SM7055-12功率开关芯片 非隔离恒压12V100MA电源方案

SM7055-12AC/DCPWM功率开关QWOIISV1.0-1-SM7055-12特点85Vac~265Vac宽电压输入拓扑结构支持：低成本BUCK、BUCK-BOOST等方案采用730V单芯片集成工艺待机功耗小于120mW@220Vac集成高压启动电路集成高压功率开关60KHz固定开关频率内置抖频技术，提升EMC性能电流模式PWM控制方式内置过温、过流、过压、欠压等保护功能内置软启动内置智能软驱动技术（提高EMC性能）封装形式：DIP8、TO252-2应用领域电饭煲、电压力锅等小家电产品电源概述SM7055-12是采用电流模式PWM控制方式的功率开关芯片，集成高压启动电路和高压功率管，可实现低成本、高性价比开关电源系统解决方案。芯片应用于BUCK、BUCK-BOOST系统方案，支持12V输出电压，很方便的应用于小家电产品领域。并提供了过温、过流、过压、欠压等完善的保护功能，保证了系统的可靠性。管脚图6SM7055-127DRAIN8DRAIN5DRAINGNDNCNCHVDDDRAINDIP832142SM7055-12DRAINGNDGND13HVDDTO252-2输出功率表输入电压85Vac~265Vac180Vac~265Vac最大电流DIP8200mA250mATO252250mA300mA典型示意电路图ACU1+++GNDVoutSM7055-1213HVDDGNDDRAIN2SM7055-12SM7055-12AC/DCPWM功率开关QWOIISV1.0-2-芯片标示管脚说明名称管脚序列管脚说明TO252DIP8GND21芯片地HVDD34芯片电源端DRAIN15,6,7,8内置高压MOS管的DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的启动脚NC--2,3悬空脚订购信息订购型号封装形式包装方式卷盘尺寸管装编带SM7055-12DIP820000只/箱//TO252-240000只/箱2500只/盘13寸★★★★表示批号SM7055-12XX·XX@XXX★★★★****芯片名称12：12V输出生产Lot号****表示周号SM7055-12AC/DCPWM功率开关QWOIISV1.0-3-极限参数极限参数(TA=25℃)符号说明范围单位VDS(max)芯片DRAIN脚最高耐压-0.3~730VVDS(ST)芯片启动时，DRAIN脚最高耐压-0.3~730VHVDD芯片电源电压-0.3～20VIHVDD嵌位电流10mATJ工作结温范围-40～150℃TSTG存储温度-55～150℃VESDESDHBM标准：MIL-STD-883GMETHEOD3015；等级：CLASS2；详细测试方法请见ESD报告。V注：表贴产品焊接最高峰值温度不能超过260℃，温度曲线依据J-STD-020标准、参考工厂实际和锡膏商建议由工厂自行设定。热阻参数符号说明范围单位RthJA热阻(1)45℃/W注：芯片要焊接在有200mm2铜箔散热的PCB板，铜箔厚度35um，铜箔连接到所有的GND脚。电气工作参数(除非特殊说明，下列条件均为TA=25℃符号说明条件范围单位最小典型最大BVDS漏源击穿电压--730----VIDSSDRAIN端关断态漏电流------0.1mARDS(on)源漏端导通电阻ID=0.2A--22--OhmHVDDONHVDD开启电压----11.5--VHVDDOFFHVDD关闭电压----8--VHVDDHYSHVDD迟滞阈值电压----3.5--VIDD2HVDD工作电流HVDD=11V--0.5--mAIDDCH芯片充电电流VDS=100V;HVDD=5V---500--uAFOSC芯片振荡频率----60--KHz△Fosc抖频范围----4--%TOVT过温保护温度----150--℃SM7055-12AC/DCPWM功率开关QWOIISV1.0-4-功能表述C2R1++C1+12VRV1L1C3D1D2D3C4L2R2++GND13HVDDGNDDRAIN2SM7055-12ACD4电路图说明上图为典型的BUCK-BOOST电路，其中C1、C2、L1组成π型滤波，有益于改善EMI特性；R1电阻为浪涌抑制元件；D1、D4为整流二极管，构成半波整流电路。输出部分L2为储能电感，D2为HVDD供电二极管；D3为续流二极管，在芯片关断期间提供输出电流通路。HVDD3D_F2D_FHVDDOUTVVVVVHVDD电压当开关电源启动后，C2电容上的电压会通过芯片内部的高压启动MOS管向芯片HVDD电容C3充电，当C3电容电压达到11.5V，内部高压启动MOS管关闭，同时PWM开启，系统开始工作。当C3电容电压下降到9V以下，关闭PWM信号，同时芯片将会产生复位信号，使系统重新启动，这就是欠压保护。HVDDttVOUTHVDDONHVDDOFF欠压保护SM7055-12AC/DCPWM功率开关QWOIISV1.0-5-控制部分DRAINR2GND+-0.23VPWMcontrolR1HVDD-12VIDISIFBIfb采样电流检测电路通过高压MOS的电流ID分成两个部分，其中一部分为IS，这部分电流为芯片采样电流。IS与ID成比例关系：SIDDI•G=I通过上图可知：VRIIFBS23.02)(，由此可以得到：FBSI-2RV230=I.以上公式合并，可得到：).(FBIDDI-2RV230•G=I从上式可以看出，IFB电流大，ID的电流就小；IFB电流小，ID的电流就大。当IFB的电流大于(0.23V/R2)时，芯片会关闭PWM，同时芯片会自动进入突发模式。SM7055-12AC/DCPWM功率开关QWOIISV1.0-6-PCBlayout注意事项TO252DIP8简要说明：TO252IC的2脚GND需要铺铜散热，铺铜面积需要大于8*8mm，以降低芯片的温度及提高系统的性能。IC的1脚DRAIN脚与2脚GND及3脚HVDD之间需要开槽，以满足安规要求。初级环路与次级环路的走线距离尽量粗而短，以便更容易通过EMC测试。DIP8IC的DRAIN脚与GND及HVDD之间需要开槽，以满足安规要求。初级环路与次级环路的走线距离尽量粗而短，以便更容易通过EMC测试。典型应用方案电饭煲电源应用方案原理图：AC+++12V++GND13SM7055-12HVDDGNDDRAIN2R1F1RV1D1L1C1C2L2C3U1R2D2C4D3CX1D4BOM清单：位号参数位号参数位号参数位号参数C14.7uF/400VD1IN4007R122RCX10.1uFC24.7uF/400VD2UF4007R210RRV110D471C34.7uF/50VD3BYV26CL11mHU1SM7055-12C4470uF/25VD41N4007L2560uHF11A保险丝开槽铺铜开槽SM7055-12AC/DCPWM功率开关QWOIISV1.0-7-封装形式TO252-2SymbolMin(mm)Max(mm)A2.02.7A1-0.2b0.51.1c0.30.8D6.36.9D14.95.7D24.83(REF)E5.96.4e2.0862.486L9.510.7L12.9(REF)L21.21.9L31.6(REF)L40.41.2Φ0.91.5θ0°10°h-0.5V5.35(REF)SM7055-12AC/DCPWM功率开关QWOIISV1.0-8-DIP8SymbolMin(mm)Max(mm)A-4.8A10.5-A23.03.7B0.30.6B11.524(BSC)C0.20.4D9.19.5E6.156.45E17.28.4e2.54(BSC)L2.84.0E28.8(BSC)