0.8um-5V-CMOS-process-flow

E-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.11~4waferstart1.WaferStartPTYPE100,8-12OHM-CM---100晶向：具较小的缺陷密度，可生长质量好的氧化层.2.Waferlasermark3.Scrubbercleanafterwaferlasermark4.C1clean5~18N-wellimplant5.Padoxide(1000degc;Tox:350A)---作用：作为nitride的垫底，抵消nitride与Si直接接触的应力.机台：1F1，1F2，2F1，2F2，5F1，5F2，5F4，6F16.Si3N4deposition(Thickness:1500ANG)---作用：作为N-WellIMP.幕罩，为后续TwinWell的形成作准备，LPCVD反应式：SiH2Cl2+7NH3Si3N4+3NH4Cl+3HCl+6H2机台：1F4，2F4，9F1PTYPESubstratePadOxideSi3N4E-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.27.RCAC1clean8.AfterSi3N4depositioninspection9.NITRIDEDUMMYORWAITCHILDLOTTOMERGE10.PRcoat(JSG-7980;TK=1.22u;SVG=111;TEL=1)11.Nwellalignmentexposure(192)---通过微影（光阻覆盖coating、曝光、显影等工序）将掩膜板上的图形转移到wafer上，定义出N-well区域，非N-well上保留光阻。PTYPESubstrateSi3N4PRE-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.312.DevelopPR(MF320,NON-CD;JSR-7980;SVG=77;TEL=7)13.ADIcheck14.ADIDUMMYORWAITINGCHILDLOTTOMERGE15.Hard-bake(1180C35min)16.Si3N4dry-etch(490ABC:Si3N4)---作用：用dryetch将无光阻覆盖的N-well上的nitride去除，为N-wellImp.作准备为防止离子通道效应（ChannelingEffect),实际上会留下PadOxide17.Padthickness-measure(afterSi3N4etch)(1.0um:MTKNW1;0.8um:MTKNW2)18.N-Wellimplant(P31/100keV/1.0E13)---作用：植入P以形成N-well。机台：IMP-MED1/2/3PTYPESubstrateSi3N4PRN-WELLP31E-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.419~31P-Wellimplant19.Ashing(PSCpartial-strip:poly,code-imp)---作用：去除wafer上的光阻机台：PSC为O2Plasma干蚀刻机台，以O2分解大部分20.Photoresiststripping(H2SO4)光阻；CR是H2SO4+H2O2反应的湿蚀刻机台用来去除PSCAshing后的残留光阻。PSC+CR21.After-etchinspection22.Standardclean23.Welloxidation(980DEGC;Tox:6000)---作用：通过热氧化在N-Well上生成6000ÅSiO2作为P-WellImp.幕罩，同时将N-wellImp.的杂质向Si-sub内推进机台：5F1，5F2，5F4，6F124.BOE10:1WETETCH(AEWO04/05:0MIN30SEC)PTYPESubstrateSi3N4PRN-WELLWellOxideE-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.525.Si3N4-1Stripping(HotH3PO4,lowratio,PCS.X2)---利用热H3PO4与Si3N4反应去除wafer上的Si3N4，以便P-wellImp26.Padthickness-measure(AfterSi3N4Strip,Tox=350ANG)(1.0um:MTKNR1;0.8um:MTKNR2)27.After-etchinspection28.P-Wellimplant(B11/100keV/6.5E12)---植入B11，能量100Kev，剂量6.5E12，倾角7o。因N-well上有6000Åoxide可以阻挡Imp.对N-well的影响机台：IMP-MED1/2/330.C1clean29.CRclean(secondH2SO4tank)31.Welldiffusion(1150degC;2200ANG;VD=1.5hrs)---藉高温扩散将Imp植入的离子drive-in，直至P-well所需的深度机台：3F2，3F3，4F2，4F3PTYPESubstrateN-WELLWellOxideP-WELLE-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.632-62P-fieldimplant32.BOE10:1Wet-etch(BOE7,BOE9:12min0sec)---用BOE（BufferOxideEtching,HF+NH4F+H2O）去除WAFER表面的SiO2，为activearea（MOS心区域,即源，汲，闸极区域）的定义作准备33.After-etchinspection34.C1clean35.PRE-IMPLANT/DIFFUSIONOXIDE(920DEGC;Tox:250ANG)(PadOxide250ANG)---作为nitride的垫底，抵消nitride与Si直接接触的应力机台：1F1，1F2，2F1，2F2，5F1，5F2，5F4，6F1(1.0um:APDOX1;0.8um:APIOX1)36.Si3N4deposition(Thickness:1500ANG)---同6，为定义activearea作准备，防止activearea被氧化机台：1F4，2F4，9F137.RCAC1cleanPTYPESubstrateN-WELLP-WELLSi3N4Si3N4E-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.738.AfterSi3N4depositioninspection39.NITRIDEDUMMYORWAITCHILDLOTTOMERGE40.PRcoat(V3;TK=1.26u;SVG=141)41.SIN(120)ALIGNEXPOSURE(SIN1500:PAD-OX250)---形成activearea(1.0um:AEXOD1;0.8um:AEXOD2)42.DevelopPR(MF320;Si3N4;V3;SVG=31;TEL=3)43.OD(120)ADICDMEAS1.2CDBAR(SPEC=1.20+-0.12UM;CDOD120B)(1.0um:MSEOD1;0.8um:MSEOD2)44.ADICheck45.ADIDUMMYORWAITINGCHILDLOTTOMERGE46.HardbakePRPRPTYPESubstrateN-WELLP-WELLSi3N4Si3N4E-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.847.SINDRYETCH(08SIN)---定义出Activearea，为后来的LOCOS方法制作FieldOxide做准备机台：Lam490方法：用NF3来进行干蚀刻(1.0um:ANDOD1;0.8um:ANDOD2)48.PADTHICKNESS-MEASURE(AFTER08SINETCH)(1.0um:MTKOD1;0.8um:MTKOD2)49.Ashing(PSCPartial-strip:poly,code-imp)---PSC+CR去除光阻，为下一步离子注入做准备50.Photoresiststripping(H2SO4)51.After-ecthinspection52.1500/250/5X:SINAEI-CDS6000(+-0.12)(1.0um:MCDOD1;0.8um:MCDOD4)PTYPESubstrateN-WELLP-WELLSi3N4Si3N4E-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.953.PRcoat(JSR-7980;TK=1.6u;SVG=221;TEL=2)54.P-Fieldimplantalignmentexposure(193/191)---为了在后来的FieldOxide下面形成一个高搀杂以形成ShallowJunction的P-Type区域，用光阻定义出区域，193为光罩代码55.DevelopPR(MF320,NON-CD;JSR-7980;SVG=77;TEL=7)56.ADICheck57.ADIDUMMYORWAITINGCHILDLOTTOMERGE58.P-Fieldimplant(B11/25keV/5.0E13)---作为通道阻绝(Channelstop)用，防止CurrentLeakage，有时也植入N-Field。方法：B11,剂量：5.0E13,能量：25Kev角度：7o机台：IMP-MED1/2/3,IMP-HIFPTYPESubstrateN-WELLP-WELLSi3N4Si3N4PRPFPFE-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.1059.Ashing(PSCPartial-strip:poly,cod-imp)---PSC+CR去除光阻，引进炉管不能有光阻存在60.Photoresiststripping(H2SO4)61.After-etchinspection62.Standardclean63-72locos&vtimplant63.Fieldoxide(980DEGC;6000ANG)---作用：作为器件隔离机台：5F1,5F2,5F4,6F1方法：厚度较厚，用湿法氧化制作64.BOE10:1Wet-etch(BEO7,BEO9:30sec)PTYPESubstrateN-WELLP-WELLSi3N4Si3N4PRFOXE-1李永辉（Confi）2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.1165.Si3N4–2Stripping(HotH3PO4)---作用：去除SiN，为Source，Drain，Gate的制作做准备。方法：用热磷酸湿式蚀刻法去除66.PADTHICKNESSMEASURE(AFTERSINSTRIP,Tox=250)(1.0um:MTKNR1;0.8um:MTKNR3)67.After-etchinspection68.HF50:1Padoxideremove(9min)---作用：垫氧化层去除，也是为Source，DrainGate的制作