DS18B20使用教程

单总线数字温度传感器DS18B20单线总线特点单总线即只有一根数据线，系统中的数据交换，控制都由这根线完成。单总线通常要求外接一个约为4.7K—10K的上拉电阻，这样，当总线闲置时其状态为高电平。DS18B20的特点DS18B20单线数字温度传感器，即“一线器件”，其具有独特的优点：（1）采用单总线的接口方式与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。单总线具有经济性好，抗干扰能力强，适合于恶劣环境的现场温度测量，使用方便等优点，使用户可轻松地组建传感器网络，为测量系统的构建引入全新概念。（2）测量温度范围宽，测量精度高DS18B20的测量范围为-55℃~+125℃；在-10~+85°C范围内，精度为±0.5°C。（3）在使用中不需要任何外围元件。（4）持多点组网功能多个DS18B20可以并联在惟一的单线上，实现多点测温。（5）供电方式灵活DS18B20可以通过内部寄生电路从数据线上获取电源。因此，当数据线上的时序满足一定的要求时，可以不接外部电源，从而使系统结构更趋简单，可靠性更高。（6）测量参数可配置DS18B20的测量分辨率可通过程序设定9~12位。（7）负压特性电源极性接反时，温度计不会因发热而烧毁，但不能正常工作。（8）掉电保护功能DS18B20内部含有EEPROM，在系统掉电以后，它仍可保存分辨率及报警温度的设定值。DS18B20具有体积更小、适用电压更宽、更经济、可选更小的封装方式，更宽的电压适用范围，适合于构建自己的经济的测温系统，因此也就被设计者们所青睐。DS18B20内部结构如图所示，主要由4部分组成：64位ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码，每个DS18B20的64位序列号均不相同。64位ROM的排的循环冗余校验码（CRC=X^8＋X^5＋X^4＋1）。ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。DS18B20管脚排列DS18B20的管脚排列1.GND为电源地；2.DQ为数字信号输入／输出端；3.VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地，寄生电源工作方式（电源从IO口上获得）注意：当温度高于１００℃时，不能使用寄生电源，因为此时器件中较大的漏电流会使总线不能可靠检测高低电平，从而导致数据传输误码率的增大。外接电源工作方式锐志RZ-51V2.0开发板18B20连接示意图（因为我们开发板上P0—P3口均有上拉电阻所以此处没有画出）DS18B20内部构成DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位（地址：28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，并且每个DS18B20的序列号都不相同，因此它可以看作是该DS18B20的地址序列码；最后8位则是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。由于每一个DS18B20的ROM数据都各不相同，因此微控制器就可以通过单总线对多个DS18B20进行寻址，从而实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。DS18B20中的温度传感器完成对温度的测量，用16位二进制形式提供，形式表达，其中S为符号位。例如＋125℃的数字输出为07D0H（正温度直接吧16进制数转成10进制即得到温度值）-55℃的数字输出为FC90H。（负温度把得到的16进制数取反后加1再转成10进制数）其中配置寄存器的格式如下：低五位一直都是1，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0，用户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率，如下图所示：（DS18B20出厂时被设置为12位）配置寄存器与分辨率关系表高速暂存存储器由9个字节组成，当温度转换命令发布后，经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在高速暂存存储器的第0和第1个字节。单片机可通过单线接口读到该数据，读取时低位在前，高位在后，对应的温度计算：当符号位S=0时，直接将二进制位转换为十进制；当S=1时，先将补码变为原码，再计算十进制值。温度的低八位数据0温度的高八位数据1高温阀值2低温阀值3保留4保留5计数剩余值6每度计数值7CRC校验8DS18B20的工作时序DS18B20的一线工作协议流程是：初始化→ROM操作指令→存储器操作指令→数据传输。其工作时序包括：初始化时序写时序读时序初始化时序主机首先发出一个480－960微秒的低电平脉冲，然后释放总线变为高电平，并在随后的480微秒时间内对总线进行检测，如果有低电平出现说明总线上有器件已做出应答。若无低电平出现一直都是高电平说明总线上无器件应答。做为从器件的DS18B20在一上电后就一直在检测总线上是否有480－960微秒的低电平出现，如果有，在总线转为高电平后等待15－60微秒后将总线电平拉低60－240微秒做出响应存在脉冲，告诉主机本器件已做好准备。若没有检测到就一直在检测等待。接下来就是主机发出各种操作命令，但各种操作命令都是向DS18B20写0和写1组成的命令字节，接收数据时也是从DS18B20读取0或1的过程。因此首先要搞清主机是如何进行写0、写1、读0和读1的。写周期最少为60微秒，最长不超过120微秒。写周期一开始做为主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始。随后若主机想写0，则继续拉低电平最少60微秒直至写周期结束，然后释放总线为高电平。若主机想写1，在一开始拉低总线电平1微秒后就释放总线为高电平，一直到写周期结束。而做为从机的DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开始对总线采样，在采样期内总线为高电平则为1，若采样期内总线为低电平则为0。对DS18B20的写和读操作对于读数据操作时序也分为读0时序和读1时序两个过程。读时隙是从主机把单总线拉低之后，在1微秒之后就得释放单总线为高电平，以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后，便开始送出数据，若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线，然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完成对总线进行采样检测，采样期内总线为低电平则确认为0。采样期内总线为高电平则确认为1。完成一个读时序过程，至少需要60us才能完成DS18B20单线通信功能是分时完成的，他有严格的时隙概念，如果出现序列混乱，1-WIRE器件将不响应主机，因此读写时序很重要。系统对DS18B20的各种操作必须按协议进行。根据DS18B20的协议规定，微控制器控制DS18B20完成温度的转换必须经过以下4个步骤：（１）每次读写前对DS18B20进行复位初始化。复位要求主CPU将数据线下拉500us，然后释放，DS18B20收到信号后等待16us~60us左右，然后发出60us~240us的存在低脉冲，主CPU收到此信号后表示复位成功。（２）发送一条ROM指令（３）发送存储器指令DS18B20的存储器指令集现在我们要做的是让DS18B20进行一次温度的转换，那具体的操作就是：1、主机先作个复位操作，2、主机再写跳过ROM的操作（CCH）命令，3、然后主机接着写个转换温度的操作命令，后面释放总线至少一秒，让DS18B20完成转换的操作。在这里要注意的是每个命令字节在写的时候都是低字节先写，例如CCH的二进制为11001100，在写到总线上时要从低位开始写，写的顺序是“零、零、壹、壹、零、零、壹、壹”。整个操作的总线状态如下图。读取RAM内的温度数据。同样，这个操作也要接照三个步骤。1、主机发出复位操作并接收DS18B20的应答（存在）脉冲。2、主机发出跳过对ROM操作的命令（CCH）。3、主机发出读取RAM的命令（BEH），随后主机依次读取DS18B20发出的从第0一第8，共九个字节的数据。如果只想读取温度数据，那在读完第0和第1个数据后就不再理会后面DS18B20发出的数据即可。同样读取数据也是低位在前的。整个操作的总线状态如下图：在这里说明一下，第二步跳过对ROM操作的命令是在总线上只有一个器件时，为节省时间而简化的操作，若总线上不止一个器件，那么跳过ROM操作命令将会使几器件同时响应，这样就会出现数据冲突。初始化时序bitInit_DS18B20(void){bitflag;//储存DS18B20是否存在的标志，flag=0，存在；flag=1，不存在DQ=1;//先将数据线拉高for(time=0;time2;time++);//略微延时约6微秒//再将数据线从高拉低，要求保持480~960usDQ=0;for(time=0;time200;time++);//略微延时约600微秒//以向DS18B20发出一持续480~960us的低电平复位脉冲DQ=1;//释放数据线（将数据线拉高）for(time=0;time10;time++);//延时约30us（释放总线后需等待15~60us让DS18B20输出存在脉冲）flag=DQ;//让单片机检测是否输出了存在脉冲（DQ=0表示存在）for(time=0;time200;time++);//延时足够长时间，等待存在脉冲输出完毕return(flag);//返回检测成功标志}unsignedcharReadOneChar(void){unsignedchari=0;unsignedchardat;//储存读出的一个字节数据for(i=0;i8;i++){DQ=1;//先将数据线拉高_nop_();//等待一个机器周期DQ=0;//单片机从DS18B20读书据时,将数据线从高拉低即启动读时序_nop_();//等待一个机器周期DQ=1;//将数据线人为拉高,为单片机检测DS18B20的输出电平作准备for(time=0;time2;time++);//延时约6us，使主机在15us内采样dat=1;if(DQ==1)dat|=0x80;//如果读到的数据是1，则将1存入datelsedat|=0x00;//如果读到的数据是0，则将0存入datfor(time=0;time8;time++);//延时3us,两个读时序之间必须有大于1us的恢复期}return(dat);//返回读出的十六进制数据}unsignedcharReadOneChar(void){unsignedchari=0;unsignedchardat;//储存读出的一个字节数据for(i=0;i8;i++){DQ=1;//先将数据线拉高_nop_();//等待一个机器周期DQ=0;//单片机从DS18B20读书据时,将数据线从高拉低即启动读时序_nop_();//等待一个机器周期DQ=1;//将数据线人为拉高,为单片机检测DS18B20的输出电平作准备for(time=0;time2;time++);//延时约6us，使主机在15us内采样dat=1;if(DQ==1)dat|=0x80;//如果读到的数据是1，则将1存入datelsedat|=0x00;//如果读到的数据是0，则将0存入datfor(time=0;time8;time++);//延时3us,两个读时序之间必须有大于1us的恢复期}return(dat);//返回读出的十六进制数据}WriteOneChar(unsignedchardat){unsignedchari=0;for(i=0;i8;i++){DQ=1;//先将数据线拉高_nop_();//等待一个机器周期DQ=0;//将数据线从高拉低时即启动写时序DQ=dat&0x01;//利用与运算取出要写的某位二进制数据,/