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GTD理论1.绕射射线上场的基本表达式若给定射线上某点的场强0E,则射线上任意一点(除焦散线上的点以外)的场强可表示为:0jksEPEASe(1.1)式中:1212ASss(1.2)称为扩散因子,它表示射线在传播时由于能量扩散而产生的场强振幅的衰减。12是任意正规曲面的两个主曲率半径,对球面波12,ASs;对柱面波波面的一个主曲率半径变为无穷大,此时11ASs;对平面波1和2都为无穷大,1AS。设有一条边缘绕射线从源点S经过物体边缘上的绕射点Q到达场点P,则Q点的绕射过程可以用下式表示:diFQEQD(1.3)式中iEQ是Q点的入射场;D是并矢绕射系数,dFQ是Q点的激励系数。绕射射线在离开绕射点后仍服从几何光学定律,因此场点P的绕射场可表示为:1212dddddjksdddijksddddEPFQAseEQDess(1.4)式中ddAs是说明能量沿绕射线扩散的因子,djkse则是表示绕射场沿绕射线的相位变化的因子,ds是沿绕射线从Q到P的距离。2.绕射系数表达式平面波斜入射到无限大导电直劈时的绕射系数为:,00sincsc112coscoscoscosemnDnjknnnn(1.5)式中:,em下标分别表示电极化和磁极化的情形n与劈角有关,劈角为2n表示入射波与劈边的夹角,也是绕射线所在锥面的半锥角k为波数,即波长越长,绕射场越强0和分别表示入射射线和绕射射线上的点在以劈边为z轴的柱坐标系下的坐标,,z,取一个劈面为0。这一绕射系数适用于过渡区外的远区,虽然是在平面波斜入射的条件下导出的,由于式中不含与入射波形式有关的因子,所以它也适用于入射波为球面波、柱面波和锥面波的情况。对直劈绕射,远场时的扩散因子近似为1s,即在不靠近边界的远区,直劈的绕射场好像是由位于劈边上的线源所产生的柱面波。绕射系数与劈角的关系由于劈角为2n,当sin0n时,绕射场等于零,这时场的精确解完全由几何光学场给出,绕射场等于零时的n值为:1,1,2,...nmm(1.6)n越小,劈内角越大,绕射场的零值出现的也越多。例如1n(全平面)和12n(270°外劈)的情况是众所周知的,它们的总场可源场和镜像源场之和求得。根据实际情况,对劈绕射解的讨论将限于122n的范围,2n即半平面的情形,此时绕射系数为:,00csc1122coscos22emDjk(1.7)绕射系数与关系表示入射波与劈边的夹角,一般为0~2,1cscsin,因此越小,绕射场越强。绕射系数与0关系0表示入射射线的方位角,考虑半平面的情形,当00时,相当于入射波贴着劈面入射,此时绕射系数为:,csc1122coscosemDjknn(1.8)即对电极化入射平面波绕射场为零。绕射系数与影界关系当0时,0coscos0nn,,emD,此时称为入射影界。当0或021n时,0coscos0nn,,emD,此时称为反射影界。影界上的绕射系数是无法计算的,可以认为在这些区域内的场完全是由几何光学场决定的。同时当绕射射线趋近于影界时,绕射场也会趋向于最强。曲面反射假设曲面反射如图3所示,ˆn为反射点RQ处切平面的单位法向量,入射波和反射波的传播方向单位矢量为ˆis和ˆrs,则入射场和反射场可以表示为:000000ˆˆˆˆiiiiirrrrrEeEeEEeEeE(1.9)利用反射点处的电场切向分量为零的边界条件,可以得到反射场为:000ˆˆˆˆ0riiirirRREsEQREQeeee(1.10)其中00rEs表示反射点RQ处的反射场;0iREQ表示反射点处RQ的入射场;R表示并矢反射系数,可写为矩阵形式:1001R(1.11)这说明几何光学下的曲面反射是一种局部现象,基本取决于反射点附近的几何形状,因此可以在反射点RQ附近作以下假设:1.反射面可以用RQ处的切平面近似2.入射波的波前假设为平面反射场可以写为:1212rrrijksRrrEsEQRess(1.12)其中12,rr为反射点处反射波面的两个主曲率半径。其由入射波的主曲率半径和反射点的曲率决定,可以表示为:11212122111112111112riiriiff(1.13)其中12,ii表示入射波前的两个主曲率半径(球面波前12iis,柱面波前12,ii或21,ii,平面波前12ii)
本文标题:GTD理论
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