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第一章数字逻辑习题1.1数字电路与数字信号1.1.2图形代表的二进制数0101101001.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例MSBLSB0121112(ms)解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于2−4(2)127(4)2.718解:(2)(127)D=27-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:(1)43(3)254.25解:(43)D=(01000011)BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28(1)+(2)@(3)you(4)43解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示。(1)“+”的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H(2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1.6.1中,已知输入信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形。解:(a)为与非,(b)为同或非,即异或1第二章逻辑代数习题解答2.1.1用真值表证明下列恒等式(3)A⊕=BABAB+(A⊕B)=AB+AB解:真值表如下ABA⊕BABABA⊕BAB+AB0001011011000010100001100111由最右边2栏可知,A⊕B与AB+AB的真值表完全相同。2.1.3用逻辑代数定律证明下列等式(3)A+ABCACDCDEACDE+++()=++解:A+ABCACDCDE+++()=A(1+BCACDCDE)++=+AACDCDE+=+ACDCDE+=+ACD+E2.1.4用代数法化简下列各式(3)ABCB(+C)解:ABCB(+C)=++(ABCBC)(+)=ABACBBBCCBC+++++=ABCABB+(+++1)=ABC+2(6)(A++++BABABAB)()()()解:(A++++BABABAB)()()()=AB⋅+AB⋅+(A+BA)(+B)=AB(9)ABCDABDBCDABCBDBC++++解:ABCDABDBCDABCBDBC++++=ABCDDABDBCDC(++)+(+)=BACADCD(+++)=BACAD(+++)=BACD(++)=ABBCBD++2.1.7画出实现下列逻辑表达式的逻辑电路图,限使用非门和二输入与非门BABAB=++ABB=+AB=+(1)LABAC=+(2)()LDAC=+32.2.2已知函数L(A,B,C,D)的卡诺图如图所示,试写出函数L的最简与或表达式2.2.3用卡诺图化简下列个式(3)()()LABCD=++解:(,,,)LABCDBCDBCDBCDABD=+++4(1)ABCDABCDABADABC++++解:ABCDABCDABADABC++++=ABCDABCDABCCDDADBBCCABCDD++(+)(++)(+)(++)(+)=ABCDABCDABCDABCDABCDABCDABCD++++++(6)LABCD(,,,)=∑m(0,2,4,6,9,13)+∑d(1,3,5,7,11,15)解:5L=+AD(7)LABCD(,,,)=∑m(0,13,14,15)+∑d(1,2,3,9,10,11)LADACAB=++2.2.4已知逻辑函数LABBCCA=++,试用真值表,卡诺图和逻辑图(限用非门和与非门)表示解:1由逻辑函数写出真值表ABCL00000011010101111001101111011110解:6用摩根定理将与或化为与非表达式L=AB+BC+AC=ABBCAC⋅⋅4由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图2由真值表画出卡诺图3由卡诺图,得逻辑表达式LABBCAC=++第三章习题3.1MOS逻辑门电路3.1.1根据表题3.1.1所列的三种逻辑门电路的技术参数,试选择一种最合适工作在高噪声环境下的门电路。表题3.1.1逻辑门电路的技术参数表VOH(min)/VVOL(max)/VVIH(min)/VVIL(max)/V逻辑门A2.40.420.8逻辑门B3.50.22.50.6逻辑门C4.20.23.20.8解:根据表题3.1.1所示逻辑门的参数,以及式(3.1.1)和式(3.1.2),计算出逻辑门A的高电平和低电平噪声容限分别为:VNHA=VOH(min)—VIH(min)=2.4V—2V=0.4VVNLA(max)=VIL(max)—VOL(max)=0.8V—0.4V=0.4V同理分别求出逻辑门B和C的噪声容限分别为:VNHB=1VVNLB=0.4VVNHC=1VVNLC=0.6V电路的噪声容限愈大,其抗干扰能力愈强,综合考虑选择逻辑门C3.1.3根据表题3.1.3所列的三种门电路的技术参数,计算出它们的延时-功耗积,并确定哪一种逻辑门性能最好表题3.1.3逻辑门电路的技术参数表tpLH/nstpHL/nsPD/mW逻辑门A11.216逻辑门B568逻辑门C10101解:延时-功耗积为传输延长时间与功耗的乘积,即DP=tpdPD根据上式可以计算出各逻辑门的延时-功耗分别为DPA=tPLH+tPHLPD=(11.2)+ns*16mw=17.6*10−12J=17.6PJ22同理得出:DPB=44PJDPC=10PJ,逻辑门的DP值愈小,表明它的特性愈好,所以逻辑门C的性能最好.3.1.5为什么说74HC系列CMOS与非门在+5V电源工作时,输入端在以下四种接法下都属于逻辑0:(1)输入端接地;(2)输入端接低于1.5V的电源;(3)输入端接同类与非门的输出低电压0.1V;(4)输入端接10kΩ的电阻到地.解:对于74HC系列CMOS门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:VOL=0.1V,VIL=1.5V,因此有:(1)Vi=0VIL=1.5V,属于逻辑门0(2)Vi1.5V=VIL,属于逻辑门0(3)Vi0.1VIL=1.5V,属于逻辑门0(4)由于CMOS管的栅极电流非常小,通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即Vi0.01VVIL=1.5V,故亦属于逻辑0.3.1.7求图题3.1.7所示电路的输出逻辑表达式.解:图解3.1.7所示电路中L1=AB,L2=BC,L3=D,L4实现与功能,即L4=L1•L2•L3,而L=L4E,所以输出逻辑表达式为L=ABBCDE3.1.9图题3.1.9表示三态门作总线传输的示意图,图中n个三态门的输出接到数据传输总线,D1,D2,……Dn为数据输入端,CS1,CS2……CSn为片选信号输入端.试问:(1)CS信号如何进行控制,以便数据D1,D2,……Dn通过该总线进行正常传输;(2)CS信号能否有两个或两个以上同时有效?如果出现两个或两个以上有效,可能发生什么情况?(3)如果所有CS信号均无效,总线处在什么状态?解:(1)根据图解3.1.9可知,片选信号CS1,CS2……CSn为高电平有效,当CSi=1时第i个三态门被选中,其输入数据被送到数据传输总线上,根据数据传输的速度,分时地给CS1,CS2……CSn端以正脉冲信号,使其相应的三态门的输出数据能分时地到达总线上.(2)CS信号不能有两个或两个以上同时有效,否则两个不同的信号将在总线上发生冲突,即总线不能同时既为0又为1.(3)如果所有CS信号均无效,总线处于高阻状态.3.1.12试分析3.1.12所示的CMOS电路,说明它们的逻辑功能解:对于图题3.1.12(a)所示的CMOS电路,当EN=0时,TP2和均导通,和TN2TP1TN1构成的反相器正常工作,L=A,当EN=1时,和均截止,无论TP2TN2A为高电平还是低电平,输出端均为高阻状态,其真值表如表题解3.1.12所示,该电路是低电平使能三态非门,其表示符号如图题解3.1.12(a)所示。图题3.1.12(b)所示CMOS电路,EN=0时,导通,或非门打开,和构成反TP2TP1TN1相器正常工作,L=A;当EN=1时,截止,或非门输出低电平,使截止,输出端TP2TN1处于高阻状态,该电路是低电平使能三态缓冲器,其表示符号如图题解3.1.12(b)所示。同理可以分析图题3.1.12(c)和图题3.1.12(d)所示的CMOS电路,它们分别为高电平使能三态缓冲器和低电平使能三态非门,其表示符号分别如图题3.1.12(c)和图题3.1.12(d)所示。AL001010(A)(B)(C)(D)10高阻113.1.12(a)AL00001110高阻11高阻3.1.12(b)ENAL00高阻01高阻1001113.1.12(cAL00101010高阻11高阻3.1.12(d)3.2.2为什么说TTL与非门的输入端在以下四种接法下,都属于逻辑1:(1)输入端悬空;(2)输入端接高于2V的电源;(3)输入端接同类与非门的输出高电压3.6V;(4)输入端接10kΩ的电阻到地。解:(1)参见教材图3.2.4电路,当输入端悬空时,T1管的集电结处于正偏,Vcc作用于T1的集电结和T2,T3管的发射结,使T2,T3饱和,使T2管的集电极电位Vc2=VcEs2+VBE3=0.2+0.7=0.9V,而T4管若要导通VB2=Vc2≥VBE4+VD=0.7+0.7=1.4V,故T4截止。又因T3饱和导通,故与非门输出为低电平,由上分析,与非门输入悬空时相当于输入逻辑1。(2)当与非门输入端接高于2V的电源时,若T1管的发射结导通,则VBE1≥0.5V,T1管的基极电位VB≥2+C1=2.5V。而VB1≥2.1V时,将会使T1的集电结处于正偏,T2,T3处于饱和状态,使T4截止,与非门输出为低电平。故与非门输出端接高于2V的电源时,相当于输入逻辑1。(3)与非门的输入端接同类与非门的输出高电平3.6V输出时,若T1管导通,则VB1=3.6+0.5=4.1。而若VB12.1V时,将使T1的集电结正偏,T2,T3处于饱和状态,这时VB1被钳位在2.4V,即T1的发射结不可能处于导通状态,而是处于反偏截止。由(1)(2),当VB1≥2.1V,与非门输出为低电平。(4)与非门输入端接10kΩ的电阻到地时,教材图3.2.8的与非门输入端相当于解3.2.2图所示。这时输入电压为VI=(Vcc-VBE)=10(5-0.7)/(10+4)=3.07V。若T1导通,则VBI=3.07+VBE=3.07+0.5=3.57V。但VBI是个不可能大于2.1V的。当VBI=2.1V时,将使T1管的集电结正偏,T2,T3处于饱和,使VBI被钳位在2.1V,因此,当RI=10kΩ时,T1将处于截止状态,由(1)这时相当于输入端输入高电平。3.2.3设有一个74LS04反相器驱动两个74ALS04反相器和四个74LS04反相器。(1)问驱动门是否超载?(2)若超载,试提出一改进方案;若未超载,问还可增加几个74LS04门?解:(1)根据题意,74LS04为驱动门,同时它有时负载门,负载门中还有74LS04。从主教材附录A查出74LS04和74ALS04的参数如下(不考虑符号)74LS04:IOL(max)=8mA,IOH(max)=0.4mA;IIH(max)=0.02mA.4个74LS04的输入电流为:4IIL(max)=4×0.4mA=1.6mA,4IIH(max)=4×0.0
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