第五章 离子注入低温掺杂

1第五章离子注入低温掺杂离子注入(IonImplantation)2什么是离子注入离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质离子注入的基本过程将某种元素的原子或携带该元素的分子经离化变成带电的离子在强电场中加速，获得较高的动能后，射入材料表层（靶）以改变这种材料表层的物理或化学性质5.1什么是离子注入3离子注入技术优点离子注入技术主要有以下几方面的优点：（1）注入的离子是通过质量分析器选取出来的，被选取的离子纯度高，能量单一，从而保证了掺杂纯度不受杂质源纯度的影响即掺杂纯度高。（2）注入剂量在1011一1017离子／cm2的较宽范围内，同一平面内的杂质均匀度可保证在±1％的精度。大面积均匀掺杂（3）离子注入温度低，衬底一般是保持在室温或低于400℃。因此，像二氧化硅、氮化硅、光刻胶,铝等都可以用来作为选择掺杂的掩蔽膜。对器件制造中的自对准掩蔽技术给予更大的灵活性，这是热扩散方法根本做不到的。4离子注入技术优点（4）离子注入深度是随离子能量的增加而增加。可精确控制掺杂浓度和深度（5）根据需要可从几十种元素中挑选合适的N型或P型杂质进行掺杂。能容易地掺入多种杂质（6）离子注入时的衬底温度较低（小于600℃），这样就可以避免高温扩散所引起的热缺陷。同时横向效应比热扩散小得多。（7）表面浓度不受固溶度限制，可做到浅结低浓度或深结高浓度。5离子注入技术缺点会产生缺陷，甚至非晶化，必须经高温退火加以改进设备相对复杂、相对昂贵（尤其是超低能量离子注入机）有不安全因素，如高压、有毒气体6基个概念：（1）靶：被掺杂的材料。（2）一束离子轰击靶时，其中一部分离子在靶面就被反射，不能进入靶内，称这部分离子为散射离子，进入靶内的离子成为注入离子。7离子注入掺杂分为两个步骤：---离子注入---退火再分布。8离子注入在离子注入中，电离的杂质离子经静电场加速打到晶圆表面。在掺杂窗口处，杂质离子被注入裸露的半导体本体，在其它部位杂质离子则被半导体上面的保护层屏蔽。通过测量离子电流可严格控制剂量。通过控制静电场可以控制杂质离子的穿透深度。9退火处理通常，离子注入的深度较浅且浓度较大，必须使它们重新分布。同时由于高能粒子的撞击，导致硅结构的晶格发生损伤。为恢复晶格损伤，在离子注入后要进行退火处理。在退火的同时，掺入的杂质同时向半导体体内进行再分布。105.2离子注入原理在离子注入的设备中，用“等离子体发生器”来制造工艺所要注入的离子。因为离子带电荷，可以用加速场进行加速，并且借助于磁场来改变离子的运动方向。11当具有高能量的离子注入到固体靶面以后，这些高能粒子将与固体靶面的原子与电子进行多次碰撞，这些碰撞将逐步削弱粒子的能量，最后由于能量消失而停止运动，形成一定的杂质分布。离子在硅体内的注入深度和分布状态与射入时所加的电场强度、离子剂量、衬底晶向等有关12通常，在离子剂量和轰击次数一致的前提下，注入的深度将随电场的强度增加而增加。用离子注入法形成的分布，其浓度最大值不在硅片表面，而是在深入硅体一定距离。这段距离大小与注入粒子能量、离子类型等有关。13离子注入的沟道效应沟道效应（Channelingeffect）当离子沿晶轴方向注入时，大部分离子将沿沟道运动，几乎不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。离子注入的杂质分布还与衬底晶向有关系。14沿110轴的硅晶格视图UsedwithpermissionfromEdgardTorresDesignsFigure17.2815110111100倾斜旋转硅片后的无序方向16沟道效应的存在，将使得对注入离子在深度上难以控制，尤其对大规模集成电路制造更带来麻烦。如MOS器件的结深通常只有0.4um左右，有了这种沟道效应万一注入距离超过了预期的深度，就使元器件失效。因此，在离子注入时，要考虑到这种沟道效应，也就是说要抑止这种现象的产生。17目前常用的解决方法有三种（1）是将硅片相对注入的离子运动方向倾斜一个角度，7度左右最佳；（2）是对硅片表面铺上一层非结晶系的材料，使入射的注入离子在进入硅片衬底之前，在非结晶层里与无固定排列方式的非结晶系原子产生碰撞而散射，这样可以减弱沟道效应；（表面用SiO2层掩膜）减少沟道效应的措施Howcanweformultrashallowjunctionintoday’sCMOSdevices?18（3）是用Si,Ge,F,Ar等离子对硅片表面先进行一次离子注入，使表面预非晶化，形成非晶层(Pre-amorphization)然后进入离子注入。这三种方法都是利用增加注入离子与其他原子碰撞来降低沟道效应。工业上常用前两种方法。19PhotographcourtesyofVarianSemiconductor,VIISion80Source/Terminalside5.3离子注入设备20离子注入机分类离子注入机按能量高低分为：低能离子注入机中能离子注入机高能离子注入机兆能离子注入机离子注入机按束流大小分为：小束流离子注入机中束流离子注入机强流离子注入机超强流离子注入机21离子注入系统的组成离子源（IonSource)磁分析器(Magneticanalyzer)加速管（Accelerator)聚焦和扫描系统(FocusandScansystem)工艺腔(靶室和后台处理系统TargetAssembly)22离子源分析磁体加速管粒子束等离子体工艺腔吸出组件扫描盘从离子源引出的离子经过磁分析器选择出需要的离子，分析后的离子加速以提高离子的能量，再经过两维偏转扫描器使离子束均匀的注入到材料表面，用电荷积分仪可精确的测量注入离子的数量，调节注入离子的能量可精确的控制离子的注入深度。23•a）离子源源在半导体应用中，为了操作方便，一般采用气体源，如BF3,BCl3,PH3,ASH3等如用固体或液体做源材料，一般先加热，得到它们的蒸汽离子注入系统的组成24注入材料形态选择材料气态固态硼BF3-磷PH3红磷砷AsH3固态砷，As2O3锑－Sb2O325离子源（IonSource)用来产生离子的装置。原理是利用灯丝(filament)发出的自由电子在电磁场作用下，获得足够的能量后撞击分子或原子，使它们电离成离子，再经吸极吸出，由初聚焦系统聚成离子束，射向磁分析器26b)质量分析器（磁分析器magnetanalyzer)利用不同荷质比的离子在磁场下运动轨迹的不同将离子分离，选出所需的杂质离子。被选离子束通过可变狭缝，进入加速管。27分析磁体石磨离子源分析磁体粒子束吸出组件较轻离子重离子中性离子28磁分析器的原理是利用磁场中运动的带电粒子所受洛仑兹力的偏转作用。在带电粒子速度垂直于均匀磁场的情况下，洛仑兹力这里v是离子速度，q是离子电荷，M是离子质量，B是磁场强度，r是离子圆周运动的半径qvBrMv2(7-1)29这里Vext是吸极电压。MqVMEvext22(7-2)从等式(7-1)和(7-2)可以得到extVqMBqBMvr21(7-3)30c)加速管(Accelerationtube)经过质量分析器出来的离子束，还要经过加速运动，才能打到硅片内部去。离子经过加速电极后，在静电场作用下加速到所需的能量。31高能注入机的线形加速器源原子质量分析磁体线形加速器最终能量分析磁体扫描盘硅片Figure17.1732d)聚焦和扫描系统(deflectionandscanning)离子束离开加速管后进入控制区，先由静电聚焦透镜使其聚焦。再进行x-y两个方向扫描，然后进入偏转系统，束流被偏转注到靶上。扫描是为了保证注入均匀性33扫描系统e)工艺腔包括真空排气系统,装卸硅片的终端台,硅片传输系统和计算机控制系统。34离子注入机的终端口PhotographprovidedcourtesyofInternationalSEMATECHPhoto17.335离子注入过程演示36离子注入中需控制以下工艺参数1.剂量(Q)：单位面积硅片表面注入的离子数(cm-2)Q＝It/enA，其中I为束流(安培)；t为注入时间；e为电子电荷，为1.6×10-19库仑；n为离子电荷数；A为注入面积。离子束电流是定义剂量的一个关键变量。大电流有利于提高硅片产量。通过控制剂量来控制掺杂浓度5.4离子注入的两个参数37离子注入参数2.能量：离子在加速器中加速获得动能(KE)，一般用电子电荷与电势差表示，单位为电子伏(ev)。KE＝nV，n为离子的电荷状态，V为电势差。注入机的能量越高，注入硅片越深，射程越大。38有关射程的概念Rp：标准偏差（Straggling），投影射程的平均偏差R：横向标准偏差（Traversestraggling）,垂直于入射方向平面上的标准偏差。射程分布：平均投影射程Rp，标准偏差Rp，横向标准偏差RR：射程（range）离子在靶内的总路线长度Rp（Xp）：投影射程（projectedrange）R在入射方向上的投影39注入离子如何在体内静止？LSS理论——对在非晶靶中注入离子的射程分布的研究1963年，Lindhard,ScharffandSchiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称LSS理论。该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程(1)核阻止/碰撞（nuclearstopping）(2)电子阻止/碰撞（electronicstopping）总能量损失为两者的和40核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论阻止本领（stoppingpower）：材料中注入离子的能量损失大小单位路程上注入离子由于核阻止和电子阻止所损失的能量(Sn(E),Se(E))。核阻止本领：来自靶原子核的阻止，经典两体碰撞理论。电子阻止本领：来自靶内自由电子和束缚电子的阻止。414243注入杂质能量损失SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiX-射线电子碰撞原子碰撞被移动的硅原子携能杂质离子硅晶格44ESESNdxdEen-dE/dx：能量随距离损失的平均速率E：注入离子在其运动路程上任一点x处的能量Sn(E)：核阻止本领/截面(eVcm2)Se(E)：电子阻止本领/截面（eVcm2)N:靶原子密度～51022cm-3forSieenndxdENESdxdENES1,1LSS理论能量E的函数能量为E的入射粒子在密度为N的靶内走过x距离后损失的能量45总阻止本领（Totalstoppingpower）核阻止本领在低能量下起主要作用（注入分布的尾端）电子阻止本领在高能量下起主要作用核阻止和电子阻止相等的能量46离子E2B17keVP150keVAs,Sb500keVnnne47表面处晶格损伤较小射程终点（EOR）处晶格损伤大48注入离子的浓度分布在忽略横向离散效应和一级近似下，注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式221expppPRRxCxC200keV注入元素原子质量Sb122As74P31B11Cp49ppCRdxxCQ2Q：为离子注入剂量（Dose）,单位为ions/cm2，可以从测量积分束流得到22exp2)(pppRRxRQxCppPRQRQC4.02由，可以得到：50注入掩蔽层——掩蔽层应该多厚？BmPmCRRxCxCPP2*2**2exp)(*如果要求掩膜层能完全阻挡离子xm为恰好能够完全阻挡离子的掩膜厚度Rp*为离子在掩蔽层中的平均射程，Rp*为离子在掩蔽层中的射程标准偏差51*****ln2PPBPPPmRmRCCRRx解出所需的掩膜层厚度：穿过掩膜层的剂量：**2***2erfc22