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工程计划表目录■■■■■市场分析(1)汽车电子领域通信领域办公领域自动化领域工业领域消费领域单位:(百万/美元)市场分析(2)日本除日本以外的亚洲国家美国欧洲单位:(百万/美元)市场分析(3)汽车电子闪光灯工业领域电磁加热工业领域点火器电磁加热电磁加热汽车电子市场分析(4)FSC→IH(电磁加热),MOTOR(马达驱动)INFINEON→IH(电磁加热),INVERTER(变频器)TSB→IH(电磁加热),DSC(数码相机)RENESAS→PDP(等离子显示屏),DSC(数码相机)IR→MOTOR(马达驱动)全球范围内年复合增长率:13.1%亚洲年复合增长率:17.1%市场目标(1)市场容量:◎(大),○(中),△(小)市场能力:H(高),M(中),L(低)产品应用市场容量市场能力竞争对手增长率收益率难易度消费电子领域电磁加热◎MLLINFINEONFAIRCHILD家用电器△MˉMˉ数码相机闪光灯◎MHHRENESAS等离子显示屏○LLHRENESAS工业领域马达控制○HHHINFINEONIR逆变器/UPS○HHM焊机○MML自动化领域点火器◎MHHFAIRCHILD汽车电子领域模块芯片◎HHHˉ市场目标(2)电磁加热(1200V)电磁加热(600V)电磁加热(900V)家用电器模块芯片逆变器马达焊机高低小大市场占有率工艺技术点火器闪光灯市场目标(3)电磁加热市场分析(在中国)电磁加热情况在感应加热领域中,中国10大企业的IGBT消耗量占整体的50%。每年以30~40%的速度增长1153M台/广州竞争者在市场占有率Infineon(70%)FSC(30%)Infineon(20%)价格高﹥1200V/25A(0.80$)FCS,ST低价策略1200V25A,TO-3P→1000~1800W市场需求15A,TO-3P→800~1300W市场需求1200V/25A,35A,40A电磁加热,UPS,焊机市场趋势市市场策略代理商(广州,杭州)→SAM4Mpcs/M(3M$/M)市场表现(1)?InsulatedGateBipolarTransistor=IGBT(绝缘栅双极晶体管)(2)?FEATURESIGBTBJTMOSFET驱动电路简单复杂简单输入阻抗高级低级高级驱动力低级高级低级开关速度中等缓慢(毫微秒)快速(毫微秒)工作频率中等低级快速(小于1兆赫)频率功率(W)高电压高电流高频率工艺技术进步图(1)平面沟?PT型冲床通过没有通过《不扩散核武器条约》拳类型?FS停止类型领域工艺技术进步图(2)※器件厚度变薄→功耗减少功耗:把传导损失和开关损耗控制到最低耐用性与可靠性:-阻断高电流-稳定的短路特性-芯粒最小化和过程简单化工艺技术进步图(3)NPTIGBT仍存在不足电场形状是三角→n-layer变得更厚静态和动态功耗仍高→使用梯形分布→改进特性工艺技术进步图(4)关键工艺技术【过程】【设计】结构技术•与mos工艺相近•需要刻深槽•优化Vce(SAT)&BVces结构技术•外延电阻率和厚度薄硅片技术•薄硅片处理•减薄/粗糙化/损伤层去除•高能注入•低温,激活高性能•芯粒排列紧密可靠•专为稳定的短路电流设计的通道高压•设计厚度和浓度•可靠的高BVFLR边界高效率•注入效率控制(TSB,RENESAS)的应用(1)焊机不间断电源变频器马达控制器等离子显示屏照相机600V/30A,50A,75A1200V/40A600V/50A,1200V/75A300V~400V冰箱洗衣机空调600V/15A~50A电饭锅&电磁炉微波炉1200V/15A,25A600V/40A,900V/60A应用说明(2)工业领域应用消费电子应用洗衣机电磁加热电饭锅电磁炉微波炉照相机闪光灯变频器空调应用说明(3)消费电子领域工业应用电梯电源•不断电电源供应器•开关式电源驱动•逆变器•交流伺服•机器人焊机运输•点火控制•蓄电池充电器分立器件IC+分立器件+封装芯片尺寸:600VIGBT:3000X3000um,5600x5900um1200VIGBT:3000x3000um,5600x5900um通过设计,可以将芯粒尺寸变小。2.产品:共6项NPT1,200V:15A,25ANPT600V:30AFieldStop1,200V:15,25AFieldstop600V:50A3.层数ProcessStepToolClassifyIGBTNTP_IGBTNTP_T_IGBTFS_IGBTFS_TIGBTT_IGBTPhotoCoaterDNS/SKW80881081010StepperASML868688PE022222本项目转移:•IGBT6”(CD:0.35-0.5μm)1K/month•600V,1200V,TrenchDepth.7μm•Waferthick:100-150μm的IGBT产品。具体产品如下:•NPT600V(15A,25A,30A,50A),NPT1200V(15A,25A)•Fieldstop1200V(15A,25A,50A)1、该技术转移需要约1.5年的时间。2、绝大多数设备为市场通用设备,8台为特殊设备。具体设备清单见下页:设备概况(NEW)Special6De-BondingNittoJoin(NEW)Special7TaperNittoDR8500Special8De-TaperNittoHR8500UVSpecial问:减薄做到80um需要什么条件,费用需要增加多少一开始就做到80um有些困难。先做120~150um,积累工艺经验,进入市场后再做80um,并且应与DeepTrench工艺一同进行。预计费用需要增加USD3M左右。问:NPT和FS是否均为Trench结构?NPT也好Fieldstop也好,均包含Trench结构。Fieldstop是改进NPT,添加一个Layer,从而改善特性的产品。基本上结构是相同的。问:该项目所转移产品能否适用与电磁炉、电焊机、变频器等领域。我们当前的项目涵盖这些工艺,所有的器件都可以用于这些产业。重点问题解答
本文标题:IGBT工艺技术
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