肖特基二极管简介

肖特基二极管简介肖特基二极管是以其发明人肖特基（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（SchottkyRectifierDiode缩写成SR），也叫做：肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode缩写成SBD）的简称。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有：共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。BTA54BTA54ABTA54CBTA54S1N5819DO41SS12-SS1003、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。也就是常说的插件封装。常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为“SS”？SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：SurfaceMountedDevices的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为SS，同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它在开关没有时存储电荷和移动效应。所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间trr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降VF较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。这是肖特基二极管的两大优点，但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，二是反向漏电流IR较大。肖特基的最高电压是200V，也就是说，肖特基的极限电压是200V。超过200V电压的也必定是模块。电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。10A、20A、30A规格的有做到200V电压。电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是摩托罗拉产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件例如：MBR10200CTM：MOTOROLA缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。T：表示管装MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装,即TO-252MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装，即TO-263MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220F全塑封MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。如：SS12、SS14、SS16、SS18....常用的参数(1)VF正向压降ForwardVoltageDrop(2)VBR反向击穿电压BreakdownVoltage(3)IR反向电流ReverseCurrent(4)IF(AV)正向电流ForwardCurrent(5)VFM最大正向压降MaximumForwardVoltageDrop(6)VRMS能承受的反向有效值电压RMSInputVoltage(7)VRWM反向峰值工作电压WorkingPeakReverseVoltage(8)VDC最大直流截止电压MaximumDCBlockingVoltage(9)Trr反向恢复时间ReverseRecoveryTime(10)IFSM最大正向浪涌电流MaximumForwardSurgeCurrent(11)TA环境温度或自由空气温度AmbientTemperature(12)TJ工作结温OperatingJunctionTemperature(13)TSTG储存温度StorageTemperatureRange(16)TC管子壳温CaseTemperature