产品说明书-2SF180200SYL

2SF180200SYL杭州士兰微电子股份有限公司                                           版本号：1.0     2010.01.27超快恢复二极管芯片描述Ø 2SF180200SYL是采用硅外延工艺制造的超快恢复二极管芯片；Ø超快的恢复时间；Ø大电流能力；Ø高抗浪涌电流能力；Ø低正向压降；Ø低反向漏电流；订货说明产品名称说  明2SF180200SYL适用于金丝和硅铝丝的压焊封装芯片示意图及尺寸：La：芯片尺寸，1800μm；Lb：压点尺寸，1540μm；芯片介绍项      目描       述芯片尺寸5Inch芯片厚度280±20μm.正面金属 /厚度AL/3μm背面金属 /厚度Ag/1.5μm管芯尺寸1800μm X 1800μm压点尺寸1540μm X 1540μm划片道宽度80μm极限参数(Tamb=25°C)参    数符号额定值单位最大反向重复峰值电压VRRM200V最大反向有效电压VRMS140V正向平均整流电流IFAV10A正向峰值浪涌电流@8.3msIFSM100A最高工作结温TJ150°C芯片存储温度TSTG­55~150°C2SF180200SYL杭州士兰微电子股份有限公司                                           版本号：1.0     2010.01.27页电参数规格(Tamb=25°C)参    数符号测试条件最小值最大值单位反向击穿电压VBR IR=50μA200­­V正向压降VF IF=10A­­0.975V反向漏电流IR VR=200V­­10μA恢复时间Trr IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25A­­35ns声明：•士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。•任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！•产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！