深入剖析LED的散热问题

LED照明网的散热现在越来越为人们所重视，这是因为LED的光衰或其寿命是直接和其结温有关，散热不好结温就高，寿命就短，依照阿雷纽斯法则温度每降低10℃寿命会延长2倍。从Cree公司发布的光衰和结温的关系图（图1）中可以看出，结温假如能够控制在65°C，那么其光衰至70％的寿命可以高达10万小时！这是人们梦寐以求的寿命，可是真的可以实现吗？是的，只要能够认真地处理它的散热问题就有可能做到！遗憾的是，现在实际的LED灯的散热和这个要求相去甚远！以致LED灯具的寿命变成了一个影响其性能的主要问题，所以必须要认真对待！图1.光衰和结温的关系而且，结温不但影响长时间寿命，也还直接影响短时间的发光效率，例如Cree公司的XLamp7090XR-E的发光量和结温的关系如图2所示。LED照明网，那么结温上升至60度时，其发光量就只有90%；结温为100度时就下降到80%；140度就只有70%。可见改善散热，控制结温是十分重要的事。除此以外LED的发热还会使得其光谱移动；色温升高；正向电流增大（恒压供电时）；反向电流也增大；热应力增高；荧光粉环氧树脂老化加速等等种种问题，所以说，LED的散热是LED灯具的设计中最为重要的一个问题。第一部分LED芯片的散热一、结温是怎么产生的LED发热的原因是因为所加入的电能并没有全部转化为光能，而是一部分转化成为热能。LED的光效目前只有100lm/W，其电光转换效率大约只有20~30%左右。也就是说大约70%的电能都变成了热能。具体来说，LED结温的产生是由于两个因素所引起的。1．内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100％都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使PN区载流子的复合率降低。泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热能，但这部分不占主要成分，因为现在内部光子效率已经接近90％。2．内部产生的光子无法全部射出到芯片外部而最后转化为热量，这部分是主要的，因为目前这种称为外部量子效率只有30％左右，大部分都转化为热量了。LED照明网虽然白炽灯的光效很低，只有15lm/W左右，但是它几乎将所有的电能都转化为光能而辐射出去，因为大部分的辐射能是红外线，所以光效很低，但是却免除了散热的问题。二、LED芯片到底板的散热LED芯片的特点是在极小的体积内产生极高的热量。而LED本身的热容量很小，所以必须以最快的速度把这些热量传导出去，否则就会产生很高的结温。为了尽可能地把热量引出到芯片外面，人们在LED的芯片结构上进行了很多改进。为了改善LED芯片本身的散热，其最主要的改进就是采用导热更好的衬底材料。早期的LED只是采用Si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，（在100°C时约为25W/（m-K）），为了改善衬底的散热，Cree公司采用碳化硅硅衬底，它的导热性能（490W/（m-K））要比蓝宝石高将近20倍。而且蓝宝石要使用银胶固晶，而银胶的导热也很差。而碳化硅的唯一缺点是成本比较贵。目前只有Cree公司生产以碳化硅为衬底的LED。图3.蓝宝石和碳化硅衬底的LED结构图采用碳化硅作为基底以后，的确可以大为改善其散热，但是其成本过高，而且有专利保护。最近国内的厂商开始采用硅材料作为基底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝（AlN）作缓冲。LED照明网(m·K)膨胀系数(x10E-6)稳定性导热性成本ESD(抗静电)碳化硅(SiC)490-1.4良好高好蓝宝石(Al2O3)461.9一般差为SiC的1/10一般硅(Si)1505~20良好为蓝宝石的1/10好LED芯片封装以后，从芯片到管脚的热阻就是在应用时最重要的一个热阻，一般来说,芯片的接面面积的大小是散热的关键，对于不同的额定功率，要求有相应大小的接面面积。也就表现为不同的热阻。几种类型的LED的热阻如下所示：类型草帽管食人鱼1W面发光热阻ºK/W150-200508-155早期的LED芯片主要靠两根金属电极而引出到芯片外部，最典型的就是称为ф5或F5的草帽管，它的散热完全靠两根细细的金属导线引出去，所以散热效果很差，热阻很大，这也就是为什么这种草帽管的光衰很严重的原因。此外，封装时采用的材料也是一个很重要的问题。小功率LED通常采用环氧树脂作为封装材料，但是环氧树脂对400-459nm的光线吸收率高达45%，很容易由于长期吸收这种短波长光线以后产生的老化而使光衰严重，50%光衰的寿命不到1万小时。因而在大功率LED中必须采用硅胶作为封装材料。硅胶对同样波长光线的吸收率不到1%。从而可以把同样光衰的寿命延长到4万小时。下面列出各家LED芯片公司所生产的各种型号LED的热阻公司名称芯片型号芯片类型热阻°C/W亿光EHP53931W冷白13亿光EHP－A08L/UT011W，5600K15爱迪生EdixeonSseries1W，5K-8K13-14爱迪生EdixeonKseries1W,8LumenledLuxeonEmitter1W，4.5K-5.5K15NichiaNJSL036AT1W，30CreeXLamp7090XR-E1W8CreeXLampXP-G1W6LED照明网光宝（Lite-On）LTW-M670ZVS（3020）0.07W，20mA160琉明斯30140.1W，30mA45由表中可见，Cree公司的LED的热阻因为采用了碳化硅作基底，要比其他公司的热阻至少低一倍。大功率LED为了改进散热通常在基底下面再放一块可焊接的铜底板以便焊到散热器上去。这些热阻实际上都是在这个铜底板上测得的。是不是碳化硅就是LED衬底的最佳选择呢，不是这样，任何事物都会有创新和发展的，最近台湾的钻石科技开发出了钻石岛外延片(DiamondIslandsWafer，DIW)做为生产超级LED的基材。这种LED的热阻可以低至5°C/W。用它制成的超级LED可发出极强的紫外光，其强度不因高温而降低，反而会更亮。其结构图如图4所示。图4.采用类钻碳(DiamondLikeCarbon，DLC)的镀膜可以大大改善LED的散热LED照明网。而且荧光粉不是采用和环氧树脂或硅胶混合的方法而是直接涂于芯片表面还可以避免由于环氧树脂和硅胶的老化而产生的光衰。这将会使整个LED产生革命性变化。而且摆脱了日美等国的专利束缚。三、集成LED的散热现在有不少厂商把很多LED晶粒集成在一起以得到大功率的LED。这种LED的功率可以达到5W以上，大多以10W，25W，和50W的功率等级出现。为了把多个LED晶粒（以共晶（Eutectic）或覆晶（Flip-Chip）封装）连接在一起，因为这些晶粒极为精细，所以需要采用精确的印制电路进行连接。为了得到更好的散热特性，通常采用陶瓷基板。这种陶瓷基板是由氧化铝和氮化铝构成。各种材料的导热系数如下表所示。材料导热系数W/mKFR4（普通印制板的玻璃纤维）0.2氧化铝17-27氮化铝170-230金315银425铜398不论氮化铝还是氧化铝，它们都是一种绝缘的陶瓷材料，所以可以把印制电路做在上面。但是氮化铝具有高10倍的导热系数，所以现在更常用氮化铝。过去采用厚膜电路，但是其表面不平，电路边缘毛糙，而且需要800°C以上的烧结温度。现在大多采用薄膜电路，因为它只需要300度以下的工艺，表面平整度可以0.3um，不会有氧化物生成，附着性好，电路精细，误差低于+/-1%。它实际上是采用照相刻蚀的方法来制作，采用氧化铝为基底的薄膜电路制备的具体过程如下：LED照明网芯片的散热，然而任何LED都会制成灯具，所以LED芯片所产生的热量最后总是通过灯具的外壳散到空气中去。如果散热不好，因为LED芯片的热容量很小，一点点热量的积累就会使得芯片的结温迅速提高，如果长时期工作在高结温的状态，它的寿命就会很快缩短。然而这些热量要能够真正引导出芯片到达外部空气，要经过很多途径。具体来说，LED芯片所产生的热，从它的金属散热块出来，先经过焊料到铝基板的PCB，再通过导热胶才到铝散热器。所以LED灯具的散热实际上包括导热和散热两个部分。现在先来看一下每一个环节的导热性能。四、各种电路基板的导热在把LED连接到散热器之前，首先要把它们焊接到电路中去，因为首先要把这些LED连接成几串几并，同时还要把他们和恒流源在电路上连接起来。最简单的办法是把它们直接焊接到普通印制板上去。对于一些很小功率的LED，例如LED指示灯的确是可以这样做的。但是对于大多数高亮度和高功率LED来说，普通玻璃纤维印制板的导热性能就显得太差了，而必须改成用铜基板或铝基板甚至陶瓷覆铜板。各种基板的性能如下：基板类型特点普通印制电路板技术成熟，具有Layout上的优势，散热性能差、尺寸大，LED照明网只适合于低功率产品柔性印制电路重量轻，可弯性，厚度薄，热传导率约为：2~3W/mK高导热系数铝基板印制板基底为铝板，热传导率约为1~2.2W/mK陶瓷覆铜板DCB热传导率高，约200~800W/mK，制作困难，不易量产4.1铝基板目前几乎绝大多数的LED灯具中都采用了铝基板。铝基板上电路的铜箔为了要导电和导热要有足够的厚度和宽度，其厚度在35µm-280µm之间。其宽度最好尽可能布满整个基板，以便把热传下去。而下面一层绝缘体则要求其绝缘性能很好，而且还要导热性能很好。然而这两个性能是矛盾的，通常都是导体的导热性能好，而绝缘体的导热性能差。又要导热好又要绝缘好是很难做到的。也是一种科研的课题。目前采用的是一种掺有陶瓷填充物的改性环氧树脂或环氧玻璃布粘结片。通过热压把铜箔绝缘体和铝板粘结起来。有一些LED灯具，虽然散热器是经过精心设计，但是很快就坏，问题就是出在采用了热阻很大的铝基板或是剥离强度很差的铝基板。用一段时间，电路薄膜就翘了起来，也就完全无法导热，很快就烧坏LED。对于优质铝基板通常要求其热阻小于1°C/W。下表是某种铝基板的规格：性能指标I型铝基板II型铝基板热阻（°C/W）铝板厚1.5mm0.90.9剥离强度（N/mm）1.82.0绝缘电阻（MΩ）107106击穿电压（KV）33热冲击（260°C）S（秒）120120燃烧性UL94V-0UL94V-0铜箔厚（mm）0.018,0.035,0.070尺寸规格（mm）500x600x(0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0)国外和台湾已经能够生产一种“全胶铝基板”。所谓全胶是指它的绝缘层完全不用绝缘布，而是用一种绝缘胶。采用绝缘布的铝基板的热阻实际上通常在1.7-3.2°C/W。而采用全胶的铝基板的热阻可以做到0.05°C/W，市场出售的商品也可以低至0.2-0.5°C/W。LED照明网一种性能更好的铝基板是采用直接在铝板上生成陶瓷印制电路。先在铝的表面用微弧氧化生长一层100μm厚的氧化铝薄膜，再用溅射或丝网印刷制作电路层。采用这种方法的最大优点是结合力强，而且导热系数高达2.1W/m.K，而且氧化层的热膨胀系数和铝差不多，所以它的剥离强度高达5N/mm以上。只是因为这种陶瓷铝基板的加工制造过程复杂，成本高，所以还很少采用。虽然铝基板只是一种特殊的印制板，但是它却承担着很重的散热任