滤波器双工器简介

滤波器双工器2016-5-31HuangBingjun•1.微波滤波器概述•2.滤波器理论基础•3.不同种类滤波器特点•4.FBAR和其它滤波器的对比•5.双工器基本原理与相关指标•6.微波滤波器双工器厂家•7.双工器Layout注意事项1.微波滤波器概述◆微波滤波器是微波系统中重要元件之一，它是一种对频率具有选择性的二端口网络，用来分离或者组合各种不同频率信号的重要元件。主要作用是抑制不需要的信号,使其不能通过滤波器,只让需要的信号通过。◆微波滤波器的分类方法很多，根据通频带的不同，微波滤波器可分为低通、带通、带阻、高通滤波器；按滤波器的插入衰减地频响特性可分为最平坦型和等波纹型；◆按材料分：基于分立电感(L)和电容(C)的集总元件滤波器、晶体滤波器、陶瓷滤波器、腔体滤波器、声表面波(SAW)滤波器、体声波(BAW)滤波器、薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器、微机电系统(MEMS)滤波器甚至有源的半导体可调滤波器。◆从功能方面，滤波器一般分为：低通滤波器、带通滤波器、高通滤波器、带阻滤波器、延时滤波器等；◆对于带通滤波器，其主要性能指标有：a）通带频率；b)插入损耗；c)回波损耗；d)通带波纹;e)带外抑制；f)功率容量。滤波器端口1端口2◆从实现形式，微波滤波器主要有：微带滤波器，波导腔体滤波器、介质滤波器等。同轴腔体滤波器梳妆线滤波器波导滤波器介质滤波器2.滤波器理论基础NcloadincLRkPPP22)(1最平坦型（Butterworth）:通带内插损和带外抑制(-dB,图中，k=0.3,1;N=5))log(*10LRP等波纹型（Chebyshev）)/(122cNLRTkP通带内插损和带外抑制(-dB,图中，k=0.3,1;N=5)两种响应的比较椭圆函数型（EllipticFunction）:evenNCoddNCCNNNNpppzzzpppzzzN,)())(()())((,)())(()())(()(22222212222222120222222122222221202/2/2/)1(2/)1(其中椭圆函数：)(122NLRCkP椭圆函数滤波器:（N=6,ripple=0.5dB）3.不同种类滤波器特点◆集总元件或LC滤波器通常工作于频率约3GHz以下的应用。这些滤波器的尺寸取决于工作频率和LC元件的尺寸。◆陶瓷滤波器是在很薄的陶瓷基板上制造的，使用分立型或集成式元件组成谐振电路。根据陶瓷基板的介电常数。陶瓷滤波器可以做得特别小，介电常数越高的材料可以做出越小的滤波器。使用批量生产方法可以使成本做得很低，也能把尺寸做小。陶瓷滤波器工作频率受限于约6GHz，功率电平受限于约5W，但非常适合做成要求小尺寸的带通和带阻滤波器。◆腔体滤波器可以处理高达约500W的功率电平，并具有突出的插损性能。腔体滤波器的工作频率可以高达约30GHz。与LC和陶瓷滤波器相比，它们的体积较大，价格也较贵，因为它们一般是从铝块加工而成的。◆螺旋式滤波器由一系列磁性耦合腔体组成，也属于LC滤波器，同样受限于仅通带格式下的约3GHz频率。虽然比传统的LC滤波器具有更陡峭的响应，但输入功率受限于约5W。◆SAW、BAW和FBAR滤波器采用半导体制造技术制造，使用光蚀刻工艺产生精细图案，而MEMS滤波器采用这些工艺形成三维结构。所有这些滤波器都可以小至2x2mm，虽然在电源处理能力方面有所限制。SAW、BAW和FBAR滤波器通常用于蜂窝通信手机，工作频率最高约为3GHz。MEMS滤波器的工作频率有可能做到18GHz以上。◆fbar滤波器是filmbulkacousticresonator滤波器的简称，译为薄膜腔声谐振滤波器，基本结构：◆FBAR由Agilent(Avago前身）在1999年率先研发出来并在美国PCS频段商用，FBAR具有体积小、工作频率高、效率高、插入损耗低、带外抑制大、高Q、大功率容量、低温度系数以及良好的抗静电冲击能力和半导体工艺兼容性等优点。利用FBAR技术可以制作滤波器、振荡器、双工器等多种高性能频率器件。FBAR的主要应用PCS,CDMA和W-CDMA，LTE用射频滤波器，FBAR振荡器等。在手机滤波器，双工器，射频前端及PGS接收前端模块已大量使用。4.FBAR和其它滤波器的对比5.双工器基本原理与相关指标●基本概念双工器是异频双工电台，中继台的主要配件，其作用是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作.它是由两组不同频率的阻带滤波器组成，避免本机发射信号传输到接收机。一般双工器由六个阻带滤波器（陷波器）组成，各谐振于发射和接收频率。接收端滤波器谐振于发射频率，并防指发射功率串入接收机，发射端滤波器谐振于接收频率。●双工器是由两个滤波器组成的单元,是三端口网络。超过三端口的多端口网络为多工器。滤波器1端口1端口2滤波器2端口3●双工器的指标•a工作频率及带宽•b隔离度•c插入损耗•d频率稳定度•e特性阻抗，最大输入功率•f驻波比•g回波损耗a、工作频率及带宽双工器的工作频率范围应当不窄于应用对象本身的工作频率范围。通常我们所说的带宽，是指无线电话机配上双工器后接收机的输入带宽和发射机的输出带宽。对于双工器来讲，即是两个等效带阻滤波器的阻带带宽，而不是取决于通带带宽。从其频率响应曲线上看，即是两个阻带在一定衰减量时的频率范围b、隔离度隔离度双工器的隔离度是指两个等效带阻滤波器的阻带衰减量，除一些特定的场合外，一般双工器的接收通道和发射通道中的阻带的衰减量，也即双工器的接收端和发射端至天线端的隔离度相当的。c、插入损耗双工器的插入损耗是指对应于通道中，通带频点对有用信号的损耗。可用公式：１０ＬｇＰｉ/Ｐｏ或２０ＬｇＵｉ/Ｕｏ来表示。其中Ｐｉ、Ｕｉ表示进入双工器的信号功率或电平；Ｐｏ、Ｕｏ表示从双工器出来的信号功率或电平。d、频率稳定度双工器的频率稳定度应包括两个含义：一是本身结构的稳定性，使其分布参数具有一定的稳定度；二是其温度稳定性。e、特性阻抗、最大输入功率最大输入功率是一个双工器所能承受的最大的输入功率，是双工器的一个使用安全性指标。无线电话机的天线输入阻抗和发射机的输出阻抗均为５０Ω，因而要求双工器的阻抗也应为５０Ω。f驻波比电压驻波比：指驻波波腹电压与波节电压幅度之比，又称为驻波系数、驻波比。驻波比等于1时，表示馈线和天线的阻抗完全匹配，此时高频能量全部被天线辐射出去，没有能量的反射损耗；驻波比为无穷大时，表示全反射，能量完全没有辐射出去。终端负载阻抗ZL和特性阻抗Z0越接近，反射系数R越小，驻波比VSWR越接近于1，匹配也就好。•VSWR=（1+|Γ|）/（1-|Γ|）；•其中Γ=（Z-Z0）/（Z+Z0）•VSWR：输入输出电压驻波比Γ：反射系数•Z：输入或输出端的实际阻抗•Z0：需要的系统阻抗,一般为50ohmg回波损耗•回波损耗，又称为反射损耗。是电缆链路由于阻抗不匹配所产生的反射，是一对线自身的反射。不匹配主要发生在连接器的地方，但也可能发生于电缆中特性阻抗发生变化的地方。回波损耗是传输线端口的反射波功率与入射波功率之比，以对数形式来表示，单位是dB：RL=-10lg[(反射功率)/(入射功率)]=-20lg[(VSWR+1)/(VSWR-1)]例如，如果注入1mW(0dBm)功率给放大器其中10%被反射(反弹)回来，回波损耗就是10dB。0%反射即没有反射的VSWR为1，对应的RL约为40dB,在实际中是不可能的，所以VSWR要越小接近1越好。RL在10dB和40dB之间说明功率反射小于10%，RL小于10dB说明功率反射超过了10%.6.微波滤波器双工器厂家Broadcom(Avago),Qorvo(RFMD+Triqunit)Skyworks,Murata,TDK(Epcos)7.双工器Layout注意事项•因为频分复用FDD，TX/RX会同时运作，所以需要Duplexer来做Tx/Rx的隔离，来降低PA所产生的TXLeakage，对接收端的损害，如下图:倘若接收讯号被发射讯号干扰，甚至LNA因强大的发射讯号，而导致饱和的话，那么SensitivityAdjacentChannelSelectivityMaxinputpowerlevelBlocking都会有所劣化，甚至Fail。也因此，Duplexer三方都要做好隔离，如下图:而隔离的好坏，取决两个因素:1.Duplexer本身的isolation2.Layout关于第一点，当然Duplexer有许多指标要看，例如Size,Cost,InsertionLoss,VSWR….等。但Isolation最是重要，若Isolation太差，那其他指标再好都没意义。而Layout的不好，又分走线耦合跟Pin耦合，以Murata的SAYRF1G95HQ0F0A来做说明:由上图可看到，因为TxPin跟RxPin在相反方向，原则上走线耦合的机会不大，比较可能的是ANT走线耦合Rx走线,以及Tx走线耦合ANT走线:因此走线时，要相互分开，以加强隔离度再来是Pin耦合，若Duplexer下方的GND挖空，那Pin之间没有护城河保护，就会产生下图的Pin耦合现象:因为这些GNDPin若没接地，基本上就只是金属罢了，TxPin/AntPin会以耦合的方式去干扰RxPin。因此GNDPin要连起来特别注意的是，不要忽略那句”多打Via”由上图可知，GNDPin没接地，基本上就只是金属，若没打Via，就算GNDPin连起来，ANTPin一样可以透过耦合的方式去干扰RxPin，而且GNDVia要打越多越好，因为Via有等效电阻，Via打越多，等同于越多电阻并联，而电阻是越并越小，换言之，Via越多，其阻抗就越低，那么Noise就越会流到MainGND，而不会去干扰RxPin。所以Duplexer的Layout正确方式应该如下图:而且这样的Layout，也可以加强散热，因为Duplexer的频率响应，是会随温度而有所变动，如果离PA过近，散热又不好，一旦高温使其频率响应有所偏移，那么很可能主频的功率，会大幅衰减。尤其是像FBAR这种Outband砍比较深的，更会有这种现象。所以Duplexer的散热，也是很重要的一个考虑另外，以AVAGO的ACMD-7612为例，中间的GNDPin直接连成一片金属。而没接地的金属，就是辐射体[2-4]，前述Murata的Duplexer，其GNDPin比较小，或许还不是什么有效的辐射体，但AVAGO这颗，GNDPin整个连成一片，很可能会变有效的辐射体，因此TX讯号会先耦合到GNDPin，再辐射到ShieldingCover。除非ShieldingCover跟ShieldingFrame接触很紧密，否则DuplexerGNDPin辐射出去的能量，会分三部份:1.流到MainGND2.向外辐射出去3.在ShieldingCan里头反射一旦这些辐射或反射的能量到Transceiver/PA的电源，那发射端的性能，也会跟着一并劣化。ThankYou!!