2013上海交大827真题

2013上海交通大学827材料科学基础真题一、选择题（25×3=75）1、形成无限固溶体的必要条件是A半径差小B化学亲和力大C晶体结构相同2、以下fcc中不能发生攀移的位错是A(a/3)*111B(a/6)*121C(a/2)*1103、伯氏矢量相互垂直的两刃型位错相互交割形成的割接是A刃型位错B螺型位错C混合型位错4、𝑅+𝑅−=0.525的离子晶体形成的化学式为AXY2BX2Y3CXY5、bcc交滑移系是由一个滑移方向及该方向所在的两个滑移面构成，则下面是正确的交滑移系的是A(110)[111](1-10)B(110)[-111](101)C(-110)[11-1](01-1)6、密排六方四轴坐标系下的晶向[11-20]在三轴坐标系下的指数为A[110]B[1-20]C[100]7、以下关于位错应力场的说法正确的是A螺型位错的切应力全为零B刃型位错主应力全为零C螺型位错主应力全为零8、fcc中的八面体间隙若全部被杂质原子占据所形成的间隙固溶体分子式为AMXBMX2CM2X9、下列关于层错能的说法错误的是A层错能越高，则不全位错宽度越窄B层错能越高的晶体越易形成胞状亚结构C层错能高的金属易发生动态再结晶10、低碳钢的应变时效可以以下那种理论解释A固溶强化B柯氏气团C滞弹性11、简单立方结构的致密度为A0.64B1C0.52412、杂质的存在一般对晶界迁移的影响是A阻碍晶界迁移B促进晶界迁移C影响不确定13、对铝进行单向拉伸，拉伸轴的方向是[123]，则首先开动的滑移系是A(111)[011]B(111)[-101]C(-111)[101]14、单质凝固均匀形核，形成临界晶核时A液固两相体积自由能差完全抵消两相界面能B发生的变化有结构起伏，成分起伏，能量起伏C总的自由能高于未形核状态15、铁碳合金中，关于莱氏体和珠光体，错误的是ALd中渗碳体含量比P中少BLd可以变成变态LdC含Ld的合金属于铸铁16、二元合金成分过冷的表述正确的是A液相扩散系数越大，越易成分过冷B凝固温度越宽，越不易成分过冷C成分过冷度越大，越易形成树枝晶17、下列高分子的反应中可以析出小分子的是A均加聚B混加聚C缩聚18、三元相图中，单相区与三相区通过什么相接触A点接触B线接触C面接触19、柯肯达尔效应中标记面的移动主要原因是A扩散原子尺寸差异B扩散原子扩散系数的不同C空位浓度不同20、高分子独有的力学行为是A玻璃态B高弹态C黏流态21、TiO2中的部分Ti4+被Ti3+取代，则在该离子晶体中形成ATi离子空位B氧空位C过氧离子22、二元反应扩散中存在A一元共存B二元共存C三元共存23、固态相变中成分和结构都存在变化的方式是A调幅分解B多晶型转变C贝氏体相变24、下列按界面迁移将固态相变进行分类正确的是A马氏体相变属于扩散型转变B珠光体相变属于界面迁移控制的相变C块状相变属于界面迁移控制的相变25、固态相变中过冷度很大且界面能的降低足以同时克服晶体形成共格和非共格晶界所引起的应变能，此时固态相变最易形成的晶体类型为A针状B棒状C盘状二、主观题1、简述固态相变中的非均匀形核方式以及推动这些方式的形核动力或原因（15分）2、晶体结构及位错综合题（30分）（1）如右图所示标出晶向AB（从A到B）的晶向指数和晶面ABC的指数。（5分）（2）若某晶体滑移时以ABC为晶面以AB为晶向，指出该晶体的结构类型，并说明原因。（5分）（3）已知该晶体的原子半径r=0.135nm,求该晶体的点阵常数和全位错伯氏矢量的大小。（5分）（4）已知该晶体经塑性变形后的位错密度ρ=1011/cm2（貌似是这个数）设切变模量G=4*1010Pa，求该晶体塑性变形后单位体积的应变能。（10分）（5）已知某刃型位错以AC（从A到C方向）为位错线，伯氏矢量为[110]，试确定该位错能否进行滑移，说明原因。（5分）3、在NaCl晶体中掺有少量的Cd2+，测出Na在NaCl的扩散系数与1/T的关系，如下图所示（其中黑色圆点为理论值，白色原点为实测值）（1）说明在530K左右两条直线发生弯折的原因。（5分）（2）在高温下理论值与实测值吻合较好但在高温下二者差别较大，试分析原因。（10分）4、如下图所示的二元共晶相图中A、B两组元液相无限互溶，固态互不相溶，其中液相和两固相的热熔相同，A、B两组元的熔点TA和TB相同，在共晶反应前后A、B两组元的摩尔熵变分别为∆𝑆𝐴=8.4J/mol/K、∆𝑆𝐵=4.2J/mol/k,试确定共晶点E点的成分。（15分）