电流检测方法

电流检测方法1传统的电流检测方法1.1利用功率管的RDS进行检测(RDSSENSING)当功率管(MOSFET)打开时,它工作在可变电阻区,可等效为一个小电阻。MOSFET工作在可变电阻区时等效电阻为:式中:μ为沟道载流子迁移率;COX为单位面积的栅电容;VTH为MOSFET的开启电压。如图1所示,已知MOSFET的等效电阻,可以通过检测MOSFET漏源之间的电压来检测开关电流。这种技术理论上很完美,它没有引入任何额外的功率损耗,不会影响芯片的效率,因而很实用。但是这种技术存在检测精度太低的致命缺点:(1)MOSFET的RDS本身就是非线性的。(2)无论是芯片内部还是外部的MOSFET,其RDS受μ,COX,VTH影响很大。(3)MOSFET的RDS随温度呈指数规律变化(27～100℃变化量为35%)。可看出,这种检测技术受工艺、温度的影响很大,其误差在-50%～+100%。但是因为该电流检测电路简单,且没有任何额外的功耗,故可以用在对电流检测精度不高的情况下,如DC2DC稳压器的过流保护。图1利用功率管的RDS进行电流检测1.2使用检测场效应晶体管(SENSEFET)这种电流检测技术在实际的工程应用中较为普遍。它的设计思想是:如图2在功率MOSFET两端并联一个电流检测FET,检测FET的有效宽度W明显比功率MOSFET要小很多。功率MOSFET的有效宽度W应是检测FET的100倍以上(假设两者的有效长度相等,下同),以此来保证检测FET所带来的额外功率损耗尽可能的小。节点S和M的电流应该相等,以此来避免由于FET沟道长度效应所引起的电流镜像不准确。图2使用场效应晶体管进行电流检测在节点S和M电位相等的情况下,流过检测FET的电流IS为功率MOSFET电流IM的1/N(N为功率FET和检测FET的宽度之比),IS的值即可反映IM的大小。1.3检测场效应晶体管和检测电阻相结合如图3所示,这种检测技术是上一种的改进形式,只不过它的检测器件不是FET而是小电阻。在这种检测电路中检测小电阻的阻值相对来说比检测FET的RDS要精确很多,其检测精度也相对来说要高些,而且无需专门电路来保证功率FET和检测FET漏端的电压相等,降低了设计难度,但是其代价就是检测小电阻所带来的额外功率损耗比第一种检测技术的1/N2还要小(N为功率FET和检测FET的宽度之比)。此技术的缺点在于,由于M1,M3的VDS不相等(考虑VDS对IDS的影响),IM与IS之比并不严格等于N,但这个偏差相对来说是很小的,在工程中N应尽可能的大,RSENSE应尽可能的小。在高效的、低压输出、大负载应用环境中,就可以采用这种检测技术。图3场效应晶体管与电阻相结合进行电流检测2新型的电流检测方法在图4中,N_DRV为BUCK稳压器的同步管栅极驱动信号,N_DRV_DC为N_DRV经过1个三阶RC低通滤波器之后滤出的直流分量,并且该直流分量为比较器的一端输入,比较器的另一端输入为一基准电压值BIAS3,比较器的输出LA28(数字信号,输出到芯片的控制逻辑)为DC2DC负载电流状态检测信号。图4新型电流检测方法基本原理等效架构图该电流检测电路的作用如下:在一个稳压器芯片中,既包括一个DC2DC(BUCK),又包括一个LDO,中载和重载时工作于PWM模式,轻载时(约为3mA以下)工作于LDO下,而本文提出电流检测电路的作用是:当其负载电流小于一定值时(此时开关稳压器处于DCM模式下),LA28电平跳遍,实现PWM模式向LDO模式的模式切换。图5检测DCDC负载电流的基本原理图5是DCM模式下电感电流IL与同步管栅极驱动信号N_DRV的波形图。