5G基站用核心射频器件与集成模块

14.领域布局和重点任务任务目标：研制功率放大器件及前端模组、波束控制多功能芯片、滤波器/环形器、数模转换、光电收发等产品，成为华为、中兴等通信设备制造商的重要供应商，为我国5G领域提供核心器件支撑。研究内容：低频段：高性能低噪放及射频开关；高性能模组；GaN功率管与线性功率放大器；微基站用高效率功率放大器；硅基通信射频收发芯片；毫米波：高性能前端模组；GaN高效Doherty功率放大器；多通道幅相多功能芯片;小型化隔离器/环形器;26GHz多层聚酯薄膜滤波器;前端射频直采软件化处理芯片；其他：高性能数据转换器及处理芯片;高性能频率合成器；光收发芯片及器件。参与单位：13所，8所、12所、14所、38所、55所、声光电公司。成果效益：预期2020年投产并取得6亿元的营收。计划进度：2020年低频段器件产业化，2022年毫米波器件产业化。1）5G基站用核心射频器件与集成模块/522.5G核心芯片与模块—重点任务24.领域布局和重点任务1）5G基站用核心射频器件与集成模块/522.5G核心芯片与模块—重点任务2020年，突破Sub-6GHz频段基站功放及模组、开关低噪放、硅基射频收发芯片、数模转换器及滤波器产品技术并实现产业化；2022年，突破豪米波基站功放及模组、硅基射频收发芯片、模数转换、直采处理器芯片产品技术并实现产业化；产品指标达到国际先进水平，在GaN器件及前端模块细分领域达到国际领先，工艺节点、产线制程及良率水平与国外相当。5G基站用核心射频器件与集成模块已经突破的关键技术和已经取得的成功和应用已突破低频大功率GaN器件技术，研制出低频系列化宏基站大功率GaN功放器件；已突破毫米波GaN器件及高频封装技术，研制出26GHz、28GHz、39GHz毫米波GaN功放器件；已突破MEMS滤波器研制技术，研制出26GHz、28GHz、39GHzMEMS滤波器。以上产品已批量或小批量供货，已在欧洲、日本软银及中国本土试验网进行使用及验证。在行动中需要重点突破的技术5G基站用射频前端技术5G基站用GaNDoherty集成技术5G基站用硅基射频收发芯片及ADC/DAC转换器技术5G基站用器件模块低成本及产业化技术