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无锡松煜科技有限公司2017.8.30技术指标成膜种类:Al2O3设备温度:250℃成膜厚度:5-10nm可控产能:6000-7200片/h气路系统气密性:1×10-7pa.m3/s成膜均匀性:≤3%真空度:10Pa生长速率:0.012nm/s保养周期:6个月保养一次Uptime:98%以上TMA耗量:10g/h氮气需求:优于99.9999%技术特点:支持多种制程,perc,双面电池。。。。。。设备占地空间小;维修方便;保养周期长,长达半年;设备成膜质量好,致密切均匀度良好,在2-10nm都可满足均匀性的需求,也可以做的更厚,根据需求进行工艺调整,调整方便,只需更改时间即可;设备产能高,一台设备可完成200MW的产能;设备稳定性高,尽可能的减少了运动部件,使设备的运行更加稳定可靠;设备对于干泵采取了必要措施的保护,使泵的维护周期更长。PERC电池工艺路线工艺原理工艺为85个循环10nm,可根据要求成膜的厚度进行控制,控制的模式为控制循环数量。设备简介设备简介设备自动化:设备占地面积小,产能高,性价比高!设备外形尺寸:气路原理TMA用量少,主要依靠饱和蒸汽压进行气体输送,降低了设备TMA源量的消耗!!!自动化夹具:装卸片的设计充分考虑表面摩擦损伤!!!维护保养设备维护简单,半年维护一次!!!Coo大幅降低,uptime大幅上升!!!设备成膜均匀:设备气流方向原理,良好的气流设计是成膜的关键,我公司生产的ALD设备膜厚可做到2nm以下依然保持良好的均匀性,5nm以上均匀性可达到3%以内;同时对源的量的用量得到了有效的控制,基本可控制在10g/h以内,设备的COO得到有效控制!推拉舟工艺过程中硅片与舟都不会运动,所以设备更加稳定可靠,故障率低,配合超长时间的保养周期,使设备的利用率达到98%!!!真空系统图:谢谢大家!!!
本文标题:ALD设备简介
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