尚德-硅片检验质量控制

质量部：宋纯瑶硅片检验质量控制目录1、硅片检验流程2、不良品图例3、原材料投诉流程4、赔偿机制3全检包装有明显破损通知供应商少子寿命１单晶＜２us,多晶＜5us退货２如果７０％＞３０us接受３如果９０﹪＞５us接受４如果不满足２.３.的条件低于标准的做退货300片抽一片１片，超过300片抽2片碎片，缺角，崩边，污渍，台阶，穿孔裂纹，划伤，无倒角退片全检边长对角线厚度ＴＴＶ如果不良硅片被检出，则再抽5片如果再发现不良则整盒拒收１００片每盒的抽１片３００片每盒的抽３片直角弯曲电阻率，晶型１００片每盒的抽１片３００片每盒的抽３片如果OOS硅片被检出，则再抽5片如果在抽样中则整盒拒收1、硅片检验流程41-1少子寿命测试抽样插片清洗、制绒装袋加碘酒测试清洗甩干我司采用的少子寿命测试方法：碘酒钝化的方法。使用设备:SemilabW-1000b(见下图）微波光电导衰减法（μPCD法），其原理是904nm的激光注入硅片大约30μm，产生电子-空穴对，导致电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载流子的寿命。51-2尺寸测量边长对角线6五点法测试：边缘4个、中心点1个，探头直径为14mm，探头中心点到硅片边缘为10mm。1-3TV/TTV测试目前我司有两种检测设备，MS203和MANZ全自动硅片分选设备，技术标准规定五点法的测试方法，在技术要求没有比昂更之前，质量部会以MS203设备的测试结果为准进行投诉处理，避免投诉后引起争议。MS203设备的测试原理：厚度是通过探头检测电容的变化。电阻率是探头检测电流的变化。71-4电阻率/导电类型测试电阻率导电类型81-5外观检验92、硅片不良-碎片碎片不合格1、无法进行后续生产101、由于已经存在缺角，在碎裂部位存在力的延伸和应力点，后续生产会产生较多的碎片2、由于缺角位置不一致，大小上存在差异，后续定位、各工序均无法正常开展，如：刻蚀工序，由于大小不一无法保证硅片边缘被刻通；丝网印刷时银浆可能流出，一方面可能会造成正负极短路；另一方面可能会因为银浆流到电池存放台造成后续电池片污染等不良状况出现3、由于缺角也可能造成电池实际可利用面积减少，从而影响电池的转换效率。硅片不良-缺角11硅片不良-崩边崩边合格:无崩边1、由于已经存在崩边，在崩边部位存在力的延伸和应力点，后续生产会产生较多的碎片2、由于崩边位置不一致，大小上存在差异，后续定位、各工序均无法正常开展，如：刻蚀工序，由于大小不一无法保证硅片边缘被刻通；丝网印刷时银浆可能流出，一方面可能会造成正负极短路；另一方面可能会因为银浆流到电池存放台造成后续电池片污染；等不良状况出现3、由于崩边也可能造成电池实际可利用面积减少，从而影响电池的转换效率。12硅片不良-针孔拉晶的材料中混有微小的杂质，这些杂质在拉晶过程中进入晶体。切片后在制绒阶段，杂质被腐蚀掉，出现针孔。针孔片13锯痕合格:≤20μm1、清洗、制绒后产生亮线，镀膜无法掩盖，影响电池片外观2、制造过程中特别是丝网印刷过程中硅片的叠加、挤压，会造成破碎3、丝网印刷中断线、缺印等不良状况产生硅片不良-锯痕14硅片不良-密集型线痕1、清洗、制绒后产生亮线，镀膜无法掩盖，影响电池片外观2、制造过程中特别是丝网印刷过程中硅片的叠加、挤压，会造成破碎3、丝网印刷中断线、缺印等不良状况产生15台阶片合格:≤20μm1、清洗、制绒后产生亮线，镀膜无法掩盖，影响电池片外观2、制造过程中硅片的叠加、挤压，会造成破碎3、丝网印刷过程中由于厚薄有差别，易造成碎片硅片不良-台阶16硅片不良-弯曲弯曲片合格:≤0.075mm弯曲可能是由于硅棒本身内应力或位错造成的，可能造成：1、硅片清洗甩干时会因为内部应力，而造成破碎2、扩散过程中由于高温作用对硅片应力产生影响，由于其原材料本身的原因，会造成较多破碎3、PECVD镀膜设备较高的弯曲度要求，对于弯曲大于0.5mm的硅片，会造成镀膜不良，严重影响电池片电性能4、丝网印刷时，栅线印刷不良出现断栅或栅线不全；5、丝网印刷刮板通过时可能造成因挤压造成的碎片。17翘曲片合格:≤0.075mm翘曲可能是由于硅棒本身内应力或位错造成的，可能造成：1、硅片清洗甩干时会因为内部应力，而造成破碎2、扩散过程中由于高温作用对硅片应力产生影响，由于其原材料本身的原因，会造成较多破碎3、PECVD镀膜设备要求较高的弯曲度要求，对于翘曲大于0.5mm的硅片，会造成镀膜不良，严重影响电池片电性能4、丝网印刷时，栅线印刷不良出现断栅或栅线不全；5、丝网印刷刮板通过时可能造成因挤压造成的碎片。硅片不良-翘曲18硅片不良-外形片外形片合格:≤0.5mm外形片往往是由于硅棒直径偏小，滚圆不到所至，造成的后果是：1、丝网印刷时银浆可能流出，一方面可能会造成正负极短路；另一方面可能会因为银浆流到电池存放台造成后续电池片污染；2、当然由于缺角也可能造成电池实际可利用面积减少，从而影响电池的转换效率。3、影响电池片外观和后续组件制造后的外观。4、如果混入到正常尺寸硅片中生产，会导致刻蚀异常、印刷不良19硅片不良-孪晶1、孪晶交界的部位使得内部晶体结构上存在差异，后续制造过程中，在电池片转换效率上存在影响2、由于孪晶不可能做出与正常硅片一致的转换效率，所以孪晶的存在变相减少了硅片的实际有效面积。20微晶片合格:无微晶由于微晶的存在，使得硅片内部产生缺陷，对于后续电性能会有影响。硅片不良-微晶21以内缩最大值计算倒角偏差倒角偏差(任一角缩进的最大值)合格:≤0.5mm倒角偏差往往是由于滚圆或切方时硅棒定位不准造成的，后果可能是：1、丝网印刷时银浆可能流出，一方面可能会造成正负极短路；另一方面可能会因为银浆流到电池存放台造成后续电池片污染；2、硅片无法放入PECVD石墨舟；3、当然由于缺角也可能造成电池实际可利用面积减少，从而影响电池的转换效率。3、影响电池片外观和后续组件制造后的外观。4、如果混入到正常尺寸硅片中生产，会导致刻蚀异常、印刷不良硅片不良-倒角偏差22硅片不良-菱形片外突内缩菱形片合格≤0.5mm菱形片往往是由于滚圆或切方时硅棒定位不准造成的，后果可能是：1、丝网印刷时银浆可能流出，一方面可能会造成正负极短路；另一方面可能会因为银浆流到电池存放台造成后续电池片污染；2、硅片无法放入PECVD石墨舟；3、当然由于缺角也可能造成电池实际可利用面积减少，从而影响电池的转换效率。4、影响电池片外观和后续组件制造后的外观。5、如果混入到正常尺寸硅片中生产，会导致刻蚀异常、印刷不良23硅片不良-裂纹裂纹不合格1、无法进行后续生产24硅片不良-N型片N型片不合格1、目前尚德执行或实施的是P型工艺。25硅片不良-硅晶脱落硅晶脱落不合格1、硅晶脱落是产生碎片的潜在因素2、影响电池片外观和组件外观26硅片不良-脏污脏污不合格1、表面油污，如果在清洗中难以去除，将导致镀膜后表面外观缺陷，根据油污存在的大小，产生色斑片、雨点片等外观缺陷2、影响后续生产组件的外观27硅片不良-倒角偏差原因：单晶方锭没有进行酸腐蚀，切片时引起的微裂或者隐裂；包装过程中由于包装不善，积压等一些因素，致使边缘出现微裂。边缘裂纹不合格28硅片不良-中间裂纹这是拉晶结束后，未经过充分的退火，残存的热应力释放，出现的裂纹，这种裂纹一般在扩散后即可发现中间裂纹29硅片不良-雪花晶晶粒尺寸大于2mm，呈连续分布，具有一定面积的晶体30硅片不良-分布晶大晶粒上分布的具有特定“圈点”特征的小晶粒31硅片不良-绒面色斑323、原材料投诉流程进料投诉制程投诉OKNG取样/检验判定合格否收料凭证签字确认贴合格标识入库作成“进料检验记录”填写“供方来料异常联络单”结束填写“不合格品评审/处置单”异常联络单回复或采购处置OKNG取样/检验判定合格否收料凭证签字确认贴合格标识入库作成“进料检验记录”填写“供方来料异常联络单”结束填写“不合格品评审/处置单”异常联络单回复或采购处置异常发生异常判定工艺分析分析报告确认制程异常投诉质量填写“供方来料异常联络单”异常联络单回复或采购处置结束335、硅片赔偿机制光衰减赔偿比例硅片赔偿机制硅片赔偿机制合同在2月1日到货的硅片开始实行。（从单晶开始）硅材料实验室本月完成新标准的修订和受控工作。09年1月开始采购部新签合同按新标准执行，2009Q2开始原有签订的长期合同开始按新标准执行。在此之前采购部完成原有合同的变更。质量部09年元月开始按新标准执行。具体赔偿机制见附件。THANKYOU谢谢