您好,欢迎访问三七文档
当前位置:首页 > 电子/通信 > 电子设计/PCB > 45组合可编程逻辑器件-东北师范大学物理学院
4.5.1PLD的结构、表示方法及分类4.5.2组合逻辑电路的PLD实现4.5组合可编程逻辑器件概述•从逻辑功能的特点来看,数字电路可分为通用型和专用型两种。前面介绍的都属于通用型。如门电路、计数器、寄存器等。•还有很多电路实现复杂逻辑功能,是为某种用途专门设计的集成电路,称为专用集成电路,简称ASIC。系统规模扩大,连接多、可靠性下降、功耗大、成本升高及占用空间大设计周期长,成本高及承担设计风险•可编程逻辑器件,简称PLD(ProgrammableLogicalDevice)。它属于通用器件,但它的逻辑功能是由用户通过编程来设定的。PLD的集成度很高,足以满足一般数字系统的要求。•由PLD编程的开发系统由硬件和软件两部分构成。硬件为计算机、专用编程器等;软件为集成开发软件、ABEL、VerilogHDL、VHDL等语言。•在系统可编程器件isp的编程更为简单,不需专门的编程器,只要将计算机运行的编程数据直接写入PLD即可。1.结构4.5.1PLD的结构、表示方法及分类输出或门阵列与门阵列输入BAYZ可编程与阵列固定或阵列乘积项2.表示法连接方式基本门表示法&ABCD当浮栅上带有负电荷时,则衬底表面感应的是正电荷,这使得MOS管的开启电压变高,如果给控制栅加上同样的控制电压,MOS管仍处于截止状态。SIMOS管利用浮栅是否累积有负电荷来存储二值数据。N沟道叠栅管(SIMOS),其结构如下:写入数据前,浮栅不带电荷,要想使其带负电荷,需在漏、栅级上加足够高的电压25V即可。若想擦除,可用紫外线或X射线,距管子2厘米处照射15-20分钟。当浮栅上没有电荷时,给控制栅加上控制电压,MOS管导通.浮栅隧道MOS管FlotoxMOS可用电擦除信息,以字为单位,速度高,可重复擦写1万次。与SIMOS的区别是:浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A(埃)的薄绝缘层。快闪(Flash)叠栅MOS管与SIMOS的区别是:1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区,而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的;2.浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。PROMPLAPALGAL低密度可编程逻辑器件(LDPLD)EPLDCPLDFPGA高密度可编程逻辑器件(HDPLD)可编程逻辑器件(PLD)按集成密度分为3.PLD的分类•按结构分为-基于与/或阵列结构的器件SPLD(PROM、PLA、PAL、GAL)、CPLD(EPLD),并称之为PLD。-基于门阵列结构的器件(FPGA)•按编程工艺分为1.熔丝和反熔丝编程器件。如:Actel的FPGA器件。2.SRAM器件。如:Xilinx的FPGA器件。3.UEPROM器件,即紫外线擦除/电编程器件。如大多数的EPLD器件。4.EEPROM器件。如:GAL、CPLD器件。PROMPLAPAL4.5.2组合逻辑电路的PLD实现1.PLA××××××××××××××BnAn“或”阵列(固定)SnCn+1“与”阵列(可编程)CnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnCBCABACCBACBACBACBAS1AnBnCnAnBnCnAnBnCnAnBnCnAnBnAnCnBnCn全加器××××××××××××××2.PAL
本文标题:45组合可编程逻辑器件-东北师范大学物理学院
链接地址:https://www.777doc.com/doc-50756 .html