OZ8953中文规格书

锂聚合物电池包保护芯片特点:一.高精度电压检测1.过压阈值范围-VOVP:3.6~4.35V;±25mV-电压滞后范围:0V,0.1~0.275V(电池容值与电池电压)2.欠压阈值范围-Vuvp:2.0~3V;±80mV-电压滞后范围:0~1.0V二.三级高精度过流检测1.过流检测1：VDOC1=0.025~0.35V;±10mV2.过流检测2：VDOC2=2VDOC13.短路：Vsc=4.5*VDOC1三.全面的内置保护功能四.可编程的过流保护延迟时间五.支持三种模式实现过流与短路保护恢复1.充电接入恢复2.负载开路恢复3.定时恢复（可选）六.支持过温保护（充电过温与放电过温）七.永久失效（PF）:熔丝保护orOVindicator八.支持0V充电九.低功耗：1.常规工作模式：30uA2.关断模式：0.8uA3.睡眠模式：3.2uA十.绿色封装：SOP16应用范围1.电动工具2.移动电脑3.UPS(不间断电源系统）4.远程控制的车辆采购信息部品编号温度范围封装OZ8953AA-1-25℃~85℃16脚SOP无铅（其他参数：表9、表10）概述OZ8953是一款高集成度低成本的电池包保护与检测芯片，它针对锂/聚合物电池或应用于电动工具、移动电脑、不间断电源系统等场合的五串电池包，拥有过压保护、欠压保护、过流保护、短路保护、过温保护功能特点。OZ8953有高精度的过流保护功能（±10mV）。因此OZ8953可以用低阻抗的精密电阻（比如2.5mΩ，5mΩ）来降低动态功耗和解决高精度电流检测时产生的温漂问题。OZ8953拥有的三级过流保护使用了三个高精度集成比较器。这些比较器提供了精确与及时的保护，并且避免了不可预期的误触发保护情况。OZ8953支持三种模式实现过流与短路保护恢复,充电接入恢复、负载开路恢复、定时恢复（可选）。定时恢复延迟时间由过压延迟电容同时决定（OVT脚对地电容）。这个可选功能将帮助确保在没有充电接入时可以实现在不切断负载状态下自恢复。OZ8953提供了一个特殊的EXTC引脚来同时控制充电控制MOS与放电控制MOS.当EXTC引脚处于悬空（浮高）状态时，OZ8953将会进入睡眠模式来降低功耗；当EXTC引脚接到VCC引脚时，OZ8953将会进入普通工作模式，但是会关掉充放电MOS;当EXTC引脚接到VSS引脚时,同样会进入普通工作模式，但是充放电MOS管的状态会由保护状态来决定。通过集成了MOS驱动电路，OZ8953既可以直接在电池组正极控制充电PMOS也可以直接在负极控制放电NMOS。典型应用电路方框图图1.OZ8953方框图引脚图图2.OZ8953引脚图引脚描述表格1.引脚描述引脚编号引脚名称输入或输出接口类型描述1CHG输入/输出模拟充电MOS控制与充电接入检测2VM输入模拟整包电压监测输入，过流与短路恢复时负载开路检测3DSG输出模拟放电MOS控制引脚4ISEN输入模拟过流与短路保护功能电流感应输入端5UVT输入/输出模拟欠压保护延迟时间6OVT输入/输出模拟过充保护延迟时间7VSS电源电源芯片电源负极接地端8TS输入/输出模拟温度感应输入引脚/测试电路输入引脚9PF/OVI输出模拟永久失效（PF）熔丝保护输出信号（高电平）或者过压输出信号（高电平）。这是一个可选的功能引脚（失效信号外部通信输出）10EXTC输入模拟外部额外的控制输入引脚---控制充放电MOS管（失效信号外部通信输入）11BAT5输入模拟接第五节电池正极和第四节电池负极12BAT4输入模拟接第四节电池正极和第三节电池负极13BAT3输入模拟接第三节电池正极和第一节电池负极14BAT2输入模拟接第二节电池正极和第一节电池负极15BAT1输入模拟接第一节电池正极16VCC电源电源芯片电源正极绝对最大额定参数表格2(默认全部为室温25℃测得，除非另有说明)项目符号对应引脚绝对最大额定参数VCC与VSS引脚间输入电源范围VCCVCCVSS-0.3V至VSS+38V输入引脚类电压1VIN1ISEN,UVT,OVT,TSVSS-0.3V至VSS+5.0V输入引脚类电压2VIN2VM,EXTCVSS-0.3V至VSS+0.3V单节电池输入范围：引脚BAT(K-1)-BAT(K),K=2~5，&BAT5-VSS（计算方式）VCELL--0.3V至+5.0V充电引脚输出电压VCHGCHGVSS-0.3V至VSS+38V放电引脚输出电压VDSGDSGVSS-0.3V至VSS+15V永久失效（PF）熔丝保护输出信号电压VPFPF/OVIVSS-0.3V至VSS+5.0V工作环境温度范围（非密闭）Ta--25℃~85℃存储温度范围Tstg--40℃~125℃封装热阻θJA-48.7℃/W注意：绝对最大值参数是额定值。物理性损伤可以导致以上额定参数降低。芯片实测参数无法保证达到额定最大值。电气特性*（1）表格3a符号参数条件最小值典型值最大值单位过充（OV）保护*(2)VOVP过充检测阈值锂聚合物电池：4.0~4.35V磷酸电池：4.0~4.35V,可调VOVP-0.025VOVPVOVP+0.025VVOV-STEP过充检测阈值调整步进锂聚合物电池与磷酸电池50mV/stepVOVR-DELTA过充恢复滞后电压锂聚合物电池与磷酸电池0V,0.1~0.275V,可调VOVR-STEP过充恢复阈值调整步进锂聚合物电池与磷酸电池12.5mV/stepVOVR过充恢复阈值VOVR=VOVP-VOVR-DELTAVOVR-0.03VOVRVOVR+0.03V永久失效（PF）熔丝保护*(2)VPF永久失效（PF）熔丝保护阈值VPF=VOVP+150mVVPF-0.025VPFVPF+0.025VVPFR永久失效（PF）熔丝保护回复电压VPFR=VOVRVPFR-0.03VPFRVPFR+0.03V欠压（UV）保护*(2)VUVP欠压检测阈值锂/聚合物电池与磷酸电池：2.0~3.0VVUVP-0.07VUVPVUVP+0.07VVUV-STEP欠压检测阈值调整步进锂/聚合物电池与磷酸电池100mV/stepVUVR-DELTA欠压恢复滞后电压锂/聚合物电池与磷酸电池0~1V,可调VUVR-STEP欠压恢复阈值调整步进锂/聚合物电池与磷酸电池100mV/stepVUVR欠压恢复阈值VUVR=VUVP-VUVR-DELTAVUVR-0.08VUVRVUVR+0.08V放电过流（DOC）保护*(2)VDOC1过流保护（一级）DOC1检测阈值0.025~0.35V,可调VDOC1-0.01VDOC1VDOC1+0.01V表格3b符号参数条件最小值典型值最大值单位VDOC1-STEP过流保护（一级）DOC1检测阈值步进25mV/stepVDOC2过流保护（二级）DOC2检测阈值VDOC2=2*VDOC1VDOC2-0.02VDOC2VDOC2+0.02VVSC短路保护VSC=4.5*VDOC1VSC-0.05VSCVSC+0.05V外部过温（OT）保护*(3)tDOTP放电过温保检测护阈值tDOTP-5tDOTPtDOTP+5℃tDOTR-DELTA放电过温保护恢复滞后阈值15℃tDOTR放电过温保护恢复检测阈值tDOTR=tDOTP-tDOTR-DELTAtDOTR-5tDOTRtDOTR+5℃tCOTP充电过温保检测护阈值tCOTP-5tCOTPtCOTP+5℃tCOTR-DELTA充电过温保护恢复滞后阈值3℃tCOTR充电过温保护恢复检测阈值tCOTR=tCOTP-tCOTR-DELTAtCOTR-5tCOTRtCOTR+5℃VTH-DSG放电状态检测阈值1210mV*(1)电气特性表格中的最大最小值是基于仿真测试的目标值。这些值在设计验证过程完成后改变。*(2)所有的保护阈值和恢复值只能编程设定一次，客户可以通过销售人员在所给的设定范围内要求任意组合*(3)表格中的过温阈值(OT)是基于103AT类型的外接温敏电阻测得。客户可以通过增加串并联电阻来调整过温阈值(OT)电气特性*（1）（续）表格3c符号参数条件最小值典型值最大值单位外接延迟/恢复时间设定TOVP过充检测延迟时间OVT脚接电容，COVT=0.1uF0.60.91.2STOT-DET过温检测间隔时间OVT脚接电容，COVT=0.1uF0.51.02.0STPF永久失效（PF）熔丝保护延迟时间OVT脚接电容，COVT=0.1uF；TPF=3.0*TOVP1.82.73.6STUVP欠压检测延迟时间UVT脚接电容，CUVT=0.1uF0.71.01.3STSHUTDOWN关断延迟时间OVT脚接电容，COVT=0.1uF3.55.57.5STDOC1过流检测1延迟时间OVT脚接电容，CUT=0.1uFTDOC1=TUVP0.411.4STDOC1=2*TUVP*(2)0.822.8STDOC2过流检测2延迟时间OVT脚接电容，CUVT=0.1uFTDOC2=10%*TDOC140100180mSTDOC2=15%*TDOC1*(2)120300540mSTSC外接固定短路电路保护延迟时间150250*（3）350uS供电VCCVCC与VSS脚之间电压4.0(4)30VVTH-HVNMOS*(5)电池包两端电压阈值决定不同的充电电压差值以实现完全打开充电MOS(参0V充电功能)3.13.96VVHEAD-ROMM*(6)电池包电压大于VTH-HVNMOS时用于完全打开充电MOS管的充电输入端与电池之间最小电压差充电控制引脚上电,VBAT1VTH-HVNMOSICHG1uA0.60.4V充电控制引脚上电,VBAT1=VTH-HVNMOSICHG1uA0.6VVPOWER-ON-RST*(7)芯片电源重启电压VCC脚上电7.19.2VINROMAL正常工作模式功耗VCC脚电流IVCC1734*（8）uAISHUTDOWN关断模式功耗VCC脚电流IVCC0.41.0uAISLEEP休眠工作模式功耗EXTC引脚浮高1.63.0uA*（1）电气特性表格中的最大最小值是基于仿真测试的目标值。这些值在设计验证过程完成后改变。*（2）该参数由O2公司配置，基于客户需求，请参考型号选型表中的对应参数（芯片不同尾号不同参数）*（3）ISEN引脚所接的RC滤波电路针对短路保护延迟时间可进行外部调整*（4）当VCC引脚电压低于最低工作电压4.0V时，充放电MOS管同时关断，但是电池包的内部状态无法保证。*（5）VTH-HVNMOS是HVMOS管的内部阈值，当BAT1引脚电压高于VTH-HVNMOS且充电接口接入时，CHG引脚被下拉至VSS低电平，从而打开充电MOS。*(6)VHEAD-ROMM是芯片用于从关断模式唤醒的充电端与电池包正极之间的电压差值。当VCC引脚高于VTH-HVNMOS时在关断模式下，充电输入端需要高于电池包电压两端电压至少VHEAD-ROMM或更高时才能唤醒芯片。*（7)VPOWER-ON-RST是电源重启阈值，当VCC端电压高于VPOWER-ON-RST芯片启动。*（8）当过充保护被触发时，正常工作模式的静态功耗将增加。电流将等于正常电流加上自放电电流ISINK。过充电压自放电功能部分定义了ISINK。电气特性*（1）（续）符号参数条件最小值典型值最大值单位驱动电压或电流ICHGCHG充电控制引脚灌电流充电MOS开启V（CHG,VSS)30V3.5610.0uA充电MOS关闭V（CHG,VSS)30V0高阻抗2.0uAVDSGDSG放电控制引脚电压放电MOS开启1）VCCVCCTH*(2)6.510.512V2）VCCVCCTHVCC-1.15VCC-0.65VCC-0.15V放电MOS关闭0.150.30.7VIBAT1正常模式下BAT1灌电流每节电池电压3.6V915uAIBATn（n=2~5）正常模式下BATn（n=2~5）灌电流每节电池电压3.6V-0.25-0.40uAVEXTCHEXTC引脚输入高电平VCCVPOWER-ON-RSTVCC-1.5VVEXTCLEXTC引脚输入