VDMOS抗单粒子烧毁方法

器件结构本发明通过控制漂移区少子寿命可以显著提高功率器件的抗SEB能力，提高SEB阈值电压。降低漂移区少子寿命可以是例子沿轨迹产生电子空穴对的复合时间变短，在漂移区的作用下有更少量的空穴到达源区，寄生管不易导通。降低少子寿命的区域选取对功率器件的寄生晶体管影响最大的区域，能实现最佳的抗SEB效果。全局控制少子寿命，随着少子寿命的降低，电子空穴对复合加快，SEB阈值提高，但器件反向漏电流急剧增大，器件功耗增加。横向改善漂移区少子寿命横向局部控制可以精确控制辐射剂量和辐射能量来实现对少子寿命和控制区域的控制纵向改善漂移区少子寿命纵向局部控制可以通过横向局部控制和掩膜控制相结合的方式实现当局部少子寿命控制在横向n-漂移区1和纵向n-漂移区5时抗SEB效果比其它局部控制区域好，因为这两个区域对寄生管的导通有很大影响。