三极管的伏安特性曲线教案

三极管的伏安特性曲线教学目的：1、了解三极管的输入、输出特性曲线。2、掌握三极管的输特性和工作状态的判别。教学重点：1、三级管的输出特性。2、三级管的三种工作状态的判别。教学难点：三极管的输出特性和工作状态的判别。教学设想：1、教法（1）复习提问：复习前面小灯泡的伏安特性曲线，那么三极管的输出特性曲线与小灯泡的伏安特性曲线类似吗？那么三极管的输入特性曲线又是怎样的呢？教学过程：一、情景创设，提出问题。提出问题：复习前面小灯泡的伏安特性曲线，那么三极管的输出特性曲线与小灯泡的伏安特性曲线类似吗？那么三极管的输入特性曲线又是怎样的呢？二、新课讲解：三极管的伏安特性以共发射极接法的电路来讲解三极管的输入输出特性曲线。1、输入特性（1）观察输入特性曲线说明：ib是输入电流，Vbe是加在B、E两极间的输入电压。共发射极三极管输入特性曲线：在Vce一定时，三极管的输入电压Vbe和输入电流Ib之间的相应数量关系。引导学生观察：1）Vce=0时，输入特性曲线I和二极管正向伏安特性曲线很相似。2）Vce=2V时，输入特性曲线如图上曲线II，当Vce=3V、5V时，相应的曲线和Vce=2时的很接近，几乎是重合的，因此用Vce=2V时的曲线II表示它们。（2）结论：Vbe很小时，Ib=0，三极管截止；Vbe大于某值时（门坎电压，硅管约0.5v，锗管约0.2v），三极管中产生Ib，开始导通；Ib在很大范围内变动，Vbe变化很小，近于常数，此数称为三极管工作时的正向压降（硅管约0.7v，锗管约0.3V）。因此可以用Vce=2V时的曲线来表示三极管的输入特性曲线。2、输出特性三极管的输出特性曲线：在Ib一定时，三极管的输出电压Vce和输出电流Ic之间的相应数量关系。（一个固定的IB对应一条输出特性曲线，先一条一条的讲曲线，然后再讲输出特性线簇，讲三种工作区域）Ic是输出电流，Vce是输出电压。（主要让学生知道三个工作区域及其特点，这是学生第一次接触这些内容，以老师为主教授这些内容。让学生知道三个区域的特点和在这三种工作状态下发射结，集电结怎样偏置。）（1）放大区：1）Ic受Ib控制，Ic=Bib。且=2)发射结正偏、集电结反偏3）NPNVcVbVePNPVeVbVe三极管工作在这个区域，放大信号，这就是三极管的放大特性。（2）饱和区：1）Ic受Vce的控制，三极管没有放大作用。2）硅Uces=0.3V锗Uces=0.1v。3）集电极和发射极相当于短路，集电极和发射极之间的内阻最小。4）发射结和集电结均为正偏。饱和时，Vce=Vces=0，相当于C、E极间“开关“被接通（ON）。（3）截止区：1）Ib0的区域，发射结电压Ube死区电压，Ib=0，Ic=Iceo=0Vc=Vcc。2）发射结和集电结均为反偏。截止时，Ic=Iceo=0，相当于C、E极间“开关“被关断（OFF）。总结：三极管三种工作状态：饱和：发射结正偏，集电结正偏。截止：发射结反偏，集电结反偏。放大：发射结正偏，集电结反偏。3、三极管三种工作状态的判别运用三极管的三种工作状态的发射结集电结偏置特点，来判断三极管的工作状态。讲解a图，教授方法，然后让学生练习巩固。方法：三极管的三种工作状态的偏置特点为：放大状态——发射结正偏，集电结反偏；饱和状态——发射结正偏，集电结正偏；截止状态——发射结反偏，集电结反偏。正偏时三极管的发射结电压为：硅管0.7V，锗管0.3V（a）PNP型三极管，发射结：UEB=VE-VB=3V-2.3V=0.7V正偏集电结：UCB=VC-VB=0V-2.3V反偏三极管工作在放大状态。硅管。三、小结：1、三极管的输入特性曲线。2、三极管的三个工作区域及其特点。3、三极管三种工作状态的判别。