富士通MB9Axxx-MB9Bxxx系列中文参考手册

FM332位微控制器MB9Axxx/MB9Bxxx系列外设资源手册如需有关富士通半导体公司微控制器的支持信息，请参见下列网址:序非常感谢大家对富士通半导体产品的长期支持和信赖。使用本系列产品前，请系统阅读本手册和数据手册。本手册的目的和对象读者本手册主要介绍本系列的功能、操作事项和使用方法。对象读者为使用本系列实际开发产品的工程师。※本手册介绍外设功能的构成和操作说明，但不包括各个芯片的规格说明。关于芯片规格，详情参见其对应的数据手册。商标ARM和Cortex-M3是ARM公司在欧盟和其它国家的注册商标。文中提到的其它公司名称和产品名称分别是各个公司的商标或注册商标。样本程序和开发环境富士通半导体免费提供FM3家族外设功能运行用的样本程序。另外，富士通半导体还提供本系列所需的开发环境说明。关于富士通微控制器的运行规格和使用方法，请联系本公司。・微控制器支持信息*:样本程序可能有所变动，恕不另行通知。这些样本程序旨在标准操作和使用环境下展示之用。应用到用户系统前，需要进行充分评估。因样本程序的使用而引起的任何损害，富士通半导体不承担任何责任。•本手册的记载内容如有变动，恕不另行通知。订购前建议用户咨询销售代表。•本手册记载的信息仅供参考，诸如功能概要和应用电路示例，旨在说明FUJITSUSEMICONDUCTOR半导体器件的使用方法和操作示例；对于建立在该基础上的器件使用，FUJITSUSEMICONDUCTOR不保证器件的正常工作。如果用户根据该信息使用器件实行相关开发，用户应承担因此引发的责任。基于上述信息的使用引起的任何损失，FUJITSUSEMICONDUCTOR不承担任何责任。•本手册内的任何技术信息，包括功能介绍和原理图，不应理解为使用和执行任何知识产权的许可，诸如专利权或著作权，或FUJITSUSEMICONDUCTOR的其他权利或第三方权利，FUJITSUSEMICONDUCTOR也不保证使用该信息不侵犯任何第三方知识产权或其他权利。因使用该信息引起的对第三方知识产权或其他权利的侵权行为，FUJITSUSEMICONDUCTOR不承担任何责任。•本手册所介绍的产品旨在一般用途而设计、开发和制造，包括但不限于一般的工业使用、通常办公使用、个人使用和家庭使用，不旨在以下设计、开发和制造:使用中伴随着致命风险或危险，若不加以特别高度安全保障，有可能导致对公众产生危害，甚至直接死亡、人身伤害、严重物质损失或其他损失(即核设施的核反应控制、航空飞行控制、空中交通控制、公共交通控制、医用维系生命系统、核武器系统的导弹发射控制)；需要极高可靠性的应用领域(比如海底中转器和人造卫星)。注意上述领域内对使用该产品引起的用户和/或第三方的任何索赔或者损失，FUJITSUSEMICONDUCTOR不承担任何责任。•半导体器件存在一定的故障发生概率。请用户对器件和设备采取冗余设计、消防设计、过电流等防护措施，及其它异常操作防护措施等安全设计，保证即使半导体器件发生故障的情况下，也不会造成人身伤害、社会损害或者重大损失。•本手册内记载的任何产品的出口/发布可能需要根据日本外汇及外贸管理法和/或美国出口管理法条例办理必要的手续。•本手册内记载的公司名称和商标名称是各个公司的商标或注册商标。版权©2010FUJITSUSEMICONDUCTORLIMITED。相关手册下面列出的本系列的关联手册，供读者在需要时参考。本手册记载的内容可能随时发生变更，恕不先行通知。关于最新的资料信息，请联系我们。外设资源手册・FM3家族MB9Axxx/MB9Bxxx系列外设资源手册(本手册)数据手册关于芯片规格、电气特性、封装尺寸、订购信息等，详情参见下列文件。・微控制器32位originalFM3家族数据手册※每个系列配备相应的数据手册。参考所用系列的数据手册。CPU编程手册关于ARMCortex-M3内核的详细资料，可从下面地址获取:・Cortex-M3技术参考手册・ARMv7-M应用程序级架构参考手册闪存编程手册关于内置闪存的功能和操作，详情参见下列文件。・FM3家族闪存编程手册※每个系列配备相应的手册。参见所用系列的手册。本手册的使用方法功能查找方法本手册中，使用下列方法可以查找功能说明。・按照目录查找目录按说明顺序列出本手册内容。・按照寄存器查找本手册没有列出各个寄存器的配置地址。如要查找，可参见附录中的寄存器映射。章节本手册中基本上每章介绍一种外设功能。术语本手册使用的术语如下。术语说明字指以32位为单位进行访问。半字指以16位为单位进行访问。字节指以8位为单位进行访问。标记・本手册寄存器说明中的位构成图的标记如下所示。・bit:位号・Field:位域名・属性:各位的读/写属性・R:只读・W:只写・R/W:读/写・-:未定义・初始值:复位后寄存器的初始值・0:初始值0・1:初始值1・X:初始值不定・本手册中用如下方法标记多个位。例:bit7到bit0时标记为bit7:0・本手册中用如下方法标记地址等数值。・16进制数值:0x作为前缀(字首)标记在数值前面(例:0xFFFF)。・2进制数值:0b作为前缀(字首)标记在数值前面(例:0b1111)。・10进制数值:仅用数字标记数值(例:1000)。本版的主要变更内容页码章节内容--公司名称变更13第2章时钟・修改标题(7,8,9)内置高速CR调节功能→高速CR调节功能141.时钟生成部分概要特征记载做→能做75第3章复位4.1.复位源寄存器(RST_STR)・修改时钟故障检测复位标志(注意事项)的描述・复位源寄存器的表修改误记:XINIT→INITX94第4章低压检测5.4.低压检测电压保护寄存器(LVD_RLR)修改注意事项102-105,113第5章低功耗模式2CPU运行模式的构成图2-2~2-6停止切换时，STM设定到103.3.停止模式下的操作停止模式的设定顺序0b01→0b10143,144第6章中断4.12中断请求批量读取寄存器25(IRQMON25)UPLLINT位,UPLLINT位,SOSCINT位,MOSCINT位修改如下:稳定等待中断→稳定等待结束中断216第8章DMAC5.2.DMACR(DMAC所有配置寄存器)修改对DS位的操作说明的误记(0000→0000除外)362,365,367第13-1节计时计数器预分频器修改各表上分频时钟的信号名顺序WCCK3-WCCK0→WCCK0-WCCK3480第14-2节基本定时器9.4.2选择PWC定时器时的定时器控制寄存器(TMCR)・计数时钟选择位TMCR:CKS3~CKS0修改3个设定为禁止设定。506-509第15章多功能定时器3.1.多功能定时器的操作示例-1修改表3-1~表3-4的误记513-5173.2.多功能定时器的操作示例-2修改表3-5~表3-9的误记5234.3.寄存器功能详细・修改标题(4.3.17)5434.3.7.OCSB控制寄存器B(OCSB)OCSB.OMOD位修改说明误记5544.3.12.NZCL(NZCL控制寄存器)修改NZCL.DTIE表中的误记5964.5.WFG输出波形详细图4-23的说明描述中，进行如下修改:flag1(错误)→flag0(正确)682第18-1节A/D转换器3.注意事项修改误记页码章节内容702第18-2节10位A/D转换器3.4.DMA启动订正误记(DMA传输请求选择寄存器→DMA传输请求的选择寄存器)7215.9.优先转换FIFO数据寄存器(PCFD)订正[bit15:6]PD9:PD0的误记(扫描转换时→先转换时)736第19-1节多功能串口1.多功能串口概要■接口模式的切换修改注意事项794,852,908第19-3节CSIO19-4节LIN19-5节I2C・1.CSIO概要・1.LIN接口概要・1.I2C接口概要摘要追加注释记号1090第20-3节USB主机图3-6的波形图订正HIRQ的TCAN位的信号线1098■IN,OUT,SETUPToken流程图“EP1C设定”和“EP2C设定”左侧评论的末尾追加(*)CHAPTER:系统概要本章介绍本系列的系统概要。1.总线架构2.存储器架构3.Cortex-M3架构4.模式1.总线架构本节介绍本系列的总线架构。本系列的总线使用AHB总线矩阵电路来实现多层总线。以下介绍主控和从动架构。主控架构•Cortex-M3CPU(I-code总线、D-code总线、系统总线)•DMAC从动架构•内部闪存•内部SRAM(代码SRAM、片上SRAM)•外部总线•USBch0/1•AHB-AHB总线架桥•AHB-APB总线架桥(APB0,1,2)关于总线架构图，参考图1-1。特征RAM架构对于本系列的SRAM配置，其总线可分为代码区和片上区。由此，可避免由CPU和DMAC等多个主控总线引发的RAM冲突，并可提高其性能。另外，因为分区后的RAM地址区域是连续的，所以可以最大化利用RAM区。APB扩展总线APB1和APB2外围总线是扩展APB总线(不包含APB0)，而下列功能最初是基于AMBA3.0单独追加的。•支持半字(16位)访问和字节(8位)访问可使用半字和字节访问所支持的寄存器。关于所支持的寄存器，可参考寄存器映射。•增加了读-修改-写(RMW)信号操作位带时，通常要产生HMASTLOCK信号。RMW信号是为了防止在位带操作时进行读-修改-写处理而错误清除无关标志而增加的信号。对应的标志在进行读-修改-写处理的读取操作时读1，而被特意设计为:忽略写1操作。按照读-修改-写顺序进行读取操作后马上设定标志，可以防止在执行下一次写入操作时错误将无关标志清零。对应的标志和寄存器记述如下:读-修改-写时，与位值无关，读1。＜注意事项＞•针对禁止RMW操作的寄存器，不可进行位带操作。•通过软件而不是位带操作进行读-修改-写时，不输出RMW信号。因此，此时即使寄存器支持RMW过程，读取时仍然可以读标志值，注意在写入时，不要错误地清除无关标志。•关于位带操作，详情参见Cortex-M3技术参考手册。优先级本系列将总线权优先级设定为DMAC＞CPU。DMAC的访问方式，如持续的突发传输访问方式，可能导致CPU访问受到限制。需要特别注意DMAC传输设定。1.1.总线架构图图是本系列的总线架构框图。图1-1总线架构框图＜注意事项＞部分区域不能进行DMAC传输。详情参见表2-1的DMAC传输一栏。Cortex-M3TMCoreFLASHIFFLASHROMtableETMTPIUAHBbusmatrixSWJ-DPCodeSRAMDMACOnchipSRAMI-codebusD-codebusSystembusAHBtoAHBbridgeUSBch0CANDMACbusAHBtoAPBbridgeAHBtoAPBbridgeAPB1PeripheralsEXT-busI/FAHBtoAPBbridgeAPB0PeripheralsAPB2PeripheralsUSBch1APB1APB2APB02.存储器架构本节介绍本系列的存储器架构。本系列拥有4GB的地址空间。存储器架构定义最大1MB的FLASH区、最大512KB的片上SRAM区、最大512KB的代码SRAM区。另外，0x60000000~0xDFFFFFFF的2GB区域定义为外部总线区，外部存储器可连接到该区域。2.1节和2.2节分别说明存储器映射和外围存储器映射。关于图2-1记载的Cortex-M3专用外围区及位带区，详情参见Cortex-M3技术参考手册。2.1.存储器映射图2-1是本系列的存储器映射。图2-1存储器映射＜注意事项＞•不可访问保留区。•关于闪存，详情参考闪存编程手册。FLAS