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第4章内存本章介绍的内存是指主板上的主储存器,也就是内存条。内存直接与CPU连接,存放当前正在使用(即执行中)的数据和程序,因此它的大小和性能影响着整机的性能。4.1内存的分类4.1.1按内存的工作原理分类1.ROM(1)ROM(掩模式只读存储器)(2)PROM(ProgrammableROM,可编程ROM)(3)多次擦写可编程只读存储器(3)多次擦写可编程只读存储器这类ROM有3种类型。1)EPROM(ErasableProgrammableROM,可擦可编程ROM)2)EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableROM,电可擦写可编程ROM)3)FlashMemory(闪速存储器)2.RAM(1)SRAM(StaticRAM,静态随机存储器)由于SRAM的运行速度非常快,所以CPU内的一级、二级缓存使用SRAM(2)DRAM(DynamicRAM,动态随机存储器)由于DRAM需要不断刷新,这就造成了DRAM的读、写速度比SRAM慢,但其优点是DRAM一个存储单元的元件数少,相同容量下体积更小,价格更便宜,所以主存都采用DRAM。DRAM还用于显示卡、声卡、硬盘等设备中,充当设备缓存。4.1.2按内存的外观分类目前微机配备的DRAM有两种形式。1.双列直插封装内存芯片2.内存模块(内存条)4.1.3按内存条的技术标准分类1.SDRAM内存条SDRAM(SynchronousDRAM,同步动态随机存储器)内存条共有168(84×2面)个引脚,因此又被称为168线内存。SDRAM是PentiumII/III档次微机使用的一种内存类型,常见容量有32MB、64MB、128MB和256MB等,其外观如图4-6所示。在SDRAM中,它的数据传输率与时钟周期是同步的,其DRAM核心频率与时钟频率以及数据传输率都一样。以PC100SDRAM为例,它的核心频率、时钟频率、数据传输率分别是100MHz、100MHz、100Mbit/s。数据信号在每个脉冲的上升沿处传送出去。PC100SDRAM的工作原理如图4-7所示。2.DDRSDRAM内存条DDRSDRAM(DualDateRateSDRAM,双倍速率SDRAM)内存条用在Pentium4级别的微机上。DDRSDRAM有184个引脚,常见容量有128MB、256MB、512MB等,如图4-8所示。DDRSDRAM与SDRAM一样,也是与系统总线时钟同步的。以DDR200为例,其核心频率为100MHz,通过两条线路同步传输到I/O缓存区(I/OBuffers),实现200MHz的数据传输率。由于是两路传输,所以可以预读2bit数据。DDR200的工作原理如图4-9所示。3.DDR2SDRAM内存条DDR2SDRAM内存条用在IntelLGA775Pentium4/D、Core2和AMDAthlon64X2、Phenom级别的微机上。DDR2SDRAM有240个引脚,内存条的SPD芯片与DDR内存不同,DDR2与DDRSDRAM的基本原理类似。DDR2采用4位预取(4bitPrefect)技术,它将DRAM的核心频率、时钟频率和数据传输率进一步分开,时钟频率为核心频率的2倍,数据传输率为时钟频率的2倍(还是DDR技术)。这样,DDR2的数据传输率是核心频率的4倍。Prefetch的实现机制中,把多个cell送来的数据输入到I/O缓冲寄存器进行数据排序,再从I/O寄存器输出。以DDR2-400为例,虽然DDR2的核心频率只有100MHz,但是数据通过4条传输路线同步传输至I/O缓存区,这样就实现了400Mbit/s的数据传输率。DDR2-400的工作原理如图4-11所示。表4-1列出了SDRAM、DDR、DDR2内存的不同版本及时钟频率、数据频率、单通道和双通道带宽。其中,DDR2400MHz与DDR400MHz的带宽都是3.2GB/s。3.DDR3SDRAM内存条DDR3SDRAM内存条用在IntelCore2级别的P35芯片组的微机上。DDR3与DDR2一样,也有240个针脚,但DDR3针脚隔断槽口与DDR2不同,DDR3内存左右两侧安装卡口与DDR2不同,DDR3的外观如图4-12所示。DDR3常见容量有1GB、2GB、4GB等。DDR3与DDR2的基本原理类似,没有本质区别。DDR3进一步改进为8位预取技术,它将DRAM的核心频率、时钟频率和数据频率进一步分开,数据频率仍然为时钟频率的2倍(还是DDR技术),而时钟频率又为核心频率的4倍。这样,DDR3的数据频率实际上是核心频率的8倍。以DDR3-800为例,虽然其核心频率只有100MHz,但是数据通过8条传输路线同步传输至I/O缓存区,这样就实现了800Mbit/s的数据传输率。DDR3-800的工作原理如图4-13所示。4.2内存条的结构、封装和常见内存芯片4.2.1DDR3SDRAM内存条的结构1.PCB板2.针脚3.内存条固定卡缺口4.金手指缺口(针脚隔断槽口)5.内存芯片6.SPD芯片7.内存芯片空位8.电容9.电阻10.标签11.散热片4.2.2内存芯片的封装1.TSOP封装TSOP(ThinSmallOutlinePackage,薄型小尺寸封装)的一个典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚,如SDRAM内存的集成电路两侧都有引脚,SGRAM内存的集成电路4面都有引脚。TSOP封装操作方便,可靠性比较高,是目前主流的封装形式。改进的TSOP技术TSOPII目前广泛应用于SDRAM、DDRSDRAM内存的制造上,如图4-16所示。2.BGA封装BGA(BallGridArrayPackage,球栅阵列封装)的最大特点是BGA芯片的边缘没有针脚,而是通过芯片下面的球状引脚与印制板连接。采用BGA封装可以使内存在体积不变的情况下将内存容量提高2~3倍。与TSOP相比,BGA具有更小的体积、更好的散热性能和电气性能。DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA(FinePitchBallGridArray,BGA的改进型)封装形式,如图4-17所示。3.CSP封装CSP(ChipScalePackage,芯片级封装)作为新一代封装方式,其性能又有了很大的提高。CSP封装不但体积小,同时也更薄,更能提高内存芯片长时间运行的可靠性,芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR内存,如图4-18所示。4.2.3常见的DDRSDRAM内存芯片虽然内存的品牌较多,如Kingston(金士顿)、Leadram(超胜)、Apacer(宇瞻)、Kingmax(胜创)、Samsung(三星)等,但内存芯片的制造商只有几家,所以许多不同品牌的内存上焊接着相同型号的内存芯片。常见内存芯片的制造商有Samsung(三星)、Hynix(现代)、Winbond(华邦)、Kingmax、Infineon(原西门子)、GeIL(金邦)等。由于内存芯片的生产技术都处于同一档次,因此不同厂商的内存芯片在速度、性能上相差很小。常见内存芯片的制造商、芯片型号、存取时间、默认频率和外观对比见表4-2。4.3DRAM的内存时间参数4.3.1DRAM内存的参数设置1.CASLatency(CL)CASLatency(ColumnAddressStrobeLatency,列地址选通脉冲时间延迟,简称CL或CAS)2.RAStoCASDelay(tRCD)RAStoCASDelay(timeofRAStoCASDelay,行地址传输到列地址的延迟时间,简称tRCD)3.RASPrecharge(tRP)RASPrecharge(timeofRASPrecharge,内存行地址选通脉冲预充电时间,简称tRP)4.RASActiveDelay(tRAS)RASActiveDelay(tRAS)也称CycleTime或ActtoPrechargeDelay4.3.2DRAM内存的参数标识在内存的标签上,通常会给出该内存的重要参数(如CL),有些内存会给出更加详细的参数序列,通常按CL-tRCD-tRP-tRAS(有时省略tRAS)的顺序列出这4个参数,如图4-19所示。在DDRSDRAM的制造过程中,厂商已将这些特性参数写入SPD中。在开机时,主板的BIOS就会检查此项内容,并以这些参数值作为默认的模式运行。它们的单位都是时钟周期。例如,采用能够运行在时间参数为2-2-2-5DDR内存的计算机要比采用3-4-4-8的计算机运行得更快,更有效率。如图4-20所示是BIOS设置选项。4.4内存的选购1.内存芯片2.内存的品牌3.频率要搭配4.容量4.5实训——拆装及查看内存4.5.1内存的安装和拆卸内存的安装、拆卸非常简单。首先,分清内存的类型,找准内存上金手指处的缺口与DIMM槽上对应的隔断位置,将内存条垂直地用劲插到底。每一条DIMM槽的两旁都有一个卡齿,当内存缺口对位正确,且插接到位之后,这两个卡齿应该自动将内存卡住,如图4-22所示。如果要卸下内存,只需向外搬动两个卡齿,内存就会自动从DIMM槽中脱出。4.5.2查看内存默认频率及默认SPD参数下面以使用CPU-Z为例,查看内存中的内容。首先,设置主板BIOS,处理器外频为200MHz,内存频率以及SPD参数设置为Auto和BySPD。运行CPU-Z,显示Memory和SPD的内容,如图4-23所示。4.6习题1.掌握内存类型的识别和内存安装方法。2.用内存测试软件(如CPU-Z、WCPUID、HWiNFO32、3DMark、SiSoftSandraStandard等)测试所用微机的内存信息。3.在BIOS中设置内存参数。4.查阅计算机商情报刊,或上网查看硬件信息;到当地计算机配件市场考察内存的型号、价格等商情信息。
本文标题:第4章 内存
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