有效改进全芯片ESD防护能力的设计方案

复旦大学硕士学位论文有效改进全芯片ESD防护能力的设计方案姓名：陈博宇申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：周锋20070416有效改进全芯片ESD防护能力的设计方案作者：陈博宇学位授予单位：复旦大学相似文献(2条)1.期刊论文田宝勇.付强.TIANBao-yong.FUQiang运用器件模拟软件验证一种GGNMOSESD保护电路的设计方案-辽宁大学学报（自然科学版）2009,36(1)随着CMOS工艺技术发展到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度.但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠度的问题,其中ESD(electrostaticdischarge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一.2.期刊论文郑英兰.ZHENGYing-lan基于CMOS工艺设计GGNMOSESD保护电路-仪表技术与传感器2010,(4)随着CMOS工艺技术的不断发展进入到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度.但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠度的问题,其中ESD(electrostaticdischarge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一[1].ESD现象主要对电子器件造成以下损坏:在半导体中由于介质击穿而导致氧化物薄膜破裂;由于EOS(electricaloverstress)引起过热,导致金属导线熔化;由于寄生的PNPN结构而导致CMOS器件闭锁;ESD使元器件结构中产生潜藏的缺陷,它们并不立即失效,但会引起断续的故障以及长期可靠性问题,这种损伤非常微弱,不易发现,即潜在损伤[2].集成电路工业由ESD导致的损失是一个非常严重的问题.本文链接：授权使用：武汉大学(whdx)，授权号：6da5faa8-3c48-4d1b-9035-9e1d008d6021下载时间：2010年10月28日