结晶

结晶沉淀和结晶（晶体）的异同点相同：在本质上同属一种过程（固相析出）晶体：有规则无定形沉淀：无规则构成单位（原子、离子或分子）的排列方式不同条件缓慢变化时，溶质分子有足够时间排列，有利于结晶形成；条件变化剧烈，强迫快速析出，溶质分子来不及排列就析出，形成无定形沉淀。区别：1概述结晶过程：固体物质以晶体状态从蒸汽、溶液或熔融物中析出的过程。工业结晶技术作为高效的提纯、净化与控制固体特定物理形态的手段晶浆：在结晶器中结晶出来的晶体和剩余的溶液(或熔液)所构成的混悬物。母液：去除悬浮液中的晶体后剩下的溶液(或熔液)。结晶过程中，含有杂质的母液(或熔液)会以表面粘附和晶间包藏的方式夹带在固体产品中。用适当的溶剂对固体进行洗涤。结晶过程的特点：1)能从杂质含量相当多的溶液或多组分的熔融混合物中形成纯净的晶体。而用其他方法难以分离的混合物系，采用结晶分离更为有效。如同分异构体混合物、共沸物系、热敏性物系等。2)固体产品有特定的晶体结构和形态(如晶形、粒度分布等)。3)能量消耗少，操作温度低，对设备材质要求不高，三废排放少，有利于环境保护。4)结晶产品包装、运输、储存或使用都很方便。晶体结构与特性结晶过程有四类：溶液结晶、熔融结晶、沉淀结晶和升华结晶。晶体:内部结构中的质点元作三维有序规则排列的固态物质。晶体的自范性：如果晶体生长环境良好，则可形成有规则的结晶多面体（晶面）。晶体的均匀性：晶体中每一宏观质点的物理性质和化学组成以及内部晶格都相同的特性。晶体的这个特性保证了工业生产中晶体产品的高纯度。晶体结构与特性晶格：构成晶体的微观质点在晶体所占有的空间中按三维空间点阵规律排列，各质点间在力的作用下，使质点得以维持在固定的平衡位置，彼此之间保持一定距离的结构。晶形：晶体的宏观外部形状，它受结晶条件或所处的物理环境的影响比较大，对于同一种物质，即使基本晶系不变，晶形也可能不同，如六方晶体，它可以是短粗形、细长形或带有六角的薄片状，甚至旱多棱针状。七种晶系晶体按其晶格结构可分为七种晶系2结晶过程的相平衡及介稳区一、溶解度液固平衡:任何固体物质与其溶液相接触时，当溶液尚未饱和，则固体溶解；当溶液恰好达到饱和，则固体溶解与析出的量相等，此时固体与其溶液已达到相平衡。溶解度：固液相平衡时，单位质量的溶剂所能溶解的固体的质量。溶解度的其他单位有：克/升溶液、摩尔／升溶液、摩尔分数等。溶解度的影响因素：溶质及溶剂的性质、温度及压强。几种物质在水中的溶解度曲线溶解度曲线特性不同溶解度的特征对选择结晶工艺起决定性作用：溶解度随温度变化较大的物质→冷却结晶方法分离；溶解度随温度变化较小的物质→蒸发结晶法分离。溶液的过饱和与介稳区饱和溶液：浓度恰好等于溶质的溶解度，即达到固液相平衡时的溶液。过饱和溶液：含有超过饱和量的溶质的溶液。过饱和度：同一温度下，过饱和溶液与饱和溶液的浓度差。溶液的过饱和度是结晶过程的推动力。溶液的过饱和与介稳区溶液的过饱和与超溶解度曲线正溶解度特性的溶解度曲线超溶解度曲线结晶过程应尽量控制在介稳区内进行，以得到平均粒度较大的结晶产品，避免产生过多晶核而影响最终产品的粒度。稳定区不可能进行结晶介稳区不会自发地产生晶核。不稳区能自发产生晶核。3结晶过程一、结晶成核晶核:过饱和溶液中新生成的微小晶体粒子，是晶体生长过程的核心。晶核的大小粗估为数十纳米至几微米。晶胚:在晶核形成之初，快速运动的溶质质点相互碰撞结合成的线体单元，线体单元增大到一定限度后粒子。晶胚极不稳定。晶胚生长到足够大，能与溶液建立热力学平衡时称之为晶核成核方式可分为初级成核和二次成核两类。3结晶过程1．初级成核：在没有晶体存在的条件下自发产生晶核的过程。初级成核分为非均相和均相初级成核。均相初级成核：洁净的过饱和溶液进入介稳区时，还不能自发地产生晶核，只有进入不稳区后，溶液才能自发地产生晶核。这种在均相过饱和溶液中自发产生晶核的过程。非均相初级成核：在工业结晶器中发生均相初级成核的机会比较少，实际上溶液中有外来固体物质颗粒，如大气中的灰尘或其他人为引入的固体粒子，在非均相过饱和溶液中自发产生晶核的过程。这些外来杂质粒子对初级成核过程有诱导作用，非均相成核可在比均相成核更低的过饱和度下发生。3结晶过程接触成核（二次成核）：当晶体与其他固体物接触时所产生的晶体表面的碎粒。在过饱和溶液中，晶体只要与固体物进行能量很低的接触，就会产生大量的微粒。在工业结晶器中，晶体与搅拌桨、器壁间的碰撞，以及晶体与晶体之间的碰撞都有可能发生接触成核。二次成核速率的影响因素:温度、过饱和度、晶体的粒度与硬度、搅拌桨的材质等。3结晶过程二、结晶生长1、晶体生长机理在过饱和溶液中已有晶体形成（加入晶种）后，以过饱和度为推动力，溶质质点会继续一层层地在晶体表面有序排列，晶体将长大的过程。晶体生长过程有二步：1）溶质扩散待结晶溶质借扩散作用穿过靠近晶体表面的静止液层，从溶液中转移至晶体表面。2）表面反应到达晶体表面的溶质嵌人晶面，使晶体长大，同时放出结晶热。4溶液结晶过程与设备一.溶液结晶过程溶液结晶:晶体从过饱和的溶液中析出的过程。溶液结晶类型:冷却结晶法、蒸发结晶法、真空冷却结晶法、盐析(溶析)结晶法、反应结晶法。1.冷却结晶:通过冷却降温使溶液变成过饱和，基本上不去除溶剂过程。适用于溶解度随温度的降低而显著下降的物系。4溶液结晶过程与设备冷却结晶方法：自然冷却、间歇换热冷却和直接接触冷却。自然冷却法：将热的结晶溶液置于的结晶釜中，靠大气自然冷却而降温结晶。特点:产品纯度较低，粒度分布不均，易发生结块现象。设备所占空间大，容积生产能力较低。但结晶过程设备造价低。间歇换热冷却结晶：典型的内循环式，冷却量由夹套换热器传递。换热面积的较小，换热量不大。4溶液结晶过程与设备内循环式间歇冷却结晶器外循环式结晶器传热系数较大，换热面积可变，但必须选用合适的循环泵，以避免悬浮晶体的磨损破碎。4溶液结晶过程与设备外循环式间歇冷却结晶器4溶液结晶过程与设备外循环式间歇冷却结晶器2间歇换热冷却结晶过程的主要困难：在冷却表面上常会有晶体结出，称为晶疤或晶垢，使冷却效果下降。直接接触冷却结晶：通过冷却介质与热母液的直接混合而达到冷却结晶的过程。冷却介质有空气、与结晶溶液不互溶的碳氢化合物和专用的液态冷冻剂。冷却介质可能对结晶产品产生污染，选用的冷却介质不能与结晶母液中的溶剂互溶或者虽互溶但应易于分离。4溶液结晶过程与设备4溶液结晶过程与设备2.蒸发结晶:使溶液在常压或减压下蒸发浓缩而达到过饱和的结晶过程。适用于溶解度随温度降低而变化不大或具有逆溶解度特性的物系。对晶体的粒度不能有效的加以控制。消耗的热能较多，加热面问题也给操作带来困难。蒸发结晶器常在真空度不高的减压下操作。降低操作温度，以利于热敏性产品的稳定，并减少热能损耗。4溶液结晶过程与设备3.真空绝热冷却结晶：使溶剂在真空下闪急蒸发而使溶液绝热冷却的结晶法。适用于具有正溶解度特性而溶解度随温度的变化率中等的物系。操作原理：把热浓溶液送入绝热保温的密闭结晶器中，器内维持较高的真空度，由于对应的溶液沸点低于原料液温度，溶液闪急蒸发而绝热冷却到与器内压强相对应的平衡温度。溶液通过蒸发浓缩及冷却两种效应来产生过饱和度。4溶液结晶过程与设备4.盐析(溶析)结晶盐析(溶析)结晶：向溶液中加入某些物质，以降低溶质在原溶剂中的溶解度，产生过饱和度的方法。盐析剂的要求：能溶解于原溶液中的溶剂，但不（很少）溶解被结晶的溶质，而且溶剂与盐析剂的混合物易于分离(用蒸馏法)。NaCl是一种常用的盐析剂，如在联合制碱法中，向低温的饱和氯化铵母液中加入NaCl，利用同离子效应，使母液中的氯化铵尽可能多地结晶出来，以提高结晶收率。4溶液结晶过程与设备溶析结晶：向溶液中加入其他的溶剂使溶质析出的过程。特点：结晶温度较低，对热敏性物质的结晶有利；一般杂质在溶剂与盐析剂的混合物中有较高的溶解度，以利于提高产品的纯度；与冷却法结合，可提高结晶收率。需要回收设备来处理结晶母液，以回收溶剂和盐析剂。4溶液结晶过程与设备5．反应结晶气体与液体或液体与液体之间发生化学反应以产生固体沉淀的过程。反应结晶过程可分为反应和结晶两步，随着反应的进行，反应产物的浓度增大并达到过饱和，在溶液中产生晶核并逐渐长大为较大的晶体颗粒。反应结晶产生的固体粒子一般较小。要想获得符合粒度分布要求的晶体产品，必须小心控制溶液的过饱和度，如将反应试剂适当稀释或适当延长沉淀时间。4溶液结晶过程与设备流化床型结晶器二、典型的溶液结晶器4溶液结晶过程与设备流化床型结晶器DTB型真空结晶器5结晶操作及其应用一、结晶操作特性结晶是在过饱和溶液中生成新相的过程，涉及固液相平衡。对特定的目标产物及物系，需通过实验确定合适的结晶操作条件，满足结晶产品质量要求，提高结晶生产能力，降低过程成本。结晶操作中的问题。1．过饱和度增大溶液过饱和度可提高成核速率和生长速率，有利于提高结晶生产能力。5结晶操作及其应用2．温度温度的不同，生成的晶形和结晶水会发生改变，温度一般控制在较小的温度范围内。冷却结晶时，若降温速度过快，溶液很快达到较高的过饱和度，生成大量微小晶体，影响结晶产品的质量。温度最好控制在饱和温度与过饱和温度之间。蒸发结晶时，蒸发速度过快，则溶液的过饱度较大，生成微小晶体，附着在结晶表面，影响结晶产品的质量。蒸发速度应与结晶生长速率相适应，保持溶液的过饱和度一定。工业结晶操作常采用真空绝热蒸发，不设外部循环加热装置，蒸发室内温度较低，可防止过饱和度的剧烈变化。5结晶操作及其应用3．搅拌与混合增大搅拌速度可提高成核和生长速率，搅拌速度过快会造成晶体的剪切破碎，影响结晶产品质量。为获得较好的混合状态，同时避免结晶的破碎，可采用气提式混合方式，或利用直径或叶片较大的搅拌桨，降低桨的转速。5结晶操作及其应用4．溶剂与pH值结晶操作采用的溶剂和pH值应使目标溶质的溶解度较低，以提高结晶的收率。溶剂和pH值对晶形有影响。如普鲁卡因青霉素在水溶液中的结晶为方形晶体，在醋酸丁酯中的结晶为长棒状。在设计结晶操作前需实验确定使结晶晶形较好的溶剂和pH值。5结晶操作及其应用5.晶种向处于介稳区的过饱和溶液中添加颗粒均匀的晶种。对于溶液粘度较高的物系，晶核很难产生，而在高过饱度下，一旦产生晶核，就会同时出现大量晶核，容易发生聚晶现象，产品质量不易控制。高粘度物系必须用在介稳区内添加晶种的操作方法。5结晶操作及其应用6．晶浆浓度晶浆浓度越高，单位体积结晶器中结晶表面积越大，结晶生长速率越快，有利于提高结晶生产速度(产量)。但晶浆浓度过高时，悬浮液的流动性差，混合操作困难。晶浆浓度应在操作条件允许的范围内取最大值。在间歇操作中，晶种的添加量应根据最终结晶产品的大小，满足晶浆浓度最大的高效生产要求。5结晶操作及其应用7．循环流速用外部循环式结晶器时，循环流速的设定要合理。提高循环流速1）有利于消除设备内的过饱和度分布，使设备内的结晶成核速率及生长速率分布均匀；2）可增大固液表面传质系数，提高结晶生长速率；3）提高换热效率，抑制换热器表面晶垢的生成；循环流速过高会造成结晶的磨损破碎。循环流速应在无结晶磨损破碎的范围内取较大的值。如果结晶器具备结晶分级功能，循环流速也不宜过高，应保证分级功能的正常发挥。5结晶操作及其应用8．结晶系统的晶垢结晶器壁及循环系统中产生晶垢，影响结晶过程效率。防止晶垢或除去晶垢方法：1）壁内表面采用有机涂料，保持壁面光滑，防止在器壁上的二维成核现象的发生；2）提高结晶系统中流体流速，使流速分布均匀，消除低流速区；3）若外循环液体为过饱和溶液，使其中不含有晶种；4）采用夹套保温方式防止壁面附近过饱和度过高；5）增设晶垢铲除装置，定期添加溶剂溶解产生的晶垢；6）蒸发室壁面极易产生晶垢，可采用喷淋溶剂的方式溶解晶垢。5结晶操作及其应用9．共存杂质的影响结晶的对象是多组分物系，要选择性结晶目标产物。如果共存杂质的浓度较低，一般对目标产物的结晶无明显影响。但如果在结晶操作中杂质含量不断升高(如采用蒸发式结晶操作时)，杂质的积累会严重影响目标产物结晶的纯度。结晶操作