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第十章工艺集成1(厚薄膜集成电路工艺原理)厚膜混合集成电路第十章工艺集成2大纲第一章前言第二章晶体生长第三章实验室净化及硅片清洗第四章光刻第五章热氧化第六章热扩散第七章离子注入第八章薄膜淀积第九章刻蚀第十章工艺集成第十章工艺集成3第十章工艺集成4第十章工艺集成5第十章工艺集成6第十章工艺集成7第十章工艺集成8第十章工艺集成9第十章工艺集成10第十章工艺集成11第十章工艺集成12第十章工艺集成13第十章工艺集成14第十章工艺集成15第十章工艺集成16第十章工艺集成17第十章工艺集成18第十章工艺集成19第十章工艺集成20第十章工艺集成21第十章工艺集成22STI(ShallowTrenchInsulation)—浅沟槽隔离LOCOS可用于技术节点0.35-0.5mm;0.35mm必须使用STI1)硅片清洗2)垫底氧化(20nm)第十章工艺集成233)LPCVD氮化硅(100nm)4)隔离区光刻5)浅沟槽刻蚀(0.5mm)第十章工艺集成246)热生长氧化硅阻挡层(20nm)7)场区沟道阻断注入8)CVD氧化硅充填沟槽第十章工艺集成259)CMP平坦化10)刻蚀氮化硅+退火致密化CVD氧化硅第十章工艺集成26第十章工艺集成27第十章工艺集成28第十章工艺集成29第十章工艺集成30第十章工艺集成31第十章工艺集成32第十章工艺集成33第十章工艺集成34第十章工艺集成35第十章工艺集成36
本文标题:工艺集成10
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