光通讯基础知识讲座

光通讯基础知识讲座---光器件内容提要：1.通讯光纤2.半导体激光器3.半导体探测器4.半导体器件的安全使用发射机接收机LDPDFIBERFIBEREDFA武汉*光谷创造的十个国内第一：1.第一米光纤2.第一根光缆3.第一只实用化半导体激光器3.第一只实用化半导体探测器4.第一台光端机6.第一条光通讯实验系统（8M）7.第一条多模长距离光通讯系统（34M）8.第一条单模长距离光通讯系统（155M）9.第一只半导体放大器10.第一只AlGaInAsBHLD光纤*激光器*探测器（dB/Km)光存储光医疗光放大光通讯光纤分类光纤多模（50/125；0.2)单模(9/125;0.11)光纤基本参数1.数值孔径:NA2.传输损耗:=吸+散+L3.传输色散:D=DM+DW半导体激光器半导体激光器的优点：1.光电转换效率高2.波长覆盖范围宽3.工作寿命长4.体积小，重量轻LDFPDFBRWGBHRWGBHInGaAsP/InPAlGaInAs/InPInGaAsP/InPInGaAsP/InP/AlInAsInGaAsP/InPAlGaInAs/InPAlGaInAs/InPInGaAsP/InP/AlInAsInGaAsP/InP激光器分类1310nm1550nm两种结构的剖析EORWGDC-PBH半导体激光器的基本特性(纵模)DFB-LDFP-LDDFBLD的光栅半导体激光器的基本特性(P-I-V-T)05000100001500020000250000102030405060701-4-601-4-701-4-801-4-901-4-1001-4-1101-4-120uwmA1-4-25P-I-VP-I-TDFB激光器的基本特性(-I)老化时间编号Ith（mA）Po(mW)编号Ith（mA）Po(mW)Po(mW)Ith+20mAIth+20mA25mA0h14.85.74255.545.542h55.945.25.825.7718h5.25.775.45.475.3884h5.25.745.45.475.37108h5.45.815.45.455.36132h5.25.785.45.55.41174h5.25.825.45.555.45240h5.25.85.45.525.42288h5.25.855.45.555.46332h5.25.765.45.485.39421h5.25.935.45.615.51器件性能(老化特性）探测器的种类PD可见光长波长平面台面InGaAs/InPPIN光电二极管SiNxAR涂层p-InGaAsInGaAs吸收层P电极接触InPn-InPSiO2SI-InP衬底台面PIN结构剖面图入射光N电极接触PD的内部结构OEPD的主要光电参数1.响应度:R~/hυ对于设计良好的光电二极管效率可达100%。响应度与波长成正比。PD的主要光电参数2.响应时间：光电二极管的响应时间与载流子渡越速度和扩散速度有关。由于带宽参数要求很薄的耗尽区，同时响应度又意味着耗尽区要足够宽以便吸收最多的光能，因此同时优化响应度和响应速度时，会经常出现冲突。PD的主要光电参数3.线性度在宽功率和频率范围，保持良好的线性，是模拟通信：CATV和CDMA对探测器的基本要求。4.灵敏度—信噪比灵敏度用来衡量探测器检测小功率信号能力的参数。灵敏度与信噪比有关，而信噪比又受响应度和电路噪声的影响。半导体器件加工设备MOCVD半导体器件加工设备光刻机半导体器件加工设备RIE/PECVD半导体器件加工设备溅射机半导体器件加工设备封帽机LDTO的内部结构LD工艺流程（BH-DFB）1MOCVD光栅2MOCVD1光刻3MOCVD1RIEPECVD2腐蚀4MOCVD2光刻3腐蚀PECVD3光刻4腐蚀4光刻1溅射LIFT/OFF减薄2溅射1检测划片镀膜2检测划片贴片金丝焊3检测4老化封帽5检测LD-TO-CAN检测半导体器件的安全使用常识1.关于正向浪涌2.静电对半导体器件的影响3.半导体激光对人身安全的影响产品编码产品编码规则