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第1章半导体分离元件的识别与检测第1章半导体分离元件的识别与检测主讲:向冬1.1.1二极管2006年9月目录第1章半导体分离元件的识别与检测小节目标本小节学习目标:1、了解半导体分离元件的构成2、能认识二极管、三极管的外形和引脚极性3、能识别中、美、日、韩、以及国际电子联合会(欧共体)等不同的半导体器件4、掌握二极管、三极管的检测方法第1章半导体分离元件的识别与检测课堂目标本节课的学习目标:1、了解二极管的构成2、能认识二极管的外形和引脚极性3、能在电路板上辨认出二极管元件4、掌握中、美、日三国的半导体器件的命名方法第1章半导体分离元件的识别与检测1.2.1半导体二极管的认识什么叫半导体二极管?由一个PN结组成的半导体元件就叫半导体二极管。半导体二极管也称晶体二极管,简称二极管。二极管具有单向导电性(即给它加正向电压时导通,给它加反向电压时截止)。可用于整流、检波、稳压、开关及混频电路中。1.二极管的外形二极管的外形见图1-11。第1章半导体分离元件的识别与检测外形第1章半导体分离元件的识别与检测分类及符号2.二极管的分类及符号(1)按材料分二极管按材料可以分为锗管和硅管两大类。两者性能区别在于:锗管正向压降比硅管小(锗管为0.3V左右,硅管为0.6V左右),锗管的反向漏电流比硅管大(锗管约为几百微安,硅管小于1微安);锗管的PN结可以承受的温度比硅管低(锗管约为100度,硅管约为200度)。故硅管比锗管质量好。分类及符号第1章半导体分离元件的识别与检测按用途分(2)按用途分二极管按用途不同可以分为普通二极管和特殊二极管。普通二极管包括检波二极管、整流二极管、开关二极管、稳压二极管;特殊二极管包括变容二极管、光电二极管、发光二极管。在电路中用字母“V、VD”或“D”表示。常用二极管的符号如图1-10所示。图1-10常见二极管的二极管的符号(a)普通二极管符号(b)稳压二极管符号(c)发光二极管符号(d)光敏二极管符号(e)变容二极管符号。箭头所指的方向为负极;在元件实物上,有标记的一端为负极。第1章半导体分离元件的识别与检测负极负极负极负极第1章半导体分离元件的识别与检测实物认识二极管实物认识按上述二极管的极性认识方法在电路板上找出二极管第1章半导体分离元件的识别与检测3.二极管与三极管的型号命名根据中国国半GB249-1974规定,半导体二极管的型号由五部分组成:国产半导体命名方法:型号命名第1章半导体分离元件的识别与检测表1-11A中国半导体分立器件型号命名方法第一部分第二部分第三部分四部分五部分用数字表示电极数用字母表示器件的材料和极性用字母表示器件的类别序号字母表示规格符号意义符号意义符号意义符号意义一位或多位数字ABCD…2二极管ABCDN型,锗材料P型,锗材料N型,硅材料P型,硅材料PVWCZLSNUKXG普通管微波管稳压管参量管整流管整流管隧道管阻尼管光电器件开关管低频小功率管高频小功率管DATYBJCSBTFHJG低频大功率管高频大功率管可控硅体效应器件雪崩管阶跃恢复管场效应管半导体特殊件复合管激光器件3三极管ABCDEPNP型,锗材料NPN型,锗材料PNP型,硅材料NPN型,硅材料化合物材料中国第1章半导体分离元件的识别与检测欧法国际电子联合会半导体命名方法由四部分组成第1章半导体分离元件的识别与检测表1-11B国际电子联合会半导体命名方法:欧盟第一部分第二部分第三部分四部分字母表示材料和极性用字母表示类型及主要特征数字或字母表示登记号用字母表示分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义ABCDR锗材料硅材料砷化镓锑化铟复合材料ABCDEFGKLM检波,开关,混频变容二极管低频小功率管低频大功率管隧道管高频小功率管复合管及其他器件开放磁路中的霍尔元件高频大功率三极管封闭磁路中的霍尔元件HPQRSTUXYZ磁敏二极管光敏器件发光器件小功率可控硅小功率开关管大功率可控硅大功率开关管倍增二极管整流二极管齐纳二极管三位数字通用器件登记序号ABCDE..同一型号的分档一个字母加两位数字专用器件登记序号第1章半导体分离元件的识别与检测美法美国半导体器件型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用字母“J”表示用途的类别民用的无标志用数字表示PN结数1二极管2三极管3三个PN结的器件EIA注册标志用字母N表示EIA登记序号四位数字用字母表示器件分档第1章半导体分离元件的识别与检测表1-11C美国电子工业协会(EIA)半导体器件型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用J表示用途类别用数字表示PN结数目EIA注册标志EIA登记序号用字母表示器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义JAN或J军用123…n二极管三极管3个PN结n个PN结N表示该器件已在EIA登记多位数字表示该器件在EIA的登记序号ABCD…同一型号的分档无民用美国第1章半导体分离元件的识别与检测日法日本半导体器件型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示PN结数目1二极管2三极管3三个PN结的器件EIA注册标志用字母S表示字母表示器件的极性及类型ABCDEIA登记序号两位以上的数字用字母表示器件分档第1章半导体分离元件的识别与检测第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示类型或PN结数目表示在EIAJ注册字母表示器件的极性及类型EIAJ登记序号用字母表示器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义012…n光电(光敏)二极管三极管及其组合管二极管三极管或具有两个PN结的晶体管具有n个PN结的晶体管S表示该器件已在日本电子工业协会(EIAJ)登记ABCDFGHJKMPNP高频管PNP低频管NPN高频管NPN低频管P控制极可控硅N控制极可控硅N基极单结晶体管P沟场效应管N沟场效应管双向可控硅两位以上的整数表示该器件在EIAJ的登记序号ABCD…同一型号的分档日本表1-11D日本半导体器件型号命名方法第1章半导体分离元件的识别与检测4.二极管的主要参数反映二极管性能的参数较多,且不同类型二极管的主要参数和种类也不一样,下面以普通二极管为例,介绍几个主要参数。(1)最大整流电流IF(IM)在正常工作的情况下,二极管允许通过的最大正向平均电流称最大整流电流IF,使用时二极管的平均电流不能超过这个数值。参数第1章半导体分离元件的识别与检测(2)最高反向电压URM加在二极管两端,而不致引起PN结击穿的最大反向电压称最高反向电压URM,工作电压仅为击穿电压的1/2~1/3,工作电压的峰值不能超过URM。(3)最大反向电流IRM因载流子的漂移作用,二极管截止时仍有反向电流渡过PN结,该电流受温度及反向电压的影响。IRM越小,二极管质量越好。(4)最高工作频率FT最高工作频率指二极管正常工作时的最高频率,若信号频率超过此值,管子的单向导电性将变坏第1章半导体分离元件的识别与检测名称原理特性及用途整流二极管多用硅半导体制成,利用PN结单向导电性把交流变成脉动直流,即整流。检波二极管常用点接触式,高频特性好,把调制在高频电磁波上的低频信号检出来。即解调。稳压二极管稳压限幅,过载保护,广泛用于稳压电源装置中。开关二极管利用二极管的单向导电性在电路中对电流进行控制,起到接通或关断的开关作用。变容二极管利用PN结电容随加到管子上的反向电压大小而变化的特性在调谐电路中取代可变电容。发光二极管正向电压为1.5-3V时,只要正向电流通过,就可以发光。用于指示,或LED数码管。光电二极管将光信号转换成电信号,有光照时其反向电流随光照强度的增加而正比上升,用于光的测量或作为能源即光电池。5.常用的二极管5.常用的二极管表1-12常用二极管的特性及用途第1章半导体分离元件的识别与检测6.二极管的简易测试(1)极性识别方法常用二极管的外壳上均印有型号和二极管符号,箭头所指的方向为阴极。有的二极管是一个色点或色环,有色的一端为负极。如图1-11所示。测试(1)第1章半导体分离元件的识别与检测(2)检测方法单向导电性的检测与极性判别:指针表用欧姆档R×1测量二极管的正向电阻约10~30Ω左右;(黑棒正极、红棒负极)。用R×10K档测量反向电阻(红棒正极、黑棒负极)正常的应为∞。数字表用二极管档测量,正向电压为:锗管0.3V左右;硅管0.6V左右(红棒正极、黑棒负极),反向为“1”。则表明二极管性能良好。正向电阻过大,反向电阻过小,表明二极管单向导电性不佳,不宜使用。正、反向电阻为无限大,表明二极管断路。正、反向电阻都小甚至为零,表明二极管短路。(2)第1章半导体分离元件的识别与检测7.二极管的选用(1)类型选择按照用途选择二极管的类型。如用作检波可以选择点接触式普通二极管;用作整流可以选择面接触型普通二极管或整流二极管;如用作光电转换可以选用光电二极管;在开关电路中应使用开关二极管等。(2)参数选择用在电源电路中的整流二极管,通常考虑二个参数,即最大整流电流IF和最高反向电压与URM。在选择的时候应适当留有余量。选用第1章半导体分离元件的识别与检测(3)材料选择选择硅管还是锗管,可以按照以下原则决定:要求正向压降小的选锗管;要求反向电流小的选择硅管;要求反向电压高,耐高压的选择硅管。第1章半导体分离元件的识别与检测结束第1章半导体分离元件的识别与检测
本文标题:二极管课件1
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