三极管(经典)

2.1晶体三极管难点1、三极管的基本结构2、三极管的电流放大原理及其分配规律三极管的电流放大原理及其分配规律内部特点外部条件放大作用二极管1.外形：3.单向导电性：2.图形符号、文字符号：正偏：V正极V负极，导通R小≈0＞反偏：V正极V负极，截止R大≈∞＜有利于扩散运动有利于漂移运动温故知新：NNCEBPCETBIBIEIC符号BECPPNETCBIBIEIC符号一、分类与结构1.结构：有NPN型和PNP型2.材料：有硅三极管和锗三极管3.工作频率：有高频三极管和低频三极管4.功率大小：有大功率三极管和小功率三极管NPN型ecb符号集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极eNNP集电区集电结基区发射结发射区集电极c发射极e基极bcbe符号NNPPNPNP型bcebce•三极管：三个极、三个区、两个PN结电极C与E的位置能对换吗？想一想：？？以NPN型三极管为例讨论cNNPebbec表面看三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。不具备放大作用基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高BECNNP集电区：面积大二、晶体管电流放大作用1、晶体管实现放大的内部特点晶体管芯结构剖面图e发射极集电区N基区P发射区Nb基极c集电极(1)发射区掺杂浓度最高：发射区掺杂浓度远大于基区，利于向基区扩散。(2)基区做得很薄且掺杂浓度低：保证绝大部分载流子扩散到集电结。(3)集电区面积较大：以便收集更多的载流子。可见，三极管不是两个PN结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。V1NPPPNNV2V2V1ECBECB2、晶体管实现放大的外部条件-+-++-+-（集电结反偏），即0（发射结正偏）放大的条件BECECBonBEuuuUu想一想：三个电极的电位大小关系如何？发射结）（扩散利于集电结）（漂移利于发射结集电结发射结集电结VC＞VB＞VEVE＞VB＞VC【举例分析】测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位V1、V2、V3分别为：（1）V1=3.5V、V2=2.8V、V3=12V（2）V1=3V、V2=2.8V、V3=12V（3）V1=6V、V2=11.3V、V3=12V（4）V1=6V、V2=11.8V、V3=12V判断它是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定E、B、C。（1）1b、2e、3cNPN硅（2）1b、2e、3cNPN锗（3）1c、2b、3ePNP硅（4）1c、2b、3ePNP锗原则：先确定B，再求|UBE|，若等于0.6—0.8V，为硅管；若等于0.1—0.3V，为锗管，从而E、C确定。根据发射结正偏，集电结反偏。NPN管：VC＞VB＞VEPNP管：VC＜VB＜VE解：小试牛刀：EBRBIBICECRCNPIEN电子空穴电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子电子空穴电子电子电子发射区向基区扩散电子扩散运动形成发射极电流IE电子在基区的扩散与复合集电区收集电子漂移运动形成集电极电流IC复合运动形成IB电流分配关系：动态过程IE＝IB＋IC•电流分配：IE＝IB＋IC•IE－扩散运动形成的电流•IB－复合运动形成的电流•IC－漂移运动形成的电流BCBCIIII直流电流放大系数交流电流放大系数RCVCCiBIERB+uBE+uCEVBBCEBiC+++输入回路输出回路共射电路三极管是一个电流控制元件，IC由IB控制。共射电路：IC=βIB胸有成竹：发射区掺杂浓度大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区面积大且掺杂少一、内部结构三个极、三个区、两个结二、外部条件NPN管：VC＞VB＞VEPNP管：VC＜VB＜VE内部特点外部条件放大作用IC=βIB