ITO(IndiumTinOxides)作为纳米铟锡金属氧化物

ITO（IndiumTinOxides）作为纳米铟锡金属氧化物为了提高LED芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作为P型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。ITO是英文IndiumTinOxides的缩写，意思是「氧化銦锡」。与其他透明的半导体导电薄膜相比，ITO具有良好的化学稳定性和热稳定性。对衬底具有良好的附着性和图形加工特性。ITO为一种N型氧化物半导体，作为纳米銦锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑胶及电子显示幕上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外、红外。ITO透明导电膜是平面显示器上重要之组件，其特性会与镀膜工艺中的参数及材料有密切的关係。在众多可作为透明电极的材料中，ITO(IndiumTinOxide)是被最广泛应用的一种，ITO薄膜即銦锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率。主要是由于ITO可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。我们如果来看其穿透率，其透过率已达90%以上，ITO的透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例来控制，通常比例是为Sn2O3:In2O3=1:9。