02-LED磊晶层概要简介

ConfidentialinEpicrystalBUC5–NitrideBusinessUnitP1LED磊晶層概要簡介2011/xx/xxReporterConfidentialinEpicrystalBUC5–NitrideBusinessUnitP2磊晶層名稱及定義LED磊晶層示意圖LED磊晶層名稱定義基板孕核層(緩衝層)N-型半導體多重量子井發光層P-型半導體超晶格結構層ConfidentialinEpicrystalBUC5–NitrideBusinessUnitP3P-GaNAlGaN/InGaNInGaN/GaNInGaN/GaNsubstrateGaNbufferlayer(non-doped)GaNbufferlayer(Si4E18)N-supperlattice(non-doped)Activelayer(multiquantumwell)non-dopedP-supperlatticeP-contactlayerP-electrodeGaNbufferlayer(LT)Sapphiresub.GaNN-GaNGaNn-electrodeLED磊晶層示意圖ConfidentialinEpicrystalBUC5–NitrideBusinessUnitP4LED磊晶層名稱定義(I)基板(Substrate)名稱:Al2O3&Sapphire&藍寶石定義:一種被使用於成長氮化鎵發光二極體之原材料種類:Namiki,Kyocera,CWT,Monocrystal,CAT,TXT…ConfidentialinEpicrystalBUC5–NitrideBusinessUnitP5LED磊晶層名稱定義(II)孕核層(緩衝層)名稱:BufferLayer定義:一種為改善磊晶品質及消弭GaN與Sapphire之間晶格失配之磊晶層種類:•LowTemperatureGaN•HighTemperatureAlGaNConfidentialinEpicrystalBUC5–NitrideBusinessUnitP6LED磊晶層名稱定義(III)N-型半導體名稱:N-GaN定義:以電子為主要電流傳導之半導體(GaN:Si)種類:•SD-GaN(slightdoping):Si摻雜濃度約-1e+17/cm3•HD-GaN(heavilydoping):Si摻雜濃度約-5e+18/cm3•U-GaN(undoped):未摻雜SiConfidentialinEpicrystalBUC5–NitrideBusinessUnitP7LED磊晶層名稱定義(V)多重量子井發光層名稱:MultiQuantumWell定義:依不同材料使用使半導體能階產生高低進而發出不同波長之光源種類:ConfidentialinEpicrystalBUC5–NitrideBusinessUnitP8P-型半導體名稱:P-GaN定義:以電洞為主要電流傳導之半導體(GaN:Mg)種類:•F-P_GaN(flat):Mg摻雜濃度約1e+20•R-P_GaN(rough):Mg摻雜濃度無法量測LED磊晶層名稱定義(IV)ConfidentialinEpicrystalBUC5–NitrideBusinessUnitP9超晶格結構層名稱:Super-Lattice定義:一種為提升磊晶品質及提高發光效率之磊晶層種類:皆被廣泛應用於N&P型半導體中•AlGaNSL•InGaNSL•AlInGaNSLLED磊晶層名稱定義(VI)