mcp606CN

2006MicrochipTechnologyInc.DS11177D_CN第1页MCP606/7/8/9特性•低输入失调电压：250µV（昀大值）•轨到轨输出•低输入偏置电流：80pA（85°C时为昀大值）•低静态电流：25µA（昀大值）•电源电压：2.5V至5.5V•单位增益稳定•片选功能（CS）：MCP608•工业级温度范围：-40°C至+85°C•无相位反转•有包含单、双或四个运放的封装可供选择典型应用•电池供电仪器•高阻抗应用-光电二极管放大器-pH探棒缓冲放大器-红外检测器-高精度积分器-压电转换器的电荷放大器•应变计•医疗器材•测试设备可用工具•SPICE宏模型（见）•FilterLab®软件（见）典型应用概述MicrochipTechnologyInc.的MCP606/7/8/9运算放大器（运放）系列单位增益稳定，失调电压低（昀大250µV）。其性能特性包括轨到轨输出电压摆幅能力和低输入偏置电流（+85°C时昀大值为80pA）。这些特性使得该系列运放非常适合单电源、高精度、高阻抗的电池供电应用。单运放MCP606器件具有标准8引脚PDIP、SOIC、TSSOP及SOT-23-5封装形式。带有片选功能（CS）的单运放MCP608器件具有标准8引脚PDIP、SOIC和TSSOP封装形式。双运放MCP607器件具有标准8引脚PDIP、SOIC和TSSOP封装形式。四运放MCP609器件具有标准14引脚PDIP、SOIC和TSSOP封装形式。所有器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，电源电压范围为2.5V至5.5V。封装类型低端电池电流传感器RF到负载2.5VRGMCP6065kΩ50kΩ到负载VOUTRSEN10Ω（VLM）（VLP）IL至5.5VVIN+VIN–VSSVDDVOUT12348765NCNCNCMCP606PDIP、SOIC和TSSOPMCP607PDIP、SOIC和TSSOPMCP608PDIP、SOIC和TSSOPMCP609PDIP、SOIC和TSSOPMCP606SOT-23-5VIN+VSSVIN–12354VDDVOUTVINA+VINA–VSSVOUTBVINB–12348765VINB+VDDVoutVIN+VIN–VSSVDDVOUT12348765NCCSNCVINA+VINA–VDDVIND–VIND+123414131211VSSVOUTDVOUTAVINB–VINB+VOUTBVINC+VINC–5671098VOUTC2.5V至5.5V微功耗CMOS运算放大器MCP606/7/8/9DS11177D_CN第2页2006MicrochipTechnologyInc.1.0电气特性绝对昀大额定值†VDD–VSS........................................................................7.0V所有输入和输出...............................VSS–0.3V至VDD+0.3V差分输入电压.........................................................|VDD–VSS|输出短路电流...................................................................连续输入引脚电流................................................................±2mA输出和电源引脚电流...................................................±30mA储存温度.......................................................-65°C至+150°C昀大结温（TJ）...........................................................+125°C所有引脚ESD保护（HBM/MM）..........................2kV/200V†注意：如果器件工作条件超过上述“绝对昀大额定值”，可能会对器件造成永久性损坏。上述值仅为运行条件的极大值，我们不建议器件在该规范规定的范围以外运行。器件长时间工作在绝对昀大极限条件下，其稳定性会受到影响。直流特性电气特性：除非另外声明，否则VDD=+2.5V至+5.5V、VSS=GND、TA=+25°C、VCM=VDD/2、VOUT≈VDD/2且RL=100kΩ连至VDD/2。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件输入失调输入失调电压VOS-250－+250µV输入失调电压的温度漂移∆VOS/∆TA－±1.8－µV/°CTA=-40°C至+85°C电源抑制比PSRR8093－dB输入偏置电流和阻抗输入偏置电流IB－1－pA所处温度IB－－80pATA=+85°C输入失调偏置电流IOS－1－pA共模输入阻抗ZCM－1013||6－Ω||pF差分输入阻抗ZDIFF－1013||6－Ω||pF共模共模输入电压范围VCMRVSS–0.3VDD–1.1VCMRR≥75dB共模抑制比CMRR7591－dBVDD=5V，VCM=-0.3V至3.9V开环增益直流开环增益（大信号）AOL105121－dBRL=25kΩ连至VDD/2，VOUT=50mV至VDD–50mV直流开环增益（大信号）AOL100118－dBRL=5kΩ连至VDD/2，VOUT=0.1V至VDD–0.1V输出昀大输出电压摆幅VOL，VOHVSS+15－VDD–20mVRL=25kΩ连至VDD/2，0.5V输出过驱动VOL，VOHVSS+45－VDD–60mVRL=5kΩ连至VDD/2，0.5V输出过驱动线性输出电压范围VOUTVSS+50－VDD–50mVRL=25kΩ连至VDD/2，AOL≥105dBVOUTVSS+100－VDD–100mVRL=5kΩ连至VDD/2，AOL≥100dB输出短路电流ISC－7－mAVDD=2.5VISC－17－mAVDD=5.5V电源电源电压VDD2.5－5.5V每个放大器的静态电流IQ－18.725µAIO=02006MicrochipTechnologyInc.DS11177D_CN第3页MCP606/7/8/9图1-1：MCP608的CS引脚时序图交流特性电气特性：除非另外声明，否则VDD=+2.5V至+5.5V、VSS=GND、TA=+25°C、VCM=VDD/2、VOUT≈VDD/2、RL=100kΩ连至VDD/2且CL=60pF。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件交流响应增益带宽积GBWP－155－kHz相位容限PM－62－°G=+1转换速率SR－0.08－V/µsG=1噪声输入噪声电压Eni－2.8－µVP-Pf=0.1Hz至10Hz输入噪声电压密度eni－38－nV/√Hzf=1kHz输入噪声电流密度ini－3－fA/√Hzf=1kHzMCP608片选（CS）特性电气特性：除非另外声明，否则VDD=+2.5V至+5.5V、VSS=GND、TA=+25°C、VCM=VDD/2、VOUT≈VDD/2、RL=100kΩ连至VDD/2且CL=60pF。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件CS低电平规范CS逻辑门限，低电平VILVSS－0.2VDDVCS输入电流，低电流ICSL-0.10.01－µACS=0.2VDDCS高电平规范CS逻辑门限，高电平VIH0.8VDD－VDDVCS输入电流，高电流ICSH－0.010.1µACS=VDDCS输入电流，接地电流ISS-2-0.05－µACS=VDD放大器输出漏电流，CS高电平IO(LEAK)－10－nACS=VDDCS动态规范CS低电平到放大器输出导通时间tON－9100µsCS=0.2VDD至VOUT=0.9(VDD/2)，G=+1V/V，RL=1kΩ连至VSSCS高电平到放大器输出高阻的时间tOFF－0.1－µsCS=0.8VDD至VOUT=0.1(VDD/2)，G=+1V/V，RL=1kΩ连至VSSCS迟滞电压VHYST－0.6－VVDD=5.0VCSVOUTISSICSVILVIHtONtOFF-50nA（典型值）-50nA（典型值）-18.7µA（典型值）-50nA（典型值）-50nA（典型值）高阻高阻MCP606/7/8/9DS11177D_CN第4页2006MicrochipTechnologyInc.温度特性电气特性：除非另外声明，否则VDD=+2.5V至+5.5V且VSS=GND。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件温度范围规定的温度范围TA-40－+85°C工作温度范围TA-40－+125°C注1储存温度范围TA-65－+150°C封装热阻热阻，5引脚SOT23θJA－256－°C/W热阻，8引脚PDIPθJA－85－°C/W热阻，8引脚SOICθJA－163－°C/W热阻，8引脚TSSOPθJA－124－°C/W热阻，14引脚PDIPθJA－70－°C/W热阻，14引脚SOICθJA－120－°C/W热阻，14引脚TSSOPθJA－100－°C/W注1：MCP606/7/8/9可工作在扩展级温度范围内，但性能有所下降。在任何情况下，内部结温（TJ）均不得超过绝对昀大规范值+150°C。2006MicrochipTechnologyInc.DS11177D_CN第5页MCP606/7/8/92.0典型性能曲线注：除非另外声明，否则VDD=+2.5V至+5.5V、VSS=GND、TA=25°C、VCM=VDD/2、VOUT≈VDD/2、RL=100kΩ连至VDD/2且CL=60pF。图2-1：VDD=5.5V时的输入失调电压柱形图图2-2：VDD=2.5V时的输入失调电压柱形图图2-3：静态电流－电源电压曲线图2-4：VDD=5.5V时的输入失调电压漂移程度柱形图图2-5：VDD=2.5V时的输入失调电压漂移程度柱形图图2-6：静态电流—环境温度曲线注：以下图表来自有限数量样本的统计结果，仅供参考。所列出的性能特性未经测试，不做任何保证。一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围（如超出了规定电源电压范围），因此不在保证范围内。MCP606/7/8/9DS11177D_CN第6页2006MicrochipTechnologyInc.注：除非另外声明，否则VDD=+2.5V至+5.5V、VSS=GND、TA=25°C、VCM=VDD/2、VOUT≈VDD/2、RL=100kΩ连至VDD/2且CL=60pF。图2-7：输入失调电压—环境温度曲线图2-8：开环增益和相位—频率曲线图2-9：通道至通道噪声隔离曲线（仅MCP607和MCP609）图2-10：输入失调电压—共模输入电压曲线图2-11：增益带宽积和相位容限—环境温度曲线图2-12：输入噪声电压密度—频率曲线80901001101201301401.E+021.E+031.E+041.E+05Frequency(Hz)Channel-to-ChannelSeparation(dB)ReferredtoInput100100k10k1k1010010001.E-011.E+001.E+011.E+021.E+031.E+041.E+05Frequency(Hz)InputNoiseVoltageDensity(nV/—Hz)0.11101001k10k100k2006MicrochipTechnologyInc.DS11177D_CN第7页MCP606/7/8/9注：除非另外声明，否则VDD=+2.5V至+5.5V、VSS=GND、TA=25°C、VCM=VDD/2、VOUT≈VDD/2、RL=100kΩ连至VDD/2且CL=60pF。图2-13：输入偏置电流和输