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PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition等离子体增强化学气相沉积•化学气相沉积是通过化学反应方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。•简单来说就是:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到基片表面上。CVD定义•常压化学气相沉积(atmosphericpressurechemicalvapordeposition,APCVD)•低压化学气相沉积(lowpressurechemicalvapordeposition,LPCVD)•等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition,PECVD)•有机金属化学气相沉积(metalorganicchemicalvapordeposition,MOCVD)•激光化学气相沉积(laserchemicalvapordeposition,LCVD)CVD分类PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。等离子体:气体在一定条件下受到高能激发,发生电离,部分外层电子脱离原子核,形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态,这种形态就称为等离子态。PECVD定义PECVD原理等离子体增强化学气相沉积在低真空的条件下,利用硅烷气体、氮气(或氨气)和氧化亚氮,通过射频电场而产生辉光放电形成等离子体,以增强化学反应,从而降低沉积温度,可以在常温至350℃条件下,沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅及非晶硅膜等。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性很高的各种化学基团,因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围,使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温实现。一般说来,采用PECVD技术制备薄膜材料时,薄膜的生长主要包含以下三个基本过程:(一)在非平衡等离子体中,电子与反应气体发生初级反应,使得反应气体发生分解,形成离子和活性基团的混合物;(二)各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运,同时发生各反应物之间的次级反应;(三)到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应,同时伴随有气相分子物的再放出。PECVD的特点PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化(450℃)。因此带来的好处:节省能源,降低成本提高产能减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减PVD定义物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)技术表示在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有,真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜,及分子束外延等。发展到目前,物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤:•(1)镀料的气化:即使镀料蒸发,异华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。•(2)镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。•(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。TCO•TCO(Transparentconductingoxide)玻璃,即透明导电氧化物镀膜玻璃,是在平板玻璃表面通过物理或者化学镀膜的方法均匀镀上一层透明的导电氧化物薄膜,主要包括In、Sn、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。•TCO玻璃首先被应用于平板显示器中,现在ITO类型的导电玻璃仍是平板显示器行业的主流玻璃电极产品。近几年,晶体硅价格的上涨极大地推动了薄膜太阳能电池的发展,目前薄膜太阳能电池占世界光伏市场份额已超过10%,光伏用TCO玻璃作为电池前电极的必要构件,市场需求迅速增长,成为了一个炙手可热的高科技镀膜玻璃产品。TCO镀膜玻璃的特性及种类•在太阳能电池中,晶体硅片类电池的电极是焊接在硅片表面的导线,前盖板玻璃仅需达到高透光率就可以了。薄膜太阳能电池是在玻璃表面的导电薄膜上镀制p-i-n半导体膜,再镀制背电极。•透明导电氧化物的镀膜原料和工艺很多,通过科学研究进行不断的筛选,目前主要有以下三种TCO玻璃与光伏电池的性能要求相匹配。ITO•ITO(IndiumTinOxide)镀膜玻璃是一种非常成熟的产品,具有透过率高,膜层牢固,导电性好等特点,初期曾应用于光伏电池的前电极。但随着光吸收性能要求的提高,TCO玻璃必须具备提高光散射的能力,而ITO镀膜很难做到这一点,并且激光刻蚀性能也较差。铟为稀有元素,在自然界中贮存量少,价格较高。ITO应用于太阳能电池时在等离子体中不够稳定,因此目前ITO镀膜已非光伏电池主流的电极玻璃。FTO•掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(SnO2:F)也简称FTO,目前主要是用于生产建筑用Low-E玻璃。其导电性能比ITO略差,但具有成本相对较低,激光刻蚀容易,光学性能适宜等优点。通过对普通Low-E的生产技术进行升级改进,制造出了导电性比普通Low-E好。利用这一技术生产的TCO玻璃已经成为薄膜光伏电池的主流产品。ZnO•氧化锌基薄膜的研究进展迅速,材料性能已可与ITO相比拟,结构为六方纤锌矿型。其中铝掺杂的氧化锌薄膜研究较为广泛,它的突出优势是原料易得,制造成本低廉,无毒,易于实现掺杂,且在等离子体中稳定性好。预计会很快成为新型的光伏TCO产品。目前主要存在的问题是工业化大面积镀膜时的技术问题。
本文标题:PECVD沉积
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