(2)堇青石瓷a、线膨胀系数小，室温到800℃：0.9~1.4×10-6/℃，陶瓷材料中最小。b、烧成温度范围很窄（几度）。c、材料中离子排列不够紧密，晶格内存在大的空隙，很难烧结。d、机电性能差。改进措施:i.超细粉料＜1µm；ii.加入矿化剂（长石、LiF、B2O6、BaCO6等）；iii.制成多孔陶瓷；iiii.制成低热膨胀、高机械强度的陶瓷材料（掺加刚玉）。堇青石是一种硅酸盐矿物，它可呈无色，但通常具有浅蓝或浅紫色，玻璃光泽。堇青石还具有一个特点，它们会在不同的方向上发出不同颜色的光线，这叫多色性。品优色美的堇青石被当作宝石，除此以外，堇青石没有什么工业上的用途。堇青石产于片岩、片麻岩及蚀变火成岩中。人们因此也称堇青石为二色石。人工可以合成镁堇青石，用于耐火材料。堇青石的颜色近似蓝宝石，所以又称之为水蓝宝石（watersapphire）。1.铁堇青石:堇青石中的两个主要成份镁和铁可以做同像替代，当铁元素含量大于镁元素称之为铁堇青石。2.堇青石:即镁含量高于铁含量时称为堇青石，较出名的是产于印度的富镁品种，常被用来做成宝石又称为印度石。3.血点堇青石:主要产地在斯里兰卡，主要特征为其内部的氧化铁澡片含量丰富且呈现特定方向排列使得堇青石带有色带时被称为血点堇青石。堇青石的主要产地为巴西，印度，斯里兰卡，缅甸，马达加斯加，中国台湾的兰屿也有少量的发现。堇青石的分类•堇青石的颜色有蓝色，浅蓝色，浅紫色，浅黄色，及淡褐色，说到颜色就不得不提一下堇青石最重要的一项特征也就是它的二色性，这也是大家用肉眼来区分堇青石与蓝宝石的最大不同点。第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷§6-2-2氧化铝瓷1、氧化铝瓷的分类、性能与用途2、氧化铝瓷原料的制备3、降低烧结温度、改进工艺性能的措施第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷1、氧化铝瓷的分类、性能与用途以Al2O6为主要原料，α-Al2O6为主晶相的陶瓷称为氧化铝瓷。根据氧化铝瓷的含量，将氧化铝瓷分为莫来石瓷、刚玉-莫来石瓷、刚玉瓷，含Al2O675%以上的称为高铝瓷。根据氧化铝瓷的颜色和透光性能，可分为白色Al2O6瓷、黑色Al2O6瓷、透明Al2O6瓷。第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷瓷料类别Al2O6含量％相组成结晶相玻璃相莫来石瓷45~7085~90%莫来石10~15%刚玉－莫来石瓷70~9080~90%莫来石和刚玉10~20%刚玉瓷90~99.580~100%刚玉10~20%或以下氧化铝陶瓷按Al2O6含量分类第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷氧化铝瓷的性能：可见，随Al2O6含量的增加，Al2O6的机电性能和热性能愈来愈好，表现在：ρ↑，硬度↑，tgδ↓，热导率↑；但是，随着Al2O6含量的增加，氧化铝瓷的工艺性能却愈来愈差，表现在：可塑性↓，烧结温度↑，机加工难度↑，对原材料的要求↑第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷氧化铝瓷的用途：a、用于一般滑石瓷场所b、高温、高压、高频、大功率特殊情况下c、特殊环境，如：集成电路外壳（黑色Al2O6）钠灯（透明Al2O6）宇宙飞船的视窗（透明Al2O6）第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷2、氧化铝瓷原料的制备(1)天然矿物(2)化学法(3)冷冻干燥法第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷(1)天然矿物由铝矾土矿（Al2O6·6H2O）经化学方法处理得到，是炼铝工业生产的中间产物，纯度不高，20~80μm氧化铝的三种晶型：高温α型、低温γ型和中温的β型，只有α-Al2O6具有优良的电器性能，结构紧密、硬度大、损耗小、绝缘好，β-Al2O6的性能最差。故对工业Al2O6在配料前必须经高温煅烧（预烧），使γ-Al2O6→α-Al2O6第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷预烧的作用:促使晶型转变减少胚体的烧结收缩率，保证产品尺寸的准确性可使碱金属离子减少或去除，起纯化的作用，破坏Al2O6颗粒聚集状态，以获得细颗粒的原料。第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷(2)化学法铝的草酸盐热分解醇盐水解sol-gel法可获得高纯、高均匀度的超细粉料,平均粒径10~60nm，比表面积550±10%m2/g，纯度高达99%以上。第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷(3)冷冻干燥法将含Al6+溶液雾化成微小液滴，快速冻结为固体，加热使液滴中的水升华气化，干燥形成无水盐，焙烧后得到球型颗粒。特点：疏松而脆，容易粉碎成均匀，超细原料成分均匀适于批量化生产，设备简单，成本低第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷3、降低烧结温度、改进工艺性能的措施加入变价金属氧化物MnO2、TiO2.加入助熔剂，固液烧结.利用超细粉体，提高粉体烧结活性.采用还原气氛烧结或热压烧结.第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷§6-2-3高热导率陶瓷基片1、基片应具有的机电性能2、电介质导热机制3、高热导率晶体的结构特征4、高导热陶瓷材料特征比较5、多芯片组装-多层基片第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷1、基片应具有的机电性能①高热导率，低膨胀系数，高绝缘电阻和抗电强度，低介电常数和低的介质损耗。②机械性能优良，易机械加工。③表面平滑度好，气孔率小，微晶化。④规模生产具可行性，适应金属化、成本低。第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷2、电介质导热机制金属导热的主要机制是通过大量质量很轻的自由电子的运动来迅速实现热量的交换，因而具有较大的热导率，但不适合制作IC基片（导电性）。第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷陶瓷是绝缘体，没有自由电子，其热传导机理是由晶格振动的格波来实现的，根据量子理论，晶格波或热波可以作为声子的运动来描述，即热波既具有波动性，又具有粒子性。通过声子间的相互碰撞，高密度区的声子向低密度区扩散，声子的扩散同时伴随着热的传递。T1高温端T2低温端声子热传导（类似于气体）第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷陶瓷的热传导公式：K-热导率，C-声子的热容，V-声子的速度，l-声子的平均自由程，v-声子的振动频率。声子的散射机制：声子的平均自由程除受到格波间的耦合作用外（声子间的散射），还受到材料中的各种缺陷、杂质以及样品边界（表面、晶界）的影响。dVlCK)()(31第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷3、高导热晶体的结构特征共价键很强的晶体；结构单元种类较少，原子量或平均原子量均较低；不是层状结构；第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷高热导率晶体都是由原子量较低的元素构成的共价键或共价键很强的单质晶体或二元化合物。此类非金属晶体有：金刚石（昂贵）、石墨（电子电导）、立方BN（昂贵）、SiC（难烧结，需热压）、BP（对杂质敏感）、BeO、AlN。第6章Internet应用基础§6-2典型低介装置瓷性质AlNSiCAl2O3BeOBN导热率(w/m·k)(室温)100~27027020