西北工业大学材料科学基础05-10年真题及答案[1]

12005年西北工业大学硕士研究生入学试题一、简答题（每题8分，共40分）1.请简述二元合金结晶的基本条件有哪些。2.同素异晶转变和再结晶转变都是以形核长大方式进行的，请问两者之间有何差别？3.两位错发生交割时产生的扭折和割阶有何区别？4.请简述扩散的微观机制有哪些？影响扩散的因素又有哪些？5.请简述回复的机制及其驱动力。二、计算、作图题：（共60分，每小题12分）1.在面心立方晶体中，分别画出、和、，指出哪些是滑移面、滑移方向，并就图中情况分析它们能否构成滑移系？若外力方向为[001]，请问哪些滑移系可以开动？2.请判定下列位错反应能否进行，若能够进行，请在晶胞图上做出矢量图。（1）（2）3.假设某面心立方晶体可以开动的滑移系为，请回答：（1）给出滑移位错的单位位错柏氏矢量；（2）若滑移位错为纯刃位错，请指出其位错线方向；若滑移位错为纯螺位错，其位错线方向又如何？4.若将一块铁由室温20℃加热至850℃，然后非常快地冷却到20℃，请计算处理前后空位数变化（设铁中形成1mol空位所需的能量为104675J，气体常数为8.314J/mol·K）。5.已知三元简单共晶的投影图，见附图，（1）请画出AD代表的垂直截面图及各区的相组成（已知TATD）；（2）请画出X合金平衡冷却时的冷区曲线，及各阶段相变反应。2三、综合分析题：（共50分，每小题25分）1.请对比分析加工硬化、细晶强化、弥散强化、复相强化和固溶强化的特点和机理。2.请根据所附二元共晶相图分析解答下列问题：（1）分析合金I、II的平衡结晶过程，并绘出冷却曲线；（2）说明室温下I、II的相和组织是什么？并计算出相和组织的相对含量；（3）如果希望得到共晶组织和5%的β初的合金，求该合金的成分；（4）分析在快速冷却条件下，I、II两合金获得的组织有何不同。2005年西北工业大学硕士研究生入学试题参考答案一、简答题（每题8分，共40分）1.请简述二元合金结晶的基本条件有哪些。答：热力学条件ΔG0结构条件：rr*能量条件：AΔGmax成分条件2.同素异晶转变和再结晶转变都是以形核长大方式进行的，请问两者之间有何差别？答：同素异晶转变是相变过程，该过程的某一热力学量的倒数出现不连续；再结晶转变只是晶粒的重新形成，不是相变过程。3.两位错发生交割时产生的扭折和割阶有何区别？答：位错的交割属于位错与位错之间的交互作用，其结果是在对方位错线上产生一个大小和方向等于其柏氏矢量的弯折，此弯折即被称为扭折或割阶。扭折是指交割后产生的弯折在原滑移面上，对位错的运动不产生影响，容易消失；割阶是不在原滑移面上的弯折，对位错的滑移有影响。34.请简述扩散的微观机制有哪些？影响扩散的因素又有哪些？答：置换机制：包括空位机制和直接换位与环形换位机制，其中空位机制是主要机制，直接换位与环形换位机制需要的激活能很高，只有在高温时才能出现。间隙机制：包括间隙机制和填隙机制，其中间隙机制是主要机制。影响扩散的主要因素有：温度（温度约高，扩散速度约快）；晶体结构与类型（包括致密度、固溶度、各向异性等）；晶体缺陷；化学成分（包括浓度、第三组元等）5.请简述回复的机制及其驱动力。答：低温机制：空位的消失中温机制：对应位错的滑移（重排、消失）高温机制：对应多边化（位错的滑移＋攀移）驱动力：冷变形过程中的存储能（主要是点阵畸变能）二、计算、作图题：（共60分，每小题12分）1.在面心立方晶体中，分别画出、和、，指出哪些是滑移面、滑移方向，并就图中情况分析它们能否构成滑移系？若外力方向为[001]，请问哪些滑移系可以开动？2.请判定下列位错反应能否进行，若能够进行，请在晶胞图上做出矢量图。（1）几何条件：，满足几何条件能量条件：4满足能量条件，反应可以进行。（2）几何条件：，满足几何条件能量条件：满足能量条件，反应可以进行。3.假设某面心立方晶体可以开动的滑移系为，请回答：1)给出滑移位错的单位位错柏氏矢量；2）若滑移位错为纯刃位错，请指出其位错线方向；若滑移位错为纯螺位错，其位错线方向又如何？答：（1）单位位错的柏氏矢量；（2）纯刃位错的位错线方向与b垂直，且位于滑移面上，为；纯螺位错的位错线与b平行，为[011]。4.若将一块铁由室温20℃加热至850℃，然后非常快地冷却到20℃，请计算处理前后空位数变化（设铁中形成1mol空位所需的能量为104675J）。5答：5.已知三元简单共晶的投影图，见附图，1)请画出AD代表的垂直截面图及各区的相组成（已知TATD）；2)请画出X合金平衡冷却时的冷区曲线，及各阶段相变反应。答：三、综合分析题：（共50分，每小题25分）1.请对比分析加工硬化、细晶强化、弥散强化、复相强化和固溶强化的特点和机理。答：加工硬化：是随变形使位错增殖而导致的硬化；细晶强化：是由于晶粒减小，晶粒数量增多，尺寸减小，增大了位错连续滑移的阻力导致的强化；同时由于滑移分散，也使塑性增大。该强化机制是唯一的同时增大强度和塑性的机制。弥散强化：又称时效强化。是由于细小弥散的第二相阻碍位错运动产生的强化。包括切过机制和绕过机制。复相强化：由于第二相的相对含量与基体处于同数量级是产生的强化机制。其强化程度取决于第二相的数量、尺寸、分布、形态等，且如果第二相强度低于基体则不一定能够起到强化作用。6固溶强化：由于溶质原子对位错运动产生阻碍。包括弹性交互作用（柯氏气团）、电交互作用（玲木气团）和化学交互作用。2.请根据所附二元共晶相图分析解答下列问题：1）分析合金I、II的平衡结晶过程，并绘出冷却曲线；2）说明室温下I、II的相和组织是什么？并计算出相和组织的相对含量；3）如果希望得到室温组织为共晶组织和5%的β初的合金，求该合金的成分；4）分析在快速冷却条件下，I、II两合金获得的组织有何不同。答：（1）（2）I：α初＋βII，相组成与组织组成比例相同II：β初＋（α＋β）共＋βII（忽略）7（3）设所求合金成分为x（4）I合金在快冷条件下可能得到少量的共晶组织，且呈现离异共晶的形态，合金中的βII量会减少，甚至不出现；II合金在快冷条件下β初呈树枝状，且数量减少。共晶体组织变细小，相对量增加。2006年西北工业大学硕士研究生入学试题一、简答题（每题10分，共50分）1.试从结合键的角度，分析工程材料的分类及其特点。2.位错密度有哪几种表征方式？3.陶瓷晶体相可分为哪两大类？有何共同特点？4.冷轧纯铜板，如果要求保持较高强度，应进行何种热处理？若需要继续冷轧变薄时，又应进行何种热处理？5.扩散激活能的物理意义为何？试比较置换扩散和间隙扩散的激活能的大小。二、作图计算题（每题15分，共60分）1.已知碳在γ－Fe中扩散时，D0＝2.0×10－5m2/s，Q＝1.4×105J/mol。当温度由927℃上升到1027℃时，扩散系数变化了多少倍？(气体常数R=8.314J/(mol.K))2.已知某低碳钢σ0=64KPa，K=393.7，若晶粒直径为50μm，该低碳钢的屈服强度是多少？83.试计算BCC晶体最密排面的堆积密度。（1）画出(111)晶面及单位滑移矢量和。（2）比较具有此二滑移矢量的位错的能量。4.和均位于Fcc铝的(111)晶面上，因此理论上和的滑移均是可能的。（1）画出(111)晶面及单位滑移矢量和。（2）比较具有此二滑移矢量的位错的能量。三、综合分析题（每题20分，共40分）1.试从晶界的结构特征和能量特征分析晶界的特点。2.试分析冷塑性变形对合金组织结构、力学性能、物理化学性能、体系能量的影响。2006年西北工业大学硕士研究生入学试题参考答案一、简答题（每题10分，共50分）1.试从结合键的角度，分析工程材料的分类及其特点。答：金属材料：主要以金属键为主，大多数金属强度和硬度较高，塑性较好。陶瓷材料：以共价键和离子键为主，硬、脆，不易变形，熔点高。高分子材料：分子内部以共价键为主，分子间为分子键和氢键为主。复合材料：是以上三中基本材料的人工复合物，结合键种类繁多。性能差异很大。2.位错密度有哪几种表征方式？答：有两种方式：体密度，即单位体积内的位错线长度；面密度，即垂直穿过单位面积的位错线根数。3.陶瓷晶体相可分为哪两大类？有何共同特点？答：氧化物陶瓷和硅酸盐陶瓷。特点：1.结合键主要是离子键，含有一定比例的共价键；2.有确定的成分，可以用准确的分子式表达；3.具有典型的非金属性质。94.冷轧纯铜板，如果要求保持较高强度，应进行何种热处理？若需要继续冷轧变薄时，又应进行何种热处理？答：保持较高强度则应进行低温退火，使其只发生回复，去除残余应力；要继续冷变形则应进行高温退火，使其发生再结晶，以软化组织。5.扩散激活能的物理意义为何？试比较置换扩散和间隙扩散的激活能的大小。答：扩散激活能的物理意义是原子跃迁过程中必须克服周围原子对其的阻碍，即必须克服势垒。相比而言，间隙扩散的激活能较小。二、作图计算题（每题15分，共60分）1.已知碳在γ－Fe中扩散时，D0＝2.0×10－5m2/s，Q＝1.4×105J/mol。当温度由927℃上升到1027℃时，扩散系数变化了多少倍？（R＝8.314J/(mol.K)）答：2.已知某低碳钢σ0=64KPa，K=393.7，若晶粒直径为50μm，该低碳钢的屈服强度是多少？答：由霍尔－配奇公式得：3.试计算BCC晶体最密排面的堆积密度。答：BCC密排面为｛110｝面，其面积为：｛110｝面上被原子占据的面积为（两个原子）：10堆积密度：4.和均位于Fcc铝的(111)晶面上，因此理论上和的滑移均是可能的。（1）画出(111)晶面及单位滑移矢量和。（2）比较具有此二滑移矢量的位错的能量。答：（1）（2）两位错位于同一滑移面，因此G相同，故：三、综合分析题（每题20分，共40分）1.试从晶界的结构特征和能量特征分析晶界的特点。答：晶界结构特征：原子排列比较混乱，含有大量缺陷。晶界能量特征：原子的能量较晶粒内部高，活动能量强。晶界特征：•晶界——畸变——晶界能——向低能量状态转化——晶粒长大、晶界变直——晶界面积减小•阻碍位错运动——σb↑——细晶强化•位错、空位等缺陷多——晶界扩散速度高•晶界能量高、结构复杂——容易满足固态相变的条件——固态相变首先发生地•化学稳定性差——晶界容易受腐蚀11•微量元素、杂质富集2.试分析冷塑性变形对合金组织结构、力学性能、物理化学性能、体系能量的影响。答：•组织结构：（1）形成纤维组织：晶粒沿变形方向被拉长；（2）形成位错胞；（3）晶粒转动形成变形织构。•力学性能：位错密度增大，位错相互缠绕，运动阻力增大，造成加工硬化。•物理化学性能：其变化复杂，主要对导电，导热，化学活性，化学电位等有影响。•体系能量：包括两部分：（1）因冷变形产生大量缺陷引起点阵畸变，使畸变能增大；（2）因晶粒间变形不均匀和工件各部分变形不均匀引起的微观内应力和宏观内应力。这两部分统称为存储能，其中前者为主要的。冷变形后引起的组织性能变化为合金随后的回复、再结晶作了组织和能量上的准备。2007年西北工业大学硕士研究生入学试题一、简答题（每题10分，共50分）1、请说明什么是全位错和不全位错，并请写出FCC、BCC和HCP晶体中的最短单位位错的柏氏矢量。2、已知原子半径与晶体结构有关，请问当配位数降低时，原子半径如何变化？为什么？3、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径，非均匀形核的临界形核功也等于三分之一表面能，为什么非均匀形核比均匀形核容易？4、原子的热运动如何影响扩散？5、如何区分金属的热变形和冷变形？12二、作图计算题（每题15分，共60分）1.已知某晶体在500℃时，每1010个原子中可以形成有1个空位，请问该晶体的空位形成能是多少？（已知该晶体的常数A＝0.0539，波耳滋曼常数K＝1.381×10-23J/K）2.请计算简单立方晶体中，(111)和)111(的夹角。3.请判定在FCC晶体中下列位错反应能否进行：]111[3]211[6]110[2aaa4.试画出立方晶体中的(123)晶面和]643[晶向。三、综合分析题（共40分）1.