LCD12864手册

                    12864显示屏手册                   一、液晶显示模块概述 1.液晶显示模块是128×64点阵的汉字图形型液晶显示模块，可显示汉字及图形，内置8192个中文汉字（16X16点阵）、128个字符（8X16点阵）及64X256点阵显示RAM（GDRAM）。可与CPU直接接口，提供两种界面来连接微处理机：8-位并行及串行两种连接方式。具有多种功能：光标显示、画面移位、睡眠模式等。2.外观尺寸：93×70×12.5mm3.视域尺寸：73×39mm外形尺寸图   引脚名称方向说明引脚名称方向说明1VSS-GND（0V）11DB4I数据42VDD-SupplyVoltageForLogic(+3.3v)12DB5I数据53VO-SupplyVoltageForLCD（悬空）13DB6I数据64RS(CS)OH:DataL:InstructionCode14DB7I数据75R/W(SID)OH:ReadL:Write15PSBOH:ParallelModeL:SerialMode6E(SCLK)OEnableSignal16NC-空脚7DB0I数据017/RSTOResetSignal低电平有效8DB1I数据118NC-空脚9DB2I数据219LEDA-背光源负极（LED-OV）10DB3I数据320LEDK-背光源正极（LED+5v）128X64引脚说明二、模块引脚说明                外形尺寸 ITEMNOMINALDIMENUNIT模块体积93×78×12.5mm视域70.7×38.8mm行列点阵数128×64dots 点距离0.52×0.52mm点大小0.48×0.48mm 三、液晶硬件接口 1、逻辑工作电压(VDD)：4.5～5.5V2、电源地(GND)：0V3、工作温度(Ta)：0～60℃(常温)/-20～75℃（宽温）4、电气特性见附图1外部连接图（参考附图2）      模块有并行和串行两种连接方法（时序如下）：1、8位并行连接时序图MPU写资料到模块   RS   R/WEDB0-DB7VIH1VIL1 TAS    TR     TPW  TDSW Validdata  TAHTAHTH TC        MPU从模块读出资料    RS    R/WVIH1VIL1  TAS       TPW   TAH E   DB0-DB7TR   TD ValiddataTAH   TH  TC    2、串行连接时序图 四、用户指令集 1、指令表1：（RE=0：基本指令集）    RS   RW   DB7   DB6   DB5指令码 DB4   DB3   DB2   DB1   DB0  说明执行时间（540KHZ）  指令             清除显示  0  0  0  0  0  0  0  0  0  1将DDRAM填满“20H”，并且设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”  4.6ms  地址归位  0  0  0  0  0  0  0  0  1  X设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”，并且将游标移到开头原点位置；这个指令并不改变DDRAM的内容  4.6ms进入点设定  0  0  0  0  0  0  0  1  I/D  S指定在资料的读取与写入时，设定游标移动方向及指定显示的移位  72us 显示状态开/关  0  0  0  0  0  0  1  D  C  BD=1：整体显示ONC=1：游标ONB=1：游标位置ON  72us 游标或显示移位控制  0  0  0  0  0  1  S/C  R/L  X  X设定游标的移动与显示的移位控制位元；这个指令并不改变DDRAM的内容  72us  功能设定  0  0  0  0  1  DL  X 0 RE  X  XDL=1（必须设为1）RE=1：扩充指令集动作RE=0：基本指令集动作  72us设定CGRAM地址  0  0  0  1  AC5  AC4  AC3  AC2  AC1  AC0 设定CGRAM地址到地址计数器（AC）  72us设定DDRAM地址 0 0 1 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 设定DDRAM地址到地址计数器（AC） 72us 读取忙碌标志（BF）和地址  0  1  BF  AC6  AC5  AC4  AC3  AC2  AC1  AC0读取忙碌标志（BF）可以确认内部动作是否完成，同时可以读出地址计数器（AC）的值  0us写资料到 RAM  1  0  D7  D6  D5  D4  D3  D2  D1  D0写入资料到内部的RAM（DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM）  72us读出RAM的值  1  1  D7  D6  D5  D4  D3  D2  D1  D0从内部RAM读取资料（DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM）  72us   指令表—2：（RE=1：扩充指令集）      指令码      说明执行时间（540KHZ）  指令      RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 待命模式  0  0  0  0  0  0  0  0  0  1将DDRAM填满“20H”，并且设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”  72us卷动地址或IRAM地址选择  0  0  0  0  0  0  0  0  1  SR SR=1：允许输入垂直卷动地址SR=0：允许输入IRAM地址  72us 反白选择  0  0  0  0  0  0  0  1  R1  R0选择4行中的任一行作反白显示，并可决定反白与否  72us  睡眠模式  0  0  0  0  0  0  1  SL  X  XSL=1：脱离睡眠模式 SL=0：进入睡眠模式  72us   扩充功能设定    0    0    0    0    1    1    X   1 RE    G    0RE=1：扩充指令集动作RE=0：基本指令集动作G=1：绘图显示ONG=0：绘图显示OFF    72us设定IRAM地址或卷动地址  0  0  0  1  AC5  AC4  AC3  AC2  AC1  AC0SR=1：AC5—AC0为垂直卷动地址 SR=0：AC3—AC0为ICONIRAM地址  72us 设定绘图RAM地址  0  0  1  AC6  AC5  AC4  AC3  AC2  AC1  AC0 设定CGRAM地址到地址计数器（AC）  72us           HS12864-12串口接线方式：    备注： 1、当模块在接受指令前，微处理顺必须先确认模块内部处于非忙碌状态，即读取BF标志时BF需为0，方可接受新的指令；如果在送出一个指令前并不检查BF标志，那么在前一个指令和这个指令中间必须延迟一段较长的时间，即是等待前一个指令确实执行完成，指令执行的时间请参考指令表中的个别指令说明。 2“RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元，当变更“RE”位元后，往后的指令集将维持在最后的状态，除非再次变更“RE”位元，否则使用相同指令集时，不需每次重设“RE”位元。  具体指令介绍：1、清除显示CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLLLLLLLH 功能：清除显示屏幕，把DDRAM位址计数器调整为“00H” 2、位址归位CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB09、读取忙碌状态（BF）和位址   LLLLLLLLHX 功能：把DDRAM位址计数器调整为“00H”，游标回原点，该功能不影响显示DDRAM3、位址归位CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLLLLLHI/DS 功能：把DDRAM位址计数器调整为“00H”，游标回原点，该功能不影响显示DDRAM功能：执行该命令后，所设置的行将显示在屏幕的第一行。显示起始行是由Z地址计数器控制的，该命令自动将A0-A5位地址送入Z地址计数器，起始地址可以是0-63范围内任意一行。Z地址计数器具有循环计数功能，用于显示行扫描同步，当扫描完一行后自动加一。  4、显示状态开/关CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLLLLHDCB 功能：D=1；整体显示ONC=1；游标ONB=1；游标位置ON 5、游标或显示移位控制CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLLLHS/CR/LXX 功能：设定游标的移动与显示的移位控制位：这个指令并不改变DDRAM的内容 6、功能设定CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLLHDLX0REXX 功能：DL=1（必须设为1）RE=1；扩充指令集动作RE=0：基本指令集动作 7、设定CGRAM位址CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLHAC5AC4AC3AC2AC1AC0 功能：设定CGRAM位址到位址计数器（AC） 8、设定DDRAM位址CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLHAC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0 功能：设定DDRAM位址到位址计数器（AC）CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0   LHBFAC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0 功能：读取忙碌状态（BF）可以确认内部动作是否完成，同时可以读出位址计数器（AC）的值 10、写资料到RAMCODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 HLD7D6D5D4D3D2D1D0 功能：写入资料到内部的RAM（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM） 11、读出RAM的值CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 HHD7D6D5D4D3D2D1D0 功能：从内部RAM读取资料（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM） 12、待命模式（12H）CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLLLLLLLH 功能：进入待命模式，执行其他命令都可终止待命模式  13、卷动位址或IRAM位址选择（13H）CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLLLLLLHSR 功能：SR=1；允许输入卷动位址SR=0；允许输入IRAM位址 14、反白选择（14H）CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLLLLLHR1R0 功能：选择4行中的任一行作反白显示，并可决定反白的与否 15、睡眠模式（015H）CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLLLLHSLXX 功能：SL=1；脱离睡眠模式SL=0；进入睡眠模式 16、扩充功能设定（016H）CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0  LLLLHHX1REGL 功能：RE=1；扩充指令集动作RE=0；基本指令集动作G=1；绘图显示ONG=0；绘图显示OFF 17、设定IRAM位址或卷动位址（017H）CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLLHAC5AC4AC3AC2AC1AC0功能：SR=1；AC5~AC0为垂直卷动位址SR=0；AC3~AC0写ICONRAM位址 18、设定绘图RAM位址（018H）CODE：RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0 LLHAC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0 功能：设定GDRAM位址到位址计数器（AC）                   五、显示坐标关系 1、图形显示坐标     2、汉字显示坐标  X坐标Line180H81H82H83H84H85H86H87HLine