1半导体器件复习练习题(二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放)

半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）A.多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中()载流子。A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。A．减小温漂B.增大放大倍数C.提高输入电阻D.减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。A.发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在()，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（）。A．NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。A．P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。A．输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的1=30，V2的2=50，则复合后的约为（）。A．1500B.80C.50D.3015、发光二极管发光时，工作在()。A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区D．不确定16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）A.增大B.减小C.不变D.等于零17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区0iD/mA-4uGS/V518、稳压二极管稳压时，其工作在()。A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区D.饱和区19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）A.可获得较高增益B.可使温漂变小C.在集成工艺中难于制造大电容D.可以增大输入电阻20、测得BJT各电极对地电压为：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该BJT工作在（）状态。A.截止B.饱和C.放大D.无法确定21、FET是（）控制器件。A.电流B.电压C.电场D.磁场22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（）。A.电阻大B.功率大C.电压高D.功率小23、二极管的电流方程是（）。A．uSeIB.TVuSeIC.)1(TVuSeID.TVSeI24、FET是（）控制器件。A.电流B.电压C.电场D.磁场25、三极管工作在饱和状态的条件是（）。A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏26、测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是（）。A.ebcB.ecbC.cbeD.bec27、稳压二极管是利用PN结的（）。A.单向导电性B.反向击穿性C.电容特性D.正向特性28、测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是（）。A.ebcB.ecbC.cbeD.bec29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态30、当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）A．集电极最大允许功耗ＰＣＭB．集电极最大允许电流ＩＣＭC．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯD.Ｕ（ＢＲ）ＣEＯ31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为()。A.正、反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大32、电路如下图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压uO=（）。A.－2VB.0VC.6VD.12V0V6V2V12VRD3D2D1uO+-33、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态34、结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流35、场效应管是属于（）控制型器件。A.电压B.电流C.电感D.电容36、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态37、测量某硅BJT各电极的对地电压值为VUC6，VUB2，VUE3.1，该管子工作在（）A.放大区B.截止区C.饱和区D.无法判断38、如图1所示复合管，已知V1的1=30，V2的2=50，则复合后的约为（）。A．1500B.80C.50D.30共模抑制比CMRK越大，表明电路（）。39、A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.抑制温漂能力越强D.输入信号的差模成分越大二、填空题：40、根据是否掺入杂质，半导体可分为半导体和半导体两大类。41、N沟道场效应管中的载流子是，P沟道场效应管中的载流子是。42、图1所示处于反向截止状态的PN结，则a、b两区分别是PN结的区、区。43、PN结是靠多数载流子的运动和少数载流子的运动形成的。44、PN结中内电场阻止的扩散，推动的漂移运动。45、二极管的特性是，场效应管是控制型器件。46、集成运放是多级耦合放大器。47、BJT工作在放大区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。48、集成运放内部是一个具有高放大倍数的耦合的放大电路，故它的主要缺点是，为了克服这一缺点，输入级一般采用电路提高放大倍数，中间级一般采用负载，放大管多用；为了提高功率，输出级常采用互补对称电路。49、BJT是控制器件，FET是控制器件。50、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。51、设如右图电路中,D1为硅二极管,D2为锗二极管,V2V1图1则D1处于状态,D2处于状态,输出电压Uo为伏。52、BJT工作在截止区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。53、结型场效应管输入回路PN结处于状态，因此它的输入电阻比双极型三极管的输入电阻。54、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区，即：、、；要使三极管工作在放大区必须给发射结加，集电结加。55、测得工作在放大电路中的晶体管三个电极电位321,,UUU分别为，VUVUVU12,3.11,6321，则此管是型三极管，材料为。56、理想运放有“虚短”即指和“虚断”即指两个重要特性，“虚地”是的特殊情况。57、二极管最主要的特性是。58、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数、。59、在室温下，某三极管的ICBO=8µA，=70，穿透电流为mA。另一只三极管的电流值：IB=20A时IC=1.18mA、IB=80A时IC=4.78mA，该管的=。60、整流二极管的整流作用是利用PN结的特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的特性。三、判断题：61、运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。（）62、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）63、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（）64、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。（）65、本征半导体不带电，P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）66、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）67、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）68、BJT的值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是值越大越好。（）69、发射结处于反偏的BJT，它一定工作在截止区。（）70、BJT是由两个PN结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT使用。（）71、BJT的输入电阻rbe是对交流而言的一个动态电阻，在小信号情况下为常数。（）72、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（）73、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）74、处于放大状态的晶体管其基极电流同场效应管的栅极电流差不多。（）75、三极管是双极型管，属于电流控制器件；场效应管是单极性管，属于电压控制器件。（）76、在运放电路中，闭环增益Àf是指广义的放大倍数。（）77、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）78、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的基础上增加1倍，它的两端压降也增加1倍。（）79、双极型晶体管和场效应管都是电流控制型器件。（）80、处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号运算时，两个输入端对地的直流电阻必须相等，才能防止输入偏置电流带来误差。（）图3四、分析作图题：83、画出图中各电路的u0波形。设ui=10sinωt(V),且二极管具有理想特性。10KΩ84、电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。10KΩDuiRuo2uiDR10KΩuo1+10V)-5V分析作图题答案：83、解：每个波形如下：84、解:解题要点：（1）UZ=(0—3V时，稳压管反向偏置，但没有击穿，所以UO=0V,UZ3V时，稳压管反向击穿，工作在稳压状态，它的阴极比阳极高出3V电压。如下图所示。（2）UZ=(0—3V)时，稳压管反向偏置，但没有击穿，所以UO=UZ，UZ3V时，稳压管反向击穿，工作在稳压状态，它的阴极比阳极高出3V电压。UO=3V。如下图所示。tttuiu01u02