暗电流

1、暗电流是指P-N结在反偏压条件下,没有入射光时产生的反向直流电流.一般由于载流子的扩散产生或者器件表面和内部的缺陷以及有害的杂质引起。扩散产生的原理是在PN结内部，N区电子多，P区空穴多，因为浓度差，N区的电子就要向P区扩散，P区的空穴要向N区扩散，尽管PN结内建电场是阻止这种扩散的，但实际上这中扩散一直进行，只是达到了一个动态的平衡，这是扩散电流的形成。另外当器件的表面和内部有缺陷时，缺陷能级会起到复合中心的作用，它会虏获电子和空穴在缺陷能级上进行复合，电子和空穴被虏获到缺陷能级上时，由于载流子的移动而形成了电流，即所谓的暗电流。同样有害的杂质在器件中也是起到复合中心的作用，道理和缺陷相同。暗电流一般在分选硅片时要考虑，如果暗电流过大说明硅片的质量不合格，如表面态比较多，晶格的缺陷多，存在有害的杂质，或者掺杂浓度太高，这样的硅片制造出来的电池片往往少子寿命低，直接导致了转换效率低!2、在无光照时pn结的扩散电流与漂移电流时动态平衡的，当有光照时产生光生电动势降低了pn结的势垒相当于给pn结外加一个正向偏压，会产生正向注入电流，这构成了太阳电池的暗电流的主要部分。3、说的太复杂了。pn结在无光照无外压下处于热平衡状态，载流子的扩散和飘移平衡。当有光照后，在内建电场作用下，漂移大于扩散，使p区空穴浓度上升，n区电子浓度上升，反过来促使扩散电流增大。当光照pn结处于工作状态达到平衡后，漂移电流和扩散电流基本保持不变。我认为：光照pn结的扩散电流与无光照时扩散电流之差就是暗电流。4、暗电流通常指的是无光照，零偏压下的电流。它通过测暗特性曲线可以获得。5、暗电流就是电池在暗处作CV的电流响应，因为光电流的I-V测量就是在光下面测CV。暗电流反映了TiO2与电解质界面的性能，近似认为同一bias的情况下，暗电流越大电池漏电越严重，因为背向电子转移就是同一过程。暗电流说白了就是电池内部的电流，也就是被激发的电子没有及时经过外电路与电解结合，而是在电池内部直接与电解质结合，造成了电流的损失，电压的降低。如果能有效的降低暗电流，那么电池的转化效率将得到很大的提高！