实验十四--直流激励时霍尔式传感器位移特性实验

实验十四直流激励时霍尔式传感器位移特性实验一、实验目的：了解霍尔式传感器原理与应用。二、基本原理：根据霍尔效应，霍尔电势UH=KHIB，当霍尔元件处在梯度磁场中运动时，它就可以进行位移测量。三、需用器件与单元：霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、直流源±4V、±15Ｖ、测微头、数显单元、相敏检波、移相、滤波模板、双线示波器。四、实验步骤：（一）直流激励时霍尔式传感器1、将霍尔传感器按图5-1安装。霍尔传感器与实验模板的连接按图5-2进行。1、3为电源±4Ｖ，2、4为输出。图5-1霍尔传感器安装示意图2、开启电源，调节测微头使霍尔片在磁钢中间位置再调节RW1使数显表指示为零。图5-2霍尔传感器位移直流激励实验接线图3、旋转测微头向轴向方向推进，每转动0.2mm记下一个读数，直到读数近似不变，将读数填入表5-1。表5-1X(mm)9.7009.5009.3009.1008.9008.7008.5008.3008.1007.900V(v)00.010.010.020.030.040.050.060.070.08X(mm)7.7007.5007.3007.1006.9006.7006.5006.3006.1005.900V(v)0.090.100.110.120.130.140.150.160.180.19X(mm)5.7005.5005.3005.1004.9004.700V(v)0.200.210.220.230.240.24作出V-X曲线，计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。