铁电超晶格(薄膜)简介

1铁电超晶格(薄膜)简介2超晶格半导体超晶格的层状结构1970年IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念他们设想如果用两种晶格匹配很好的半导体材料交替地生长周期性结构，每层材料的厚度在100nm以下电子沿生长方向的运动将会产生振荡，可用于制造微波器件．电子两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜特定形式的层状精细复合材料3介电（铁电）体超晶格1935年出生，九三学社社员，现任南京大学固体微结构国家重点实验室学术委员会主任，材料科学研究所所长1986年提出“介电体超晶格”材料的概念，经过近3年探索，闵乃本和学生朱永元教授等建立了“准周期超晶格”的理论。2005年，课题组利用自行研制的介电体超晶格，研制成功全固态超晶格红、绿、蓝三基色和白光激光器，并制出样机，取得了4项国内发明专利和1项美国发明专利。4产品广泛应用于太阳能光电、微电子、光电子、MEMS（微机电系统）、传感器、半导体发光照明工程等领域MBE，PLD，ALD5为什么研究铁电体超晶格实现光子的调控BaTiO3压电热点电光……材料热电探测器薄膜电容器非易失MRAM表面声波元件……6计算的前期工作张应力压应力例如：SrTiO3，LaAlO3，SrRuO3……超晶格衬底7BSTBSTGranzon等设计一个试验方法研究PZT陶瓷在应力下得极化和压电性质8BSTBST泊松比V=0.489基于DFT的第一性原理研究模型：假设：1.在零应力下BST超晶格被认为是理想的双层钙钛矿结构2.电子之间的交换关联式应用LDA3.在施加应力时，原子在空间群P4mm里沿[100]方向优化BaTiO3的点阵参数aBT=0.3944SrTiO3的点阵参数aST=0.3944实验值分别是0.3994，0.3905误差小于1.5%(LDA造成)Castep软件包下101.Ti2原子的位移远大于Ti1原子的位移2.O和Ti位移方向相反，产生铁电性11Born有效电荷1原子i沿着笛卡尔坐标α方向的位移原子沿笛卡尔坐标β方向的电场体系总能1.StefanoB,StefanoDG,AndreaDC2001Rev.Mod.Phys.73515表明：Ti原子和O原子之间发生了动态电荷传输12APPLIEDPHYSICSLETTERS94,2329042009single-crystallineBTOistetragonala=b=3.994Å,c=4.033ÅCTOisorthorhombica=5.442Å,b=5.380Å,c=7.640Å,andpseudocubica=c=3.826ÅThealternationofcompressiveandtensilestrains,whichareinducedinBTOandCTOlayersbySTO(cubic,a=3.905Å)substrates,respectively,caneffectivelycancelouttheiroppositedirectionalmechanicaltension,sothe(BTO)n/(CTO)nSLsmightbeexpectedtobetterpreserveafullystrainedstatewhenthelayerthicknessesareproperlycombined.13NATURE|Vol452|10April200814下一步的研究研究的性质AFM自发极化率其他结构PHYSICALREVIEWB72,1441012005misfitstrain界面的特殊效应15Thanks