4月13日作业解答(33,版5,13计)

（3.3）作业1.动态RAM的刷新是以b为单位进行的。a)存储单元b)行c)列d)存储矩阵2.某动态RAM芯片，容量为16K×4位，无片选信号，除电源线、接地线和刷新线外，该芯片的最小引脚数目应为多少？地址引脚：16K=214，至少需要14/2=7个引脚数据引脚：至少4个CASRAS,信号：2个R/W：1个共14个3.P1112[解：]①226×64/(16M×64)=4(个)②（16M×64）/（4M×8）=32(片)③4×32=128(片)④2位4.P1113要求：给出设计过程。第（1）问为选作。补充条件：假设16K×8位芯片的存储元矩阵为128×128×8位结构（即128行，128列），固有刷新周期为2ms[解：]（1）①计算芯片数：（64K×32）/（16K×8）=16(片)②位扩展：4片一组③字扩展：4组④片选逻辑：A15、A14经2-4译码器产生。（2）异步刷新方式间隔：2ms/128=15.6μs全部刷新一遍的时间：15.6μs×128≈2ms5.（选作）和SRAM相比，DRAM在电路结构及性能上的主要不同之处有a,b。a)地址线封装引脚数少b)增加了行、列地址锁存器c)速度快，集成度高d)速度慢，集成度低6.（选作）下列有关存储器的描述中，正确的是a。a)动态RAM和静态RAM都是易失性存储器b)因为单管动态随机存储器是破坏性读出，所以必须不断刷新c)DRAM是破坏性读出，因此需要读后重写d)DRAM读后需要刷新7.（选做）某DRAM芯片内部的存储元为128×128结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次，且刷新是通过顺序对所有128行的存储元进行内部读操作实现的。设存储周期为500ns。求其刷新的开销（也即进行刷新操作的时间所占的百分比）。[解：]每刷新一行需要一次读操作，即一个存储周期的时间，故每行的刷新时间为500ns，在2ms内刷新128行，需要500×128=64000（ns）刷新的开销：64000/（2×106）=3.2%