整流桥原理分析

第一部分、概念及原理•1，二极管的概念•2，何为整流，为何整流。（特殊场合要特定的电压。）•3，整流桥的原理。•4，整流桥的应用。一、二极管的概念二、二极管的特性•三、二级管的用途四、二极管整流五、整流桥单相桥是有4个二极管组合，其结构如下图：六、单相整流桥的整流电路七、直流稳压电源八、开关电源应用一、整流桥的主要注意：第二部分整流桥市场二、应用市场1，小电流0.5A~4A2、普通电流6A~25A3、大电流35A~800A三、行业市场分析1，工业领域的竞争品牌三菱富士SanRexVISHAYSemikronIXYSIRMICROSEM工业领域1.1各品牌的大致情况1.1.1Semikron–电力电子行业1951年成立于德国总部位于纽伦堡第三代家族式企业全球拥有3200名员工，全球拥有35家分公司在德国、巴西、中国、法国、意大利、韩国、斯洛伐克、南非和美国设有生产基地电力电子系统、标准功率半导体及定制解决方案和系统比较厉害。主要产品涉及：IGBT模块、MOSFET模块、可控硅及二极管模块、分立器件、驱动器、散热器等附件。Semikron整流模块主要市场：商用电磁炉、工业控制电源网址：三社–半导体器件1933年四方幸夫创办个人经营的三社电机公司，着手生产放映机光源用〈扼流线圈·自耦变压器〉。目前国内办事点：2001三社电电机（上海）有限公司在中国上海成立；2004北京事务所。2006年佛山市顺德区三社电机有限公司的新工厂开始运转。功率器件主要涉及产品：可控硅、IGBT、GTR、整流模块。三社模块主要市场：商用空调、商用电磁炉、变频器三社网址：公司是世界著名的半导体厂家,成立于1983年,总部设于加利福尼亚州，一家在美国纳斯达上市的公司。拥有1000多个科技人才在全球范围内的9个部门。主要产品：致MOSFET,IGBT,可控硅、二极管，整流桥，快速二极管，肖特基，电源管理IC等。IXYS的产品以高靠性和大功率为业界所推崇（IXYS还提供了太阳能/风的能量转换的功率半导体和引入第一的太阳能电池）IXYS先后收购了WESTCODE,DEI,CLARE.MWT等公司，产品扩充到大功率的盘状可控硅二极管，压接式IGBT,固态继电器，电源管理IC，RFMOSFET及其驱动等IXYS模块主要市场：电信通讯电源、工业控制、医疗器械、变频器等网址：–功率器件2，家电行业竞争品牌家电行业新电源乐山固锝扬杰强茂SEP(台湾长虹)深科电子美高森美2.1.1sindengen-电源行业1949年，小田孝次郎成立sindengen工业，一直致力于功率半导体以及开关电源等功率电子领域。sindengen全球员工大约有6140人。sindengen主要涉及产品：整流桥、AC-DC、DC-DC、控制模块、快恢复二极管、电路组件等sindengen整流桥主要市场：开关电源、变频家用行业等网址：乐山无线电—半导体乐山无线电，创建于1970年，乐山无线电股份有限公司及其合资企业是中国最大的分立半导体器件制造基地。LRC产品主要涉及：二极管、晶体管、集成电路、整流桥。LRC整流桥主要市场：开关电源、家电。网址：第三部分美高森美整流桥3.1公司简介：美国美高森美集团在宇航、医疗及军工等高可靠性应用领域出众且独特的芯片制造工艺技术。公司主要生产高可靠性大功率玻璃钝化整流二极管芯片（GPP）、整流桥（BRIDGE）、高压硅堆、模块及其它半导体器件和芯片，产品达到美国军用/航空二极管标准，主要出口美国、广泛应用于移动通信、计算机及周边设备、医疗器械、汽车、卫星、通讯及军用/航天等领域。3.2产品组成晶圆部分产品部分3.3整流桥内部工艺：钝化保护技术星级芯片结构工艺技术扩散片(OpenJunction)扩散+硅橡胶保护台面腐蚀+沟槽玻璃钝化台面腐蚀+SIPOS保护层+沟槽玻璃钝化质量等级低质量低质量中等质量中等偏上P+NN+P+N+P+NN+P+NN+NN+P+3.3.1Microsemi的5星级钝化保护技术P+NN+氮化硅保护层=氮化硅&玻璃钝化（Microsemi在所有高可靠性产品中均采用此技术）工艺技术:台面腐蚀+氮化硅保护层+沟槽玻璃钝化质量等级:最高质量等级3.4SMSC模块新设计的双沟槽玻璃钝化保护芯片真空烧结，空洞率2.5%。X-Ray全扫描，彻底保证焊接层质量。TypeFrameRemarkMT3516A采用新型铝基覆铜板（AluminiumCopperCladLaminate）结构，芯片直接焊在铝基覆铜板上，桥堆工作时，芯片通电所产生的热量直接由铝基板迅速传给散热器。因此大大降低了桥堆自身的壳温，从而提高了桥堆的实际工作效率和可靠性及使用寿命。MT3516采用铝底胶壳结构，芯片通电所产生的热量需要通过胶壳传递到底部铝板，然后再通过散热器进行散热。因为胶壳传热而增加了产品热阻，从而降低了产品的工作效率。3.5方桥-新型铝基覆铜板结构3.6Microsemi高可靠性试验试验项目试验条件高温存放(HTSL)Ta=150℃,T=48H,Nobias高低温循环(TCT)HOTTa=TvjmT=30mins,COLDTa=TvjlT=30mins,TRANSFERRING≤10secs,Cycles=10高压蒸煮(PCT)(塑封产品)15P.S.I@121℃,T=48H高温反偏(HTRB)Tj=150℃,VBR=80%VRRM,T=96H（一般产品60%）功率老化(OP-Life)Ton=Toff=5minutes,orTon=FromTj=25+/-5℃toTj=150+0/-10℃,Toff=FromTj=150+0/-10℃toTj=25+/-5℃3.7美高森美整流桥型号识别IH:封装形式(GBPC)D~M:200V~1000VS:可能：M、D等谢谢