DH4512系列霍尔效应实验仪(改图)n

霍尔效应和霍尔法测量磁场DH4512系列霍尔效应实验仪（实验讲义）使用说明书杭州大华科教仪器研究所杭州大华仪器制造有限公司1DH4512型霍尔效应实验仪使用说明一、概述DH4512型霍尔效应实验仪用于研究霍尔效应产生的原理及其测量方法，通过施加磁场,可以测出霍尔电压并计算它的灵敏度，以及可以通过测得的灵敏度来计算线圈附近各点的磁场。DH4512采用双个圆线圈产生实验所需要的磁场（对应实验一内容）；DH4512B型采用螺线管产生磁场（对应实验一、实验二的内容）。图1-1DH4512霍尔效应双线圈实验架平面图图1-2DH4512霍尔效应螺线管实验架平面图二、仪器构成2DH4512型霍尔效应实验仪由实验架和测试仪二个部分组成。图1-1为DH4512型霍尔效应双线圈实验架平面图，图1-2为DH4512型霍尔效应螺线管实验架平面图；图1-3为DH4512型霍尔效应测试仪面板图。三、主要技术性能1、环境适应性：工作温度10～35℃；相对湿度25～75%。2、DH4512型霍尔效应实验架（DH4512、DH4512A）二个励磁线圈：线圈匝数1400匝(单个)；有效直径72mm；二线圈中心间距52mm下表为电流与磁感应强度对应表(双个线圈通电)：电流值（A）0.10.20.30.40.5中心磁感应强度（mT）2.254.506.759.0011.25移动尺装置：横向移动距离70mm，纵向移动距离25mm，距离分辨率0.1mm。霍尔效应片类型：N型砷化镓半导体3、DH4512型霍尔效应螺线管实验架（DH4512A、DH4512B）：线圈匝数1800匝,有效长度181mm，等效半径21mm。移动尺装置：横向移动距离235mm，纵向移动距离20mm，距离分辨率0.1mm霍尔效应片类型：N型砷化镓半导体4、DH4512型霍尔效应测试仪DH4512型霍尔效应测试仪主要由0～0.5A恒流源、0～3mA恒流源及20mV量程三位半电压表组成。a)霍尔工作电流用恒流源Is工作电压24V，最大输出电流3mA，3位半数字显示，输出电流准确度为0.5%。b)磁场励磁电流用恒流源IM工作电压24V，最大输出电流0.5A，3位半数字显示，输出电流准确度为0.5%。c)霍尔电压测量用直流电压表图1-3DH4512系列霍尔效应测试仪面板图319.99mV量程,3位半LED显示，分辨率10μV,测量准确度为0.5%5、电源AC220V±10%，功耗：50VA6、外形尺寸测试架：320×270×250mm，测试仪：320×300×120mm四、使用说明1、测试仪的供电电源为交流220V，50Hz,电源进线为单相三线。2、电源插座安装在机箱背面，保险丝为1A，置于电源插座内,电源开关在面板的左侧。3、实验架各接线柱连线说明如图1-3。1)连接到霍尔片的工作电流端(红色插头与红色插座相联,黑色插头与黑色插座相联)2)连接到测试仪上霍尔工作电流端(红色插头与红色插座相联,黑色插头与黑色插座相联)3)连接到测试仪上霍尔电压输入端(红色插头与红色插座相联,黑色插头与黑色插座相联)4)用一边是分开的接线插、一边是双芯插头的控制连接线与测试仪背部的插孔相连接(红色插头与红色插座相联,黑色插头与黑色插座相联)5)连接到霍尔片霍尔电压输出端(红色插头与红色插座相联,黑色插头与黑色插座相联)图1-4实验架各接线柱连线说明图6)方向切换开关7)连接到磁场励磁线圈端子,出厂前已在内部连接好48)连接到测试仪磁场励磁电流端(红色插头与红色插座相联,黑色插头与黑色插座相联)4、测试仪面板上的“Is输出”“IM输出”和“VH输入”三对接线柱应分别与实验架上的三对相应的接线柱正确连接。5、将控制连接线一端插入测试仪背部的二芯插孔，另一端连接到实验架的控制接线端子上。6、仪器开机前应将Is、IM调节旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电流趋于最小状态，然后再开机。7、仪器接通电源后，预热数分钟即可进行实验。8、“Is调节”和“IM调节”分别来控制样品工作电流和励磁电流的大小，其电流随旋钮顺时针方向转动而增加，细心操作。9、关机前，应将“Is调节”和“IM调节”旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电流趋于零，然后才可切断电源。10、继电器换向开关的使用说明单刀双向继电器的电原理如图1-5所示。当继电器线包不加控制电压时，动触点与常闭端相连接；当继电器线包加上控制电压时，继电器吸合，动触点与常开端相连接。图1-5继电器工作示意图实验架中，使用了三个双刀双向继电器组成三个换向电子闸刀，换向由接钮开关控制。电原理图如图1-5所示。当未按下转换开关时，继电器线包不加电，常闭端与动触点相连接；当按下按钮开关时，继电器吸合，常开端与动触点相连接,实现连接线的转换。由此可知，通过按下、按上转换开关，可以实现与继电器相连的连接线的换向功能。五、仪器使用注意事项1.当霍尔片未连接到实验架，并且实验架与测试仪未连接好时，严禁开机加电，否则，极易使霍尔片遭受冲击电流而使霍尔片损坏。2.霍尔片性脆易碎、电极易断，严禁用手去触摸，以免损坏！在需要调节霍尔片位置时，必须谨慎。3.加电前必须保证测试仪的“Is调节”和“IM调节”旋钮均置零位（即逆时针旋到底），严防Is、IM电流未调到零就开机。54.测试仪的“Is输出”接实验架的“Is输入”，“IM输出”接“IM输入”。决不允许将“IM输出”接到“Is输入”处，否则一旦通电，会损坏霍尔片！5.为了不使通电线圈过热而受到损害，或影响测量精度，除在短时间内读取有关数据，通过励磁电流IM外，其余时间最好断开励磁电流。6.注意：移动尺的调节范围有限！在调节到两边停止移动后，不可继续调节，以免因错位而损坏移动尺。六、仪器成套性1、DH4512霍尔效应实验仪包括以下部分：aDH4512霍尔效应实验仪测试仪bDH4512霍尔效应实验仪实验架（双线圈产生磁场，包含霍尔片）c实验讲义1份d交流电源线1根e专用控制插座线1根f测试线6根2、DH4512A霍尔效应实验仪包括以下部分：aDH4512霍尔效应实验仪测试仪bDH4512霍尔效应实验仪实验架（双线圈产生磁场，包含霍尔片）cDH4512螺线管霍尔效应实验架（包含霍尔片）d实验讲义1份e交流电源线1根f专用控制插座线1根g测试线6根3、DH4512B霍尔效应实验仪包括以下部分：aDH4512霍尔效应实验仪测试仪bDH4512螺线管霍尔效应实验架（包含霍尔片）c实验讲义1份d交流电源线1根e专用控制插座线1根f测试线6根6实验一霍尔效应实验和霍尔法测量磁场霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象，故称霍尔效应。后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又利用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展，现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来，霍尔效应实验不断有新发现。1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。[实验目的]1、霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2、测绘霍尔元件的VH—Is，VH—IM曲线，了解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is、磁感应强度B及励磁电流IM之间的关系。3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。4、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。[实验仪器]DH4512系列霍尔效应实验仪[实验原理]霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。如图2-1所示，磁场B位于Z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is（称为工作电流），假设载图2-17流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流Is相反的X负向运动。由于洛仑兹力fL作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转，并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fE的作用。随着电荷积累的增加，fE增大，当两力大小相等（方向相反）时，fL=－fE，则电子积累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场EH，相应的电势差称为霍尔电势VH。设电子按均一速度V，向图示的X负方向运动，在磁场B作用下，所受洛仑兹力为：fL=－eVB式中：e为电子电量，V为电子漂移平均速度，B为磁感应强度。同时，电场作用于电子的力为：fEHHeVeEl式中：EH为霍尔电场强度，VH为霍尔电势，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时:fL=－fEVB=VH/l（1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的工作电流为ldVneIs（2）由(1)、(2)两式可得：dIsBRdIsBnelEVHHH1（3）即霍尔电压VH(A、B间电压)与Is、B的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数neRH1称为霍尔系数（严格来说，对于半导体材料，在弱磁场下应引入一个修正因子，从而有），它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导率ne的关系，还可以得到：pRH/或HR（4）式中：为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用N型半导体材料。当霍尔元件的材料和厚度确定时，设：nedldRKHH//（5）将式（5）代入式（3）中得：IsBKVHH（6）83AneRH1838式中：HK称为元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流下的霍尔电势大小，其单位是TmAmV/，一般要求HK愈大愈好。由于金属的电子浓度n很高，所以它的RH或KH，都不大，因此不适宜作霍尔元件。此外元件厚度d愈薄，KH愈高，所以制作时，往往采用减少d的办法来增加灵敏度，但不能认为d愈薄愈好，因为此时元件的输入和输出电阻将会增加，这对霍尔元件是不希望的。本实验采用的双线圈霍尔片的厚度d为0.2mm，宽度l为2.5mm，长度L为3.5mm。螺线管霍尔片的厚度d为0.2mm，宽度l为1.5mm，长度L为1.5mm。应当注意：当磁感应强度B和元件平面法线成一角度时（如图2-2），作用在元件上的有效磁场是其法线方向上的分量cosB，此时：BIsBKVHHcos所以一般在使用时应调整元件两平面方位，使VH达到最大，即：0，这时有：BIsBKVHHcosIsBKH（7）由式（7）可知，当工作电流Is或磁感应强度B，两者之一改变方向时，霍尔电势VH方向随之改变；若两者方向同时改变，则霍尔电势VH极性不变。图2-2图2-3霍尔元件测量磁场的基本电路（如图2-3），将霍尔元件置于待测磁场的相应位置，并使元件平面与磁感应强度B垂直，在其控制端输入恒定的工作电流Is，霍尔元件的霍尔电势输出端接毫伏表，测量霍尔电势VH的值。［实验项目］一、研究霍尔效应及霍尔元件特性（DH4512、DH4512A、DH4512B适用）1、测量霍尔元件零位（不等位）电势V0及不等位电阻R0＝V0／IS2、研究VH与励磁电流IM和工作电流IS之间的关系二、测量通电圆线圈的磁感应强度B（DH4512、DH4512A适用）1、测量通电圆线圈中心的磁感应强度B2、测量通电圆线圈中磁感应强度B的分布［实验方法与步骤］9一、按仪器面板上的文字和符号提示将DH4512型霍