硅外延及其应用_徐远志

*12221．6500312．650500MBE、CVD、LPESi。MBECVDLPETN304.1+2A1006－0308201303－0046－05EpitaxialSiliconandItsApplicationXUYuan－zhi12HULiang2WUZhong－yuan21．KunmingYeyanNew－MaterialCo．Ltd．KunmingYunnan650031China2．CollegeofChemicalEngineeringKunmingUniversityofScienceandTechnologyKunmingYunnan650500ChinaABSTRACTSiliconepitaxygrowthtechnologyisintroducedandthreekindsoftechnologiesappliedtosiliconepitaxyaresumma-rizedmolecularbeamepitaxyMBEchemicalvapordepositionCVDliquiddepositionLPEandtheapplicationofSibaseepitaxi-almaterialdeviceisalsointroduced．KEYWORDSMBECVDLPEsiliconepitaxyapplication、、、。95%99%IC。21。ICPW。60。SEMI201399.95in2。2080PW/。MPU、、、DRAMCMOS。。VPE、MBE、LPECMOS、、、。6420136423240YUNNANMETALLURGYJun．2013Vol.42．No.3Sum240*2013－04－071964－。11.1。──。。、。、、、、。。。FZCZ。CZ－Si。FZ－Si。。。1959──。。。1－3。。8in12in。、、、、、。8in12in16in。1.2。1。2。3、、、。chemicalvapordepositionCVD。CVDCVD。。。CVDMOCVD、CVDPECVD、CVDUHVCVD、CVDRTCVD、、XCVD。4。5、、。6、。1.30.6mmIC0.1%nmIC。。。。74。。GaAs。GexSi1－x。①。②。③、、、、④。2、、、、、、。、。2.1MBE50。。、、4。53inSiCdTe。300cm－280arcsec5.0×106/cm2。。6Si001Ge0.975Sn0.025。Ge0.975Sn0.025Sn500℃。7Si111SiCSiC/Si。1000℃。2.2CVD8。CVD、、、PECVD、LCVD9、UHVCVD、UVCVD10HWCVD11。CVD、。12UVCVDUHVCVDSiGe/SiHBTSiGeHBT。。13MOCVDSi111InGaNLED。GaNSiAlNGaN。LED20mA3.7－4.1V465～480nm30mcd。2.3LPENelson1963。。。8420136423240YUNNANMETALLURGYJun．2013Vol.42．No.3Sum24014。Si、GaAs、GaP、15。16Si211BSi/CdTeHgCdTe。SiHgCdTe5～8×105/cm2HgCdTe。17、、。“”。3SiSi。SiGe、GaN、HgCdTeSiSi。3.1VDMOSVDMOS、、18。190.12mN。74μm74Ω·cm。20530～650MHz20WCWSi－VDMOS28V50mA20W49%7.5dB。3.2、、、。0.4V、。21UHVCVDCVD、。31GHz。22UHVCVD550℃。2－3。3.3、、、、、。。23SiGe/SiHBT。β505.1GHz。24MOCVDSiGaNHEMT。1mm2GHz25V5W9dB35%。3.4LEDLED。25SiAlNSiNGaN。GaNLED469.2nm。26MOCVDSi3.8μmLEDGaN。3.5V0.01μA7mW。3.5、、、27。28SiNHVCVDGeSiPINSiGe1.55pmGe33000cm－1。944、、、、。、。。。、、。GaAs。、、、、、“”。、、、、MBEMOCVD。SiGe/Si、SOI。、。。1．M．2000．2．M．2010．3．M．2012．4J．ChengV．K．LazarovetalJ．ofVacuumScience＆Tech-nologyB．200927148．5．3CdTe/SiJ．2011415537－541．6．Si001Ge0．975Sn0．025J．2011602707－711．7．SiCSiJ．201127122953－2959．DOI10．3866/PKU．WHXB20112953．8．M．2007185－187．9．CVDJ．1998521－5．10ChemicallyKHDepositedExipitaxialSiGeThinGrowthatAtomo-sphericPressureJ。ApplPhysLett199362161967－1971．11．CH4/H2J．200625281－85．12．UVCVD/UHVCVDSiGeHBTJ．2003303306－30832513．InGaNLEDJ．200515558－61．14．J．20063561307－1312．15．J．2004512－16．16．SiHgCdTeD．2008．17．C．//．199858－66．18．MOSFETM．199031－33．19．VDMOSJ．20112769－1075．20．530～650MHz20WCWSi－VDMOSJ．2009292192－194286．21．J．2003246622－625．22．CVDJ．200640122041－2043．23．SiGe/SiJ．2000303144－146．24．5WSiGaNHEMTJ．200833162－64．25．GaNLEDJ．2009314544－546．26．GaNLEDD．2006．27．J．1994234220－226．28．SiSiGe、GeGeD．2009．0520136423240YUNNANMETALLURGYJun．2013Vol.42．No.3Sum240