集成电路布图设计确权和侵权的司法鉴定

1集成电路布图设计确权和侵权的司法鉴定2内容提要•集成电路布图设计定义•集成电路布图设计保护的法律要件•集成电路布图设计的独创性研究•集成电路布图设计的独创性判断•布图设计侵权取证方法3一、集成电路布图设计定义•集成电路定义•芯片和管芯•集成电路布图设计定义4集成电路定义•集成电路各国名称–美国称为半导体芯片；日本称为半导体集成电路；欧盟称为半导体产品；中国与《华盛顿条约》保持一致，称为集成电路。•《条例》对集成电路的定义–集成电路，是指半导体集成电路，即以半导体材料为基片，将至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路集成在基片之中或者基片之上，以执行某种电子功能的中间产品或者最终产品。–此定义包含了如下几个含义（一个限定、两个区分和一个特指）•把范围限定在半导体集成电路；•区分分离器件和集成电路；•区分PCB等和集成电路；•特指集成电路芯片的管芯。5三层含义图示芯片管芯分离器件芯片印刷线路板6集成电路布图设计概念•集成电路布图设计概念各国表述–美国—掩模作品（Mask-Works）；–日本—线路布局（CircuitLayout）；–欧盟—拓扑图（Topography）；–TRIPS协议—布图设计（LayoutDesign）；–中国—布图设计（LayoutDesign）。•各国保护客体方面的实质性内容基本相同–把保护客体限定在半导体集成电路内；–受保护的都是为制造而准备的三维配置。•集成电路布图设计–是指集成电路中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置，或者为制造集成电路而准备的上述三维配置。7管芯纵向解剖实例M5M4M3M2M1ContactVia1纵向解剖8版图实例9二、布图设计保护的法律要件•布图设计专有权的保护范畴•布图设计保护法律要件分析10布图设计专有权的保护范畴（1）•《条例》第五条：“布图设计的保护，不延及思想、处理过程、操作方法或者数学概念等。”–与著作权的表述极为类似；–布图设计保护的客体只能是“为集成电路制造而准备的三维配置”–专利法已经对设计思想进行了保护；–如何对布图设计中的“思想”和“表达”进行区分，尤其是电路图是归为“思想”还是归为“表达”。NetlistSchematicLayout11布图设计专有权的保护范畴（2）•《条例》第四条：“受保护的布图设计应当具有独创性”。–布图设计不保护公有领域的常规设计；–布图设计保护具有独创性的常规设计组合；–受保护的布图设计应具有一定的创造性。•布图设计专有权不保护唯一或非常有限的表达。–这是著作权的中的理论，同样适合于集成电路电路；–如果对唯一或非常有限的表达进行保护，就相当于对思想进行了保护。12布图设计保护的法律要件分析•受法律保护的布图设计必须具备法定的程序要件和实质要件–受保护的布图设计的实质要件是独创性；–各个国家对独创性的规定均包含两个原则：•该布图设计是创作者自己的劳动成果；•该布图设计不是公认的常规设计，受保护的由常规设计组成的布图设计，其组合作为整体也应当不是常规的。•现有判断原则不足之处–对“表达”和“思想”的界定不明确；–对法律实质要件的表述非常概括，容易造成设计人员和法律工作人员在理解和实施上的不统一；–概念上表述不明确；“量”的方面没有明确标准；–法律程序上是独创性由谁来提出，谁来取证，以及提出时间都没有明确规定。13三、布图设计的独创性研究•布图设计的独立创作性•布图设计的创造性14布图设计的独立创作性•《条例》第四条的规定确立了布图设计权是一种私权–布图设计权的获取必须在作者独立创作基础上实现；–独立创作性是指集成电路设计者思想表达的独立性，而非思想创作的独立性。•独立创作性并不要求布图设计的新颖性–布图设计只要求独立完成，并不要求首创；–不排斥两个独立完成的内容相近甚至相同的布图设计；–当遇到产生知识产权纠纷的两个相似很高的布图设计时，不能仅凭布图申请的先后顺序来判定侵权，还需要确定双方是否独立完成—是否“接触”。15创造性是独创性的必然要求•法律要求布图设计必须具备创造性–《条例》中的“智力劳动”体现出布图设计创造性的特征；–《条例》中的“非常规设计”也体现出布图设计创造性的特征。•布图设计的作品属性也决定其有创造性–在欧美国家，对作品的独创性不仅提出“个性”要求还提出了“质量”要求。•集成电路的技术属性决定其具有创造性–集成电路具有工业实用性；–创造性适于评价布图设计的技术属性。•布图设计的创造性要求介于著作权和专利权之间–略高于著作权而远低于专利权。16四、布图设计独创性判断•布图设计独创性的判断原则•布图设计独创性的判断方法17布图设计独创性的判断原则•独创性判断的客体是必须限定在“思想表达”而不能延及“思想本身”；•独创性的判断主体是能够知晓“常规设计”和“表达受限”的设计人员；•独创性必须具备“独立创作性”和“创造性”两个内涵；•独创性的参照物是布图设计和制造领域内的“常规设计”，但不局限于一个；•独创性的判断应考虑工业实用性，达不到工业实用性要求的布图设计不予保护；•布图设计独创性的判断方法必须与独创性所属的技术领域的技术要求相匹配。18布图设计独创性的判断方法•独立创作性判断方法–可采取“接触”举证方法；–也可采用“技术证据证明接触”同“被告非接触申诉”相结合方法。•创造性的判断方法—逐步瘦身法–去除布图设计中不受保护的“设计思想”部分；–去除布图设计中不受保护的“常规设计部分”；–去除布图设计中不受保护的“唯一或有限表达部分”；19独创点侵权的判定方法—版图相似性判断•版图相似性判断使用范围–版图相似性的判断范围仅适用于独创点侵权的判定；–全芯片的版图相似性判断只是适用于芯片的独创性是由常规设计的组合形成的这一种情况。•采用版图相似性判断的原因–相似性的判断方法是知识产权判断的基本方法；–布图设计的表现形式是三维的几何图形，适合于相似性判断方法；–版图相似性的判断不仅仅是几何图形上的判断，必须结合性能和功能的考虑，或者这种考虑通过相似性判断要求的差异表现出来；–版图相似性的判断需要考虑基本集成电路基础知识；–必须兼顾集成电路的领域知识。20布图设计相似性判断方法—加权平均法•操作方法–首先，按照独创性的技术要求，对“三维配置”各要素设定合理的权重；–其次，利用抽样方式对各要素进行统计分析，得出各要素的权值；–最后进行各权值相加，得出相似度值。•采用加权平均法的原因–“三维配置”可以进行合理分解；–图元比较数据量很大，分析时需要也适合引入统计学的方法；–结果表现通俗易懂，易于法律工作者参考。•加权平均法要考虑因素–独创性布图设计领域性或功能性；–工艺和布局；–器件和互联。21五、布图设计侵权取证方法•封装去除和芯片开盖•管芯解剖和拍照•电路和版图提取•功能和性能分析•图元统计对比分析22芯片封装分析和去除•芯片开盖–局部性去除封装，并保留芯片操作功能的一种封装去除方法，通常使用开盖机–用于FIB电路修改操作和封装绑定关系分析•封装去除–把管芯从芯片管壳中取出的过程–塑料封装、陶瓷封装和金属封装芯片管芯封装X-Ray23绑定关系分析•开盖法–塑料、陶瓷和金属封装•X-Ray法–塑料和陶瓷封装•基板解剖法–BGA封装•探针测试法–带多层布线基板的陶瓷封装BGA基板解剖图24管芯解剖•芯片解剖方法–化学分析法（湿法）–等离子体刻蚀法（干法）–化学机械研磨法（CMP）–辅助性离子刻蚀法（AIE）65nmDDR390nmIntelPIVPoly45nmIntelZ5Poly25芯片染色•阱染色（WellStain）–Singlewell/Twinwell•ROM码点染色–区分MaskROM中的0/1代码•纵向结构染色阱染色码点染色纵向结构染色26芯片拍照•显微镜的放大倍率和分辨率–≥0.25um使用OM；＜0.25um使用SEM•光学显微镜（OM）拍照–≥0.25um–彩色–可以同时看到多层材质–极限放大倍率1500X～2000X•扫描电子显微镜（SEM）拍照–＜0.25um–灰度–观察形貌，对SiO2不透明–放大倍率可达几十万倍芯愿景公司拍照实验室27图像拼接对准等处理•图像拼接•图像对准•图像纠偏、旋平和切割等各种处理•创建图像数据库PIC(x,y)PIC(x+1,y)PIC(x,y+1)PIC(x+1,y+1)28工艺分析（纵向解剖）•工艺分析作用–指导纳米级芯片去层次–工艺判断•结构分析–金属层数–各个版图层厚度–最小工艺–晶体管结构–Silicide或Polycide•成分分析–互连线材质类型–阻挡层材质类型–介质层材质类型–掺杂类型29网表提取•网表：由若干个单元以及单元端口之间的互连关系构成的•网表提取：结合版图知识和电路知识，将芯片图像抽象为一系列模拟器件和数字单元及其端口互连关系30电路整理分析概念•网表提取结果：平面电路图（flatschematic）•电路整理结果：层次化电路图（hierarchicalschematic）–通过层次化整理，平面电路图被重组成一系列较简单的模块，设计人员就能够理解电路的原理，从而掌握芯片的原始设计思想31版图提取分析和对比•参照图像背景绘制版图•版图相似性对比32芯片或模块的功能测试验证•功能测试–探针台–逻辑分析仪–基本测试平台•功能验证–功能仿真验证–性能仿真验证–其他方法33谢谢大家！