EG3013全中文资料

ELECTRONICGIANTEG3013芯片数据手册2012©上海屹晶微电子有限公司版权所有REV1.1大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片屹晶微电子有限公司EG3013芯片数据手册V1.1大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片2012©屹晶微电子有限公司版权所有版本变更记录版本号日期描述V1.02012年09月18日EG3013数据手册初稿屹晶微电子有限公司EG3013芯片数据手册V1.1大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片2012©屹晶微电子有限公司版权所有目录1.特点.....................................................................................................................................................................42.描述.....................................................................................................................................................................43.应用领域.............................................................................................................................................................44.引脚.....................................................................................................................................................................44.1.引脚定义.............................................................................................................................................44.2.引脚描述.............................................................................................................................................45.结构框图.............................................................................................................................................................56.典型应用电路.....................................................................................................................................................57.电气特性.............................................................................................................................................................77.1极限参数.............................................................................................................................................77.2典型参数.............................................................................................................................................87.3开关时间特性及死区时间波形图.....................................................................................................98.应用设计...........................................................................................................................................................108.1Vcc端电源电压................................................................................................................................108.2输入逻辑信号要求和输出驱动器特性............................................................................................108.3自举电路...........................................................................................................................................119.封装尺寸...........................................................................................................................................................129.1SO8封装尺寸....................................................................................................................................12屹晶微电子有限公司EG3013芯片数据手册V1.1大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片2012©屹晶微电子有限公司版权所有芯片数据手册V1.11.特点高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V内建死区控制电路自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通采用半桥达林顿管输出结构具有1A大电流栅极驱动能力专用于无刷电机N沟道MOS管、IGBT管栅极驱动HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出LIN输入通道低电平有效，控制低端LO输出外围器件少静态电流小：4.5mA封装形式：SOP-82.描述EG3013是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG3013高端的工作电压可达100V，Vcc的电源电压范围宽4.5V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8封装。3.应用领域电动摩托车控制器电动自行车控制器100V降压型开关电源变频水泵控制器无刷电机驱动器高压Class-D类功放屹晶微电子有限公司EG3013芯片数据手册V1.1大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片2012©屹晶微电子有限公司版权所有引脚4.1.引脚定义VccGNDLOVSHOEG301312345678HINLINVB图4-1.EG3013管脚定义4.2.引脚描述引脚序号引脚名称I/O描述1VccPower芯片工作电源输入端，推荐工作电压典型值为10V-15V,外接一个高频0.1uF旁路电容能降低芯片输入端的高频噪声2HINI逻辑输入控制信号高电平有效，控制高端功率MOS管的导通与截止。当LIN引脚为高电平时，HIN功能如下（详细参考8.2节）“0”是关闭功率MOS管“1”是开启功率MOS管3LINI逻辑输入控制信号低电平有效，控制低端功率MOS管的导通与截止，当HIN引脚为低电平时，LIN功能如下（详细参考8.2节）“0”是开启功率MOS管“1”是关闭功率MOS管4GNDGND芯片的地端。5LOO输出控制低端MOS功率管的导通与截止6VSO高端悬浮地端7HOO输出控制高端MOS功率管的导通与截止8VBPower高端悬浮电源屹晶微电子有限公司EG3013芯片数据手册V1.1大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片2012©屹晶微电子有限公司版权所有结构框图逻辑输入驱动驱动HINLOGNDVccHOVSVB10K10KLIN脉冲滤波电平位移闭锁电路、死区时间电路10K10KVccVcc45167823逻辑输入20Vcc图5-1.EG3013结构框图6.典型应用电路C1+15V0.1uFU1VccGNDLOVSHOEG301312345678HINVBLIN+VinC2HINLINQ1Q2C3C410nF10nF47uFOUTD11N4148D21N4148R1R2图6-1.EG3013典型应用电路图——中、小功率半桥驱动应用屹晶微电子有限公司EG3013芯片数据手册V1.1大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片2012©屹晶微电子有限公司版权所有图6-2.EG3013典型应用电路图——大功率电机场合应用C1+15V0.1uFU1VccGNDLOVSHOEG301312345678HINVBLIN+VinC2HINLINQ1Q2C3C410nF10nF47uFOUTD11N4148D21N4148R1R2D3FR107图6-3.EG3013典型应用电路图——外接自举二极管应用屹晶微电子有限公司EG3013芯片数据手册V1.1大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片2012©屹晶微电子有限公司版权所有电气特性7.1极限参数无另外说明，在TA=25℃条件下符号参数名称测试条件最小最大单位自举高端VB电源VB--0.3100V高端悬浮地端VS--0.7100V高端输出HO--0.3100V低端输出LO--0.335V电源VCC--0.